异靛基共聚物有机半导体材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于太阳能电池领域，其公开了一种异靛基共聚物有机半导体材料及其制备方法和应用；该共聚物具有下述结构式(I)：式中，R1、R2均为C1～C20的烷基，n为10～100的整数。本发明专利技术提供的异靛基共聚物有机半导体材料，双噻吩环戊烷具有完全平面的晶体结构，它的结构单元中的两个噻吩环在同一个平面上。这种结构可以有效延长聚合物的共轭性能，降低聚合物的带宽。并且这种共平面结构使得载流子在两个主链之间转移变得更加容易，从而增加了载流子迁移率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池材料领域，尤其涉及一种异靛基共聚物有机半导体材料及其制备方法和应用。
技术介绍
利用廉价材料制备低成本、高效能的太阳能电池一直是光伏领域的研究热点和难点。目前用于地面的硅晶电池由于生产工艺复杂、成本高，使其应用受到限制。为了降低电池成本，拓展应用范围，长期以来人们一直在寻找新型的太阳能电池材料。有机半导体材料以其原料易得、廉价、制备工艺简单、环境稳定性好、有良好的光伏效应等优点备受关注。自 1992 年 N.S.Sariciftci 等在 SCIENCE (N.S Sariciftci, L.Smilowitz, A.J.Heeger, etal.Science, 1992，258，1474)上报道共轭聚合物与C6tl之间的光诱导电子转移现象后，人们在聚合物太阳能电池方面投入了大量研究，并取得了飞速的发展，但是仍比无机太阳能电池的转换效率低得多。近来含吡咯并吡咯二酮(DPP)单元的给受体体系小分子(Walker B.，TomayoA.B.，Nguyen T.Q.，et al.Adv.Funct.Mater., 2009,19, 3063)、共辄聚合物(All本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有下述结构式(I)的异靛基共聚物有机半导体材料：式中，R1、R2均为C1～C20的烷基，n为10～100的整数。FDA0000118377530000011.tif

【技术特征摘要】
1.一种具有下述结构式(I)的异靛基共聚物有机半导体材料:2.一种异靛基共聚物有机半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤S1、分别提供如下结构式表示的化合物A和化合物B，3.根据权利要求2所述的异靛基共聚物有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述催化剂为有机钯。4.根据权利要求3所述的异靛基共聚物有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，，所述有机钯为双三苯基膦二氯化钯或四三苯基膦钯；所述有机钯与所述化合物A的摩尔比为1: 20 1: 100。5.根据权利要求2所述的异靛基共聚物有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述催化剂为有机钯与有机磷配体的混合物。6.根据权利要求5所述的异靛基共聚物有机...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，张振华，陈吉星，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：