半导体封装件及其制造方法技术

一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、信号接点、半导体芯片、封装体、接地层及介电层。半导体芯片设于基板上。封装体包覆半导体芯片且具有上表面及信号凹槽，信号凹槽从封装体的上表面延伸至信号接点。接地层形成于信号凹槽的内侧壁上。介电层形成于信号凹槽内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种具有信号凹槽的。
技术介绍
受到提升工艺速度及尺寸缩小化的需求，半导体元件变得甚复杂。当工艺速度的提升及小尺寸的效益明显增加时，半导体封装体的特性也出现问题。特别是指，较高的工作时脉(clock speed)在信号电平(signal level)之间导致更频繁的转态(transition),因而导致在高频下或短波下的信号强度减弱。因此，如何改善高频信号强度减弱的问题为业界努力重点之一。
技术实现思路
本专利技术有关于一种，可降低信号损耗。根据本专利技术，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一第一信号接点、一半导体芯片、一封装体、一第一接地层及一介电层。半导体芯片设于基板上。封装体包覆半导体芯片且具有一上表面及一信号凹槽，信号凹槽从封装体的上表面延伸至第一信号接点。第一接地层形成于信号凹槽的内侧壁上。介电层形成于信号凹槽内。根据本专利技术，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一基板；设置一半导体芯片于基板上；形成一封装体包覆半导体芯片；形成一信号凹槽从封装体的上表面延伸至一第一信号接点；形成一第一接地层于信号凹槽的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，其特征在于，包括：一基板；一第一信号接点；一半导体芯片，设于该基板上；一封装体，包覆半导体芯片且具有一上表面及一信号凹槽，该信号凹槽从该封装体的该上表面延伸至该第一信号接点；一第一接地层，形成于该信号凹槽的内侧壁上；以及一介电层，形成于该信号凹槽内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：颜瀚琦，刘盈男，李维钧，林政男，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：