【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于激光应用领域,更具体地,涉及。
技术介绍
随着半导体工业的不断发展,对芯片的集成度要求越来越高。半导体工艺的进步由光刻工艺决定,极端远紫外(Extreme Ultraviolet, EUV)光刻将是未来纳米级光刻的主流工艺。光刻光源波长要在2015年达到18nm,光刻最小特征尺寸与波长成正比函数关系,所以减小光刻光源波长对光刻尺寸的减小至关重要。国际光刻机供应商提出光刻光源的性能指标如表I所示,其中最重要的是中心焦点IF处的EUV功率,这个是衡量光刻机的重要标准。
【技术保护点】
一种基于径向偏振激光驱动的极紫外光源产生装置,其特征在于,包括径向偏振脉冲激光器、激光放大器、收集镜和液滴发生器;所述径向偏振脉冲激光器输出低功率高重复率的径向偏振脉冲激光,激光放大器将低功率高重复率的径向偏振脉冲激光进行放大后输出高功率高重复率的径向偏振脉冲激光;液体发生器用于产生液滴,所述高功率高重复率的径向偏振脉冲激光经过聚焦后照射所述液滴并产生极紫外光。
【技术特征摘要】
1.一种基于径向偏振激光驱动的极紫外光源产生装置,其特征在于,包括径向偏振脉冲激光器、激光放大器、收集镜和液滴发生器;所述径向偏振脉冲激光器输出低功率高重复率的径向偏振脉冲激光,激光放大器将低功率高重复率的径向偏振脉冲激光进行放大后输出高功率高重复率的径向偏振脉冲激光;液体发生器用于产生液滴,所述高功率高重复率的径向偏振脉冲激光经过聚焦后照射所述液滴并产生极紫外光。2.如权利要求1所述的极紫外光源产生装置,其特征在于,所述径向偏振脉冲激光器包括激光管,W锥形镜,平面输出镜和放电电极; 所述放电电极将高压加在激光管的两端并使得所述激光管输出激光;所述W锥形镜和平面输出镜构成谐振腔,所述W锥形镜用于选择径向偏振光束,平面输出镜用于输出径向偏振脉冲激光。3.如权利要求2所述的极紫外光源产生装置,其特征在于,所述激光管包括用于储存工作气体的放电管和用于冷却工作气体的水冷套管。4.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗海鹏,王新兵,左都罗,卢宏,陆培祥,
申请(专利权)人:华中科技大学,
类型:发明
国别省市:
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