【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及复合材料、具有这种复合材料的成型体、具有这种成型体的电子装置、以及用于制造这种成型体的方法。
技术介绍
电子装置往往包含固有地如此设计的壳体,水蒸气形式的水分能进入到所述壳体内。水蒸气冷凝到在壳体内侧的电路元件上可导致不利的效果,或者视情形而定可导致装置故障。因此,必须防止长期出现这种情况。为此,已知的是在壳体开口中提供水分过滤器或者在壳体中布置吸收器。但是,所描述的吸收器并未证明可满足长期使用,特别是在温度改变的情况下。因此,本专利技术的目的在于在这一点上采取校正行动。
技术实现思路
根据本专利技术,通过根据权利要求1所述的复合材料、根据权利要求6所述的成型体、根据权利要求9所述的电子装置和根据权利要求13所述的用于制造成型体的方法来实现这个目的。本专利技术的复合材料包含聚合物基质和沸石,所述沸石被结合在所述聚合物基质中;其中在复合材料的体积中沸石的体积份额为至少50%,特别是至少65%。在本专利技术的进一步的实施方式中,聚合物基质包含选自下列聚合物的聚合物:氟塑料、聚芳醚酮、含硫聚合物和高耐热性聚合物。根据本专利技术,氟塑料包括:PTFE,即聚四氟 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.05 DE 102010038986.21.复合材料,其包含: 聚合物基质;以及 沸石,所述沸石被结合在所述聚合物基质中; 其中在所述复合材料的体积中所述沸石的体积份额为至少50%,特别是至少65%。2.根据权利要求1所述的复合材料,其中所述聚合物基质包含选自下列聚合物的聚合物:氟塑料、聚芳醚酮、含硫聚合物和高耐热性聚合物。3.根据权利要求1或2所述的复合材料,其中所述沸石包含A型沸石,特别是4A或3A沸石。4.根据前述权利要求之一所述的复合材料,其中在干燥条件下所述材料的平均密度不超过1.7g/cm3,特别是不超过1.5g/cm3。5.根据前述权利要求之一所述的复合材料,其中在干燥条件下在所述材料中所述沸石的堆积密度不小于0.8g/cm3,特别是不小于1.0g/cm3。6.成型体,其包含根据前述权利要求之一所述的复合材料。7.根据权利要求6所述的成型体,其中对于所述成型体的最小凸包的体积Vniin和最小凸包的表面积Amin而言,(Vmin) 2/3/Amin> 1/20,特别是>1/10为真。8.根据权利要求6或7所述的成型体,其中对于所述成型体的体...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢尔盖·洛帕京,托马斯·尤林,亚历山大·古根伯格,米夏埃尔·休格尔,安德烈亚斯·罗斯伯格,
申请(专利权)人:恩德莱斯和豪瑟尔两合公司,
类型:
国别省市:
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