用于估计二次电池的寿命的装置及其方法制造方法及图纸

本发明专利技术的实施例提供一种用于预测二次电池的寿命的加快寿命估计装置及其方法。所述加快寿命估计装置可以在缩短所述二次电池的评估时间段的同时，准确地估计所述二次电池的一般寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及一种用于预测二次电池的寿命的装置及其方法。
技术介绍
为了在二次电池的开发过程中估计二次电池的寿命，在与实际使用二次电池的情形的条件和时间段类似的各种条件和时间段下重复地执行充电和放电操作，每当进行测量时，通过测量循环寿命(剩余容量比)来估计二次电池的寿命。用于评估二次电池的循环寿命所需的时间量是开发二次电池所需的全部时间量的大约50%或更多。因此，在减少开发二次电池所需的时间量方面，二次电池的循环寿命的评估是重要因素。具体地说，鉴于与其它领域的产品相比IT领域的短产品周期，非常期望的是减少循环寿命评估的时间量。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种用于估计二次电池的寿命的装置。所述装置包括:输入单元，被配置为接收所述二次电池的第一电池寿命测试数据和第二电池寿命测试数据，所述第一电池寿命测试数据和所述第二电池寿命测试数据对应于不同的条件；以及处理器，与所述输入单元操作地结合，所述处理器被配置为由所述第一电池寿命测试数据和所述第二电池寿命测试数据确定一个或多个参数，根据所述一个或多个参数来确定使所述第一电池寿命测试数据和所述第二电池寿命测试数据相关的加快因子(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于估计电池的寿命的装置，所述装置包括：输入单元，被配置为接收所述电池的第一电池寿命测试数据和第二电池寿命测试数据，所述第一电池寿命测试数据和所述第二电池寿命测试数据对应于不同的条件；以及处理器，与所述输入单元操作地结合，所述处理器被配置为由所述第一电池寿命测试数据和所述第二电池寿命测试数据确定一个或多个参数，根据所述一个或多个参数来确定使所述第一电池寿命测试数据和所述第二电池寿命测试数据相关的加快因子，并根据所述加快因子和所述第二电池寿命测试数据来预测所述电池的估计寿命。

【技术特征摘要】
2011.12.23 US 61/579,890;2012.04.18 US 13/450,4211.一种用于估计电池的寿命的装置，所述装置包括: 输入单元，被配置为接收所述电池的第一电池寿命测试数据和第二电池寿命测试数据，所述第一电池寿命测试数据和所述第二电池寿命测试数据对应于不同的条件；以及 处理器，与所述输入单元操作地结合，所述处理器被配置为由所述第一电池寿命测试数据和所述第二电池寿命测试数据确定一个或多个参数，根据所述一个或多个参数来确定使所述第一电池寿命测试数据和所述第二电池寿命测试数据相关的加快因子，并根据所述加快因子和所述第二电池寿命测试数据来预测所述电池的估计寿命。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电池寿命测试数据通过以第一电流对第一电池进行充电和/或放电来获得，所述第二电池寿命测试数据通过以比所述第一电流大的第二电流对第二电池进行充电和/或放电来获得。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电池寿命测试数据通过在第一温度下对第一电池进行充电和/或 放电达第一时段来获得，所述第二电池寿命测试数据通过在第二温度下对第二电池进行充电和/或放电达第二时段来获得，所述第二温度比所述第一温度高或低，或者所述第二温度等于所述第一温度，所述第二时段比所述第一时段短或长，或者所述第二时段等于所述第一时段。4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电池寿命测试数据和所述第二电池寿命测试数据中的每个包括循环次数、剩余容量比、充电和/或放电电流以及充电和/或放电截止电压中的至少一个。5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述处理器包括: 参数提取器，被配置为从所述第一电池寿命测试数据和所述第二电池寿命测试数据提取所述一个或多个参数； 加快因子计算器，被配置为根据所述一个或多个参数计算所述加快因子；以及 预测单元，被配置为根据所述加快因子来预测所述电池的估计寿命。6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述参数提取器被配置为根据所述第一电池寿命测试数据和所述第二电池寿命测试数据来确定剩余容量比相对于循环次数的斜率参数。7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电池寿命测试数据包括通过以第一电压对第一电池进行充电和/或放电所获得的循环和容量值，所述第二电池寿命测试数据包括通过以第二电压对第二电池进行充电和/或放电所获得的循环和容量值，所述第二电压比所述第一电压高或低，或者所述第二电压等于所述第一电压。8.根据权利要求5所述的装置，其中，所述加快因子计算器被配置为使用与半经验寿命模型相关联的方程式从所述一个或多个参数中来计算所述加快因子，所述方程式被定义为:9.根据权利要求5所述的装置，其中，所述加快因子计算器被配置为通过使...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐丞范，蔡熙官，申政淳，高永和，郑昞根，白光基，朴彻浩，金龙植，金元锡，白昊烈，李将雨，金济益，金宗满，李秀东，梁承皓，郑仁镐，宋柱翰，郑京范，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：