用于沉积含过渡金属的膜的杂配型环戊二烯基过渡金属前体制造技术

本发明专利技术涉及使膜沉积于一个或多个基板上的方法及组合物，其包括提供反应器，该反应器中安置有至少一个基板。提供至少一种金属前体且将其至少部分沉积于该基板上以形成含金属的膜。也公开了通过在合成条件下形成杂配型的含脒基或胍基环戊二烯基的过渡金属前体的方法。

【技术实现步骤摘要】

一般而言，本专利技术涉及用于制造半导体装置、光伏打装置、LCF-TFT装置或平板型装置的组合物、方法及设备。现有技术在制造晶体管期间，可使用硅化物层改良多晶硅的导电性。举例而言，硅化镍(NiSi)可用作晶体管的源极与漏极中的接点以改良导电性。形成金属硅化物的方法是以过渡金属(例如镍)薄层沉积于多晶硅上开始。随后将金属与一部分多晶硅熔合于一起来形成金属娃化物层。化学气相沉积(CVD)及原子层沉积(ALD)是用于控制原子级沉积且形成极薄涂层的主要气相化学方法。在典型CVD方法中，使晶片暴露于一或多种挥发性前体，其在基板表面上反应和/或分解以产生所需沉积物。ALD方法以交替涂覆的金属前体的依序且饱和的表面反应为基础，在诸反应之间进行惰性气体净化。为在晶片上得到高纯度、薄且高效能的固体材料，需要具有高纯度、高热稳定性及高挥发性的金属前体。此外，其应迅速且以可重现的速率汽化，此为液体前体比固体前体更易于达成的条件。一些脒基过渡金属前体现正且业已成功用于通过ALD进行沉积。虽然具有挥发性，但那些前体通常为具有高熔点(>70°C )的固体且有时可因热不稳定性而受损(例如镍)，此对于AL本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种合成杂配型环戊二烯基过渡金属前体的方法，其包含进行至少一个反应以形成含金属的前体，其中含金属的前体包含具有以下通式的前体：M(R1?N?C(R2)=N?R3)n(R4R5R6R7R8Cp)mLk（I）其中：?M为至少一个选自由以下组成的组的成员：Mn、Fe、Ni、Co、Cu、Pd、Pt、Ag、Au、Ru、Os、Rh、Ir及Re；?(R1?N?C(R2)=N?R3)为脒或胍配体；?(R4R5R6R7R8Cp)为经取代或未经取代的环戊二烯基配体；?R1、R3、R4、R5、R6、R7及R8是独立地选自H、C1?C5烷基及Si(R“)3，其中R“是独立地选自H及C1?C5烷基；?R2是独立地选自H...

【技术特征摘要】
2008.07.24 US 61/083,421;2009.07.24 US 12/509,0241.一种合成杂配型环戊二烯基过渡金属前体的方法，其包含进行至少一个反应以形成含金属的前体，其中含金属的前体包含具有以下通式的前体:M(R1-N-C(R2) =N-R3)n(R4R5R6R7R8Cp)mLk (I) 其中: -M为至少一个选自由以下组成的组的成员:Mn、Fe、N1、Co、Cu、Pd、Pt、Ag、Au、R...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·迪萨拉，C·兰斯洛特马特拉斯，
申请(专利权)人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，
类型：发明
国别省市：