含二苯并噻吩砜有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件技术

本发明专利技术属于有机半导体材料，其公开了一种含二苯并噻吩砜有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件，该含二苯并噻吩砜有机半导体材料具有如下化学结构通式：式中，A-为-F、-CN或者-NO2。本发明专利技术提供的含二苯并噻吩砜有机半导体材料，通过差热分析扫描对该含二苯并噻吩砜有机半导体材料的性能进行表征，结果表明该材料具有优异的热稳定性；同时，该类材料具有良好的溶解性和成膜性，并且通过光谱测试，发现这种材料的最大发光波长在蓝光范围，具有较宽的能隙；另外，这种发光材料由于结构中二苯并噻吩砜及四芳基硅基团的存在，使材料具有较好的电子传输性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机半导体材料领域，尤其涉及一种含二苯并噻吩砜有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件。
技术介绍
随着信息时代的发展，具有高效、节能、轻质的有机电致发光平板显示器(OLEDs)及大面积白光照明越来越受到人们的关注。OLED技术被全球的科学家关注，相关的企业和实验室都在进行这项技术的研发。作为一种新型的LED技术，具有主动发光、轻、薄、对比度好、能耗低、可制成柔性器件等特点的有机电致发光器件对材料提出了较高的要求。1987年,美国Eastman Kodak公司的Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。而要实现全色显示及照明等应用目的，发光器件必须具有一定的效率和寿命。目前高效、稳定的电致器件比较少，高迁移率、高热稳定性的蓝光材料还比较缺乏。
技术实现思路
本专利技术所要解决的问题之一在于提供一种高迁移率、高热稳定性的含二苯并噻吩砜有机半导体材料。一种含二苯并噻吩砜有机半导体材料，具有如下化学结构通式:

【技术保护点】
一种含二苯并噻吩砜有机半导体材料，其特征在于，具有如下化学结构通式：式中，A?为?F、?CN或者?NO2。FDA0000123857600000011.tif

【技术特征摘要】
1.一种含二苯并噻吩砜有机半导体材料，其特征在于，具有如下化学结构通式:2.一种含二苯并噻吩砜有机半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 51、提供如下化合物: 化合物 1:3.根据权利要求2所述的含二苯并噻吩砜有机半导体材料的制备方法，其特征在于，还包括纯化步骤: 53、待步骤S2反应结束后，将反应液倒入饱和氯化铵的水溶液中，用二氯甲烷萃取反应液，获得有机相；随后有机相用氯化钠水溶液洗、干燥、旋蒸除去溶剂后得到粗产物，且粗产物经过硅胶柱层析分离提纯，最后得到纯化的含二苯并噻吩砜有机半导体材料。4.根据权利要求2或3所述的含二苯并噻吩砜有机半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述催化剂为四(三苯基膦)...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，梁禄生，张振华，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：