芳香族二胺化合物和芳香族二硝基化合物制造技术

技术编号:8858204 阅读:162 留言:0更新日期:2013-06-27 01:38
本发明专利技术提供新型芳香族二胺化合物和芳香族二硝基化合物,其为用于获得高耐热、低介电常数、低损耗角正切、低吸水率的高分子材料的原料。其中,芳香族二胺化合物为在特定的2官能苯醚低聚物的两末端导入了芳香族胺基的芳香族二胺化合物,以及芳香族二硝基化合物为在特定的2官能苯醚低聚物的两末端导入了芳香族硝基的芳香族二硝基化合物。

【技术实现步骤摘要】
芳香族二胺化合物和芳香族二硝基化合物本申请是申请号为200810210510.6、申请日为2008年8月13日、专利技术名称为“芳香族二胺化合物和芳香族二硝基化合物”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及以具有特定结构的2官能苯醚低聚物为原料的新型芳香族二胺化合物和芳香族二硝基化合物。
技术介绍
目前,芳香族二胺化合物作为双马来酰亚胺、聚酰亚胺、热固化性环氧树脂这样的功能性高分子材料的原料而被广泛应用。近年来,伴随这些应用领域所要求性能的高度化,功能性高分子材料所追求的物性越来越严格。作为该物性,例如追求着耐热性、耐候性、耐药品性、低吸水性、高断裂韧性、低介电常数、低损耗角正切、成形性、弯曲性、溶剂溶解性、粘接性等。在信息通信·计算机领域中,例如PHS、便携式电话等信息通信机器的信号区域、计算机的CPU时钟节拍到达GHz带,为了抑制由绝缘体导致的电信号的衰减,对绝缘体追求着介电常数和损耗角正切小的材料。另外,在印刷线路板、半导体封装领域中,例如,由于近年的无铅钎料的导入,而导致钎料封装时的温度上升,为了确保更高的封装可靠性,对印刷线路板、半导体封装体、电子部件的构成材料,要求耐热性、低吸水性能等。进一步,在这些电子材料用途中,很多是以清漆的形态来使用的,在作业性方面,要求具有优异的溶剂溶解性。为了适应这样的要求,提出了各种的芳香族二胺以及其原料即芳香族二硝基化合物。例如已知:具有氟原子的芳香族二胺提供低介电常数、低损耗角正切的高分子材料,但存在耐热性降低的问题;具有芴类骨架的芳香族二胺提供低介电常数且耐热性高的高分子材料,但存在溶剂溶解性等作业性差的问题(例如,日本特开平10-152559号公报)。因此,可以想到通过开发具有低介电性能、耐热性、低吸水性能、溶剂溶解性优异的低聚物结构的芳香族二胺化合物来应对上述要求性能,但现状为具有这样低聚物结构的芳香族二胺至今未被发现。
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于提供新型芳香族二胺化合物和芳香族二硝基化合物,其成为用于获得高耐热、低介电常数、低损耗角正切、低吸水率的高分子材料的原料。解决问题的方法本专利技术人等开发出了继承聚苯醚骨架优异的低介电性能·耐热性的、具有特定结构的2官能苯醚低聚物以及使用该低聚物的各种衍生物。进一步进行了深入研究,结果发现由2官能苯醚低聚物经由末端芳香族二硝基化合物,可衍生出末端芳香族二胺化合物,并完成了本专利技术。也就是说,本专利技术涉及通式(1)所示的芳香族二胺化合物。[化学式1]式中,-(O-X-O)-由通式(2)或通式(3)所定义的结构构成;-(Y-O)-为通式(4)所定义的1种结构或通式(4)所定义的2种以上结构无规排列而成的结构;a、b表示0~100的整数,且至少其中之一不为0;胺基的取代位置为对位或间位中的任一个;[化学式2]Rl、R2、R3、R7、R8可以相同也可以不同,其为卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;R4、R5、R6可以相同也可以不同,其为氢原子、卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;[化学式3]R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16可以相同也可以不同,其为氢原子、卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;-A-为碳数为20以下的直链状、支链状或环状的2价烃基;[化学式4]Rl7、R18可以相同也可以不同,其为卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;R19、R20可以相同也可以不同,其为氢原子、卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基。进一步,本专利技术涉及通式(10)所示的芳香族二硝基化合物。[化学式5]式中,-(O-X-O)-由通式(11)或通式(12)所定义的结构构成;-(Y-O)-为通式(13)所定义的1种结构或通式(13)所定义的2种以上结构无规排列而成的结构;c、d表示0~100的整数,且至少其中之一不为0;硝基的取代位置为对位或间位中的任一个;[化学式6]R25、R26、R27、R31、R32可以相同也可以不同,其为卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;R28、R29、R30可以相同也可以不同,其为氢原子、卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;[化学式7]R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40可以相同也可以不同,其为氢原子、卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;-A-为碳数为20以下的直链状、支链状或环状的2价烃基;[化学式8]R41、R42可以相同也可以不同,其为卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;R43、R44可以相同也可以不同,其为氢原子、卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基。本专利技术还涉及式(10)所示的芳香族二硝基化合物的制造方法,其特征在于,使2官能苯醚低聚物与硝基卤代苯化合物或二硝基苯化合物进行反应,其中所述2官能苯醚低聚物通过使式(19)或式(20)所示的HO-X-OH结构的2官能酚化合物和式(21)所示的Y-OH结构的1官能酚化合物进行氧化偶联而得到,[化学式9]式中,R49、R50、R51、R55和R56可以相同也可以不同,其为卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;R52、R53和R54可以相同也可以不同,其为氢原子、卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;[化学式10]式中,R57、R58、R59、R60、R61、R62、R63和R64可以相同也可以不同,其为氢原子、卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;-A-为碳数为20以下的直链状、支链状或环状的2价烃基;[化学式11]式中,R65和R66可以相同也可以不同,其为卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;R67和R68可以相同也可以不同,其为氢原子、卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基。专利技术的效果本专利技术的芳香族二胺化合物可作为双马来酰亚胺的原料、聚酰亚胺的原料、聚氨酯的固化剂、环氧树脂的固化剂等来使用,且作为耐热性、低介电性能、低吸水性优异的高功能性高分子材料的原料是极其有用的,所得到的高功能性高分子材料作为电性能、成形性优异的材料,可广泛使用在电绝缘材料、成形材料、覆铜层压板用树脂、抗蚀剂(resist)用树脂、电子部件的密封用树脂、液晶的滤色器用树脂、涂料、各种涂层剂、粘合剂、积层层压板材料、柔性基板用树脂、功能性膜等用途中。本专利技术的芳香族二硝基化合物通过对硝基进行还原,可容易地转变成具有前述这样优异特性的高分子材料的原料,即芳香族二胺化合物。附图说明图1是实施例1的树脂“G”的IR谱。图2是实施例1的树脂“G”的1HNMR谱。图3是实施例1的树脂“G”的FD质谱。图4是实施例1的树脂“H”的IR谱。图5是实施例1的树脂“H”的1HNMR谱。图6是实施例1的树脂“H”的FD质谱。具体实施方式本专利技术的通式(1)所示的芳香族二胺化合物是指,在通式(1)中,-(O-X-O)-由通式(2)或通式(3)所定义的结构构成。在通式(2)中,Rl、R2、R3、R7、R8可以相同也可以不同,其为卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;R4、R5、R6可以相同也可以不同,其为氢原子、卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基,在通式(3)中,R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16可以相同也可以不同,其为氢原子、卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;-A-为碳数为20以下的直链状、支链状或环状的2价烃基,-(Y-O)-在通式(本文档来自技高网
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芳香族二胺化合物和芳香族二硝基化合物

【技术保护点】
一种通式(1)所示的芳香族二胺化合物,[化学式1]式中,?(O?X?O)?由通式(3)所定义的结构构成;?(Y?O)?为通式(4)所定义的1种结构或通式(4)所定义的2种以上结构无规排列而成的结构;a、b表示0~100的整数,且至少其中之一不为0;胺基的取代位置为对位或间位中的任一个;[化学式3]R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16可以相同也可以不同,其为氢原子、卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;?A?为碳数为20以下的直链状、支链状或环状的2价烃基;[化学式4]Rl7、R18可以相同也可以不同,其为卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;R19、R20可以相同也可以不同,其为氢原子、卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基。FDA00002880919200011.jpg,FDA00002880919200012.jpg,FDA00002880919200013.jpg

【技术特征摘要】
2007.08.13 JP 2007-2109001.一种作为双马来酰亚胺或聚酰亚胺的原料、或者用于聚氨酯树脂或环氧树脂的固化剂的通式(1)所示的芳香族二胺化合物,式中,-(O-X-O)-由通式(3)所定义的结构构成;-(Y-O)-为通式(4)所定义的1种结构或通式(4)所定义的2种以上结构无规排列而成的结构;a、b表示0~100的整数,且至少其中之一不为0;胺基的取代位置为对位或间位中的任一个;所述芳香族二胺化合物的数均分子量为500~3000;R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16可以相同也可以不同,其为氢原子、卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;-A-为碳数为20以下的直链状、支链状或环状的2价烃基;Rl7、R18可以相同也可以不同,其为卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基;R19、R20可以相同也可以不同,其为氢原子、卤素原子、碳数为6以下的烷基或苯基。2.根据权利要求1所述的芳香族二胺化合物,-(O-X-O)-具有通式(6)或通式(7)所示的结构,-(Y-O)-具有通式(8)或通式(9)所示的结构、或者具有通式(8)和通式(9)无规排列而成的结构,式中,R21、R22、R23、R24可以相同也可以不同,其为氢原子或甲基;-A-为碳数为20以下的直链状、支链状或环状的2价烃基;-A-为碳数为20以下的直链状、支链状或环状的2价烃基,3.一种权利要求1所述的芳香族二胺化合物的制造方法,其特征在于,对通式(10)所示的芳香族二硝基化合物进行还原,式中,-(O-X-O)-由通式(12)所定义的结构构成;-(Y-O)-为通式(13)所定义的1种结构或通式(13)所定义的2种以上结构无规排列而成的结构;c、d表示0~100的整数,且至少其中之一不为0;硝基的取代位置为对位或间位中的任一个;R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40可以相同也可以不同,其为氢原子、卤素原...

【专利技术属性】
技术研发人员:上等和良大野大典石井贤治
申请(专利权)人:三菱瓦斯化学株式会社
类型:发明
国别省市:

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