堆迭式封装及其制造方法技术

一种堆迭式封装及其制造方法。方法包括以下步骤。形成一封装结构，方法包括以下步骤。提供一第一基板。第一基板包含一第一表面及相对第一表面的一第二表面。于第一基板的第一表面上配置一芯片。于第一基板的第一表面上配置数个导电球。形成一封装体，包覆第一基板的第一表面、芯片及导电球。封装体具有数个开口并露出导电球。形成包含相对的一下表面及一上表面的一第二基板，方法包括以下步骤。形成数个导电柱凸出于一介电结构的一第一介电表面。形成数个导电接点露出于介电结构的一第二介电表面。第一介电表面是相对于第二介电表面。第二基板的上表面包括第二介电表面。导电柱与导电接点彼此电性连结。经由数个焊料材料物理连接并电性连接封装结构的导电球与第二基板的导电柱。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，特别是有关于经由焊料材料物理连接并电性连接封装结构的导电球与第二基板的导电柱的。
技术介绍
电子产品变得越来越复杂，例如至少要求电子产品的一部分增强功能及具有较小尺寸。虽然增强功能及具有较小尺寸所带来的好处是明确的，然而实现这些好处会产生一些问题。特别是，电子产品通常需要在有限的空间内容设高密度的半导体元件。举例而言，移动电话、个人数字助理、可携式电脑及其它可携式消费产品内用以容置的处理器、存储器、及其他主动元件或被动元件的可用空间内受到限制。相关地，被封装的半导体元件通常可勉强提供抵抗环境条件的保护及提供输入及输出的电性连接。将半导体元件封装于半导体元件封装结构中，会占用电子产品中额外的有价值的空间。因此，减少半导体元件封装结构所占用的占据面积(Footprint Area)成为极为强烈的趋势。关于该议题一种的方法以PoP (package-on-package)结构组成呈现的堆迭式封装。一般堆迭式封装会经过许多工艺。举例来说，在基板上形成焊料(solder)之后，进行电镀工艺以形成重新布线层(Re-Distribution Layer ;RDL)。然而,露出的焊料容易受到电镀过程中使用的药水咬蚀攻击，使得结构受到损坏，这会导致电性问题而降低产品良率，此外，在先前技术上形成重新布线层之前需将好的芯片先形成在基板上，因此若在形成重布线路时产生的良率损失(yield loss),会同时损失已形成在基板上的芯片，造成成本大幅提闻。
技术实现思路
本专利技术有关于一种。堆迭式封装的良率高。根据本专利技术的一方案，提出一种堆迭式封装的制造方法，包括以下步骤。形成一封装结构，方法包括以下步骤。提供一第一基板。第一基板包含一第一表面及相对第一表面的一第二表面。于第一基板的第一表面上配置一芯片。于第一基板的第一表面上配置数个导电球。形成一封装体，包覆第一基板的第一表面、芯片及导电球。封装体具有数个开口并露出导电球。形成包含相对的一下表面及一上表面的一第二基板，方法包括以下步骤。形成数个导电柱凸出于一介电结构的一第一介电表面。形成数个导电接点露出于介电结构的一第二介电表面。第一介电表面是相对于第二介电表面。第二基板的上表面包括第二介电表面。导电柱与导电接点彼此电性连结。经由数个焊料材料物理连接并电性连接封装结构的导电球与第二基板的导电柱。根据本专利技术的一另方案，提出一种堆迭式封装，包括一封装结构、一第二基板与数个焊料材料。封装结构包括一第一基板、一芯片与一封装体。第一基板包含一第一表面及相对第一表面的一第二表面。芯片配置在第一基板的第一表面。导电球配置在第一基板的第一表面并围绕芯片。封装体包覆第一基板的第一表面、芯片及导电球。第二基板包含面对封装结构的一下表面及相对下表面的一上表面。第二基板包括一介电层、数个导电柱与数个导电接点。介电层具有一介电表面。介电表面是第二基板的下表面的一部分。导电柱凸出于介电层的介电表面。导电接点露出于第二基板的上表面。导电柱与导电接点彼此电性连结。焊料材料物理连接并电性连接封装结构的导电球与第二基板的导电柱。为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下:附图说明图1绘示根据一实施例的堆迭式封装的封装结构。图2绘示根据一实施例的堆迭式封装的封装结构。图3绘示根据一实施例的堆迭式封装的封装结构。图4绘示根据一实施例的堆迭式封装的第二基板。图5绘示根据一实施例的堆迭式封装。图6绘示根据一实施例的堆迭式封装。图7绘示根据一实施例的堆迭式封装的第二基板。图8绘示根据一实施例的堆迭式封装。图9绘示根据一实施例的堆迭式封装。图10绘示根据一实施例的堆迭式封装的第二基板。图11绘示根据一实施例的堆迭式封装。图12绘示根据一实施例的堆迭式封装。图13绘示根据一实施例的堆迭式封装。图14绘示根据一实施例的堆迭式封装的第二基板。图15绘示根据一实施例的堆迭式封装。图16绘示根据一实施例的堆迭式封装。图17绘示根据一实施例的堆迭式封装的第二基板。图18绘示根据一实施例的堆迭式封装。图19绘示根据一实施例的堆迭式封装。图20绘示根据一实施例的堆迭式封装的第二基板。图21绘示根据一实施例的堆迭式封装。图22绘示根据一实施例的堆迭式封装。图23绘示根据一实施例的堆迭式封装。图24A至图24F绘示根据一实施例中封装结构的制造方法。图25A至图251绘示根据一实施例中第二基板的制造方法。图26A至图26K绘示根据一实施例中第二基板的制造方法。符号说明:102,202,302:封装结构；103:主动面；104:芯片；105:导电单元；106:焊料球；108:第一基板；110、118、123:表面；112、116、122:导电垫；114:封装层；120、220:导电球；124:封装体；440、442、444、550、552、554、466、470、574、580、586:介电层；436、736:下表面；126:开口；128:焊料层；430,530,630,730,830,930:第二基板；432、532:导电结构；434、534:介电结构；435、735:导电接点；436、536:介电表面；437、737:线路层；438、538:导电柱；439、739:上表面；546、846:焊料膜；648、948:焊料盖；456、556:胶层；458、558、464、468、572、576、578、582、584:导电层；460、560:载体。具体实施例方式图1绘示根据一实施例的堆迭式封装的封装结构102。上述封装结构102包含第一基板108、芯片104、多个焊料球106及一封装体124，芯片104及多个焊料球106位于第一基板108的表面110上。芯片104具有一主动面103,根据本专利技术一实施例,主动面103上具有多个导电单元105，经由上述多个导电单元105以覆晶方式与第一基板108电性连结，焊料球106物理连接并电性连接至第一基板108的表面110上的导电垫112并与芯片电性连结。导电垫112的材质可包括金属例如铜等。封装层114封住在芯片104的下表面与第一基板108之间。导电垫116配置在第一基板108的表面118上。导电垫116的材质可包括金属例如铜、金或上述金属的合金等。请参照图1，导电球120配置在第一基板108的表面110上的导电垫122上。于此实施例中，导电球120的材质为焊料,并围绕芯片104。于一实施例中,举例来说,导电球120的粒径可为20um 150um。导电球120之间的间距(pitch)可为0.1mm 0.5_。导电垫122的材质可包括金属例如铜、金或上述金属的合金等。封装体124包覆第一基板108的表面110、导电球120、芯片104与封装层114。封装体124具有露出导电球120的开口126。换句话说，导电球120是露出于封装体124的表面123。于一实施例中，举例来说，开口 126的深度可为20um 60um。焊料层128配置在封装体124的开口 126所露出的导电球120上。图2的封装结构202与图1的封装结构102的差异在于，是省略了图1中的焊料层128。于此实施例中，导电球120的材质为焊料。图3的封装结构302与图2的封装结构2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种堆迭式封装的制造方法，其特征在于，包括：形成一封装结构，方法包括提供一第一基板，其中该第一基板包含一第一表面及相对该第一表面的一第二表面；于该第一基板的该第一表面上配置一芯片；于该第一基板的该第一表面上配置数个导电球；以及形成一封装体，包覆该第一基板的该第一表面、该芯片及该些导电球，其中该封装体具有数个开口并露出该些导电球；形成包含相对的一下表面及一上表面的一第二基板，方法包括：形成数个导电柱凸出于一介电结构的一第一介电表面；以及形成数个导电接点露出于该介电结构的一第二介电表面，该第一介电表面是相对于该第二介电表面，该第二基板的该上表面包括该第二介电表面，其中该导电柱与该导电接点彼此电性连结；以及经由数个焊料材料物理连接并电性连接该封装结构的该些导电球与该第二基板的该些导电柱。

【技术特征摘要】
1.一种堆迭式封装的制造方法，其特征在于，包括: 形成一封装结构，方法包括 提供一第一基板，其中该第一基板包含一第一表面及相对该第一表面的一第二表面； 于该第一基板的该第一表面上配置一芯片； 于该第一基板的该第一表面上配置数个导电球；以及 形成一封装体，包覆该第一基板的该第一表面、该芯片及该些导电球，其中该封装体具有数个开口并露出该些导电球； 形成包含相对的一下表面及一上表面的一第二基板，方法包括: 形成数个导电柱凸出于一介电结构的一第一介电表面；以及 形成数个导电接点露出于该介电结构的一第二介电表面，该第一介电表面是相对于该第二介电表面，该第二基板的该上表面包括该第二介电表面，其中该导电柱与该导电接点彼此电性连结；以及 经由数个焊料材料物理连接并电性连接该封装结构的该些导电球与该第二基板的该些导电柱。2.如权利要求1所述的堆迭式封装的制造方法，其特征在于，该些导电柱的材质包括金属，该些导电球的材质包括 焊料或金属。3.如权利要求1所述的堆迭式封装的制造方法，其特征在于，形成该第二基板的方法更包括:形成数个焊料盖在该些导电柱的数个末端表面上，其中该些焊料盖包括该些焊料材料。4.如权利要求1所述的堆迭式封装的制造方法，其特征在于，形成该封装结构的方法更包括: 于形成该封装体后，移除部分该封装体以在该封装体中形成露出该些导电球的该些开□。5.如权利要求4所述的堆迭式封装的制造方法，其特征在于，形成该封装结构的方法更包括配置数个焊料层在该封装体的该些开口所露出的该些导电球上，其中该些焊料层包括该些焊料材料。6.如权利要求1所述的堆迭...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志成，赖逸少，施佑霖，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：