一种水平阵列ZnO纳米线及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种水平阵列ZnO纳米线及其制备方法，该水平阵列ZnO纳米线在蓝宝石基底平面上沿着三个相互等价的方向生长。该方法的工艺步骤：（1）制备前驱溶液；（2）超过滤；（3）旋涂；（3）热处理：①步骤（3）所得涂胶基底在常压、氧气氛围、400~600℃下保温30~120min，将所述涂胶基底自然冷却至室温；②将步骤①处理后的涂胶基底在常压、氧气氛围、900℃下保温1~10min，将所述涂胶基底并自然冷却至室温；③将步骤②处理后的涂胶基底在常压、氧气氛围、800~1000℃的条件下保温120~240min；或者热处理时仅包括前述步骤①和步骤③。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种水平阵列ZnO纳米线，其特征在于所述水平阵列ZnO纳米线在蓝宝石基底平面上沿着三个相互等价的方向生长。FDA0000306992741.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：向钢，任红涛，张析，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：