蒽衍生物及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种蒽衍生物及其制备方法与应用。该蒽衍生物，其结构通式为式I，所述式I中，R1选自H、C1-C24的烷基和含有杂原子的C1-C24的烷基；R2为H或Cl。其制备方法包括：将式II所示化合物、式III所示化合物、催化剂和碳酸盐混匀于溶剂中进行Suzuki偶联反应，反应完毕得到所述式I所示化合物。该方法简单高效、环境友好、原料价格廉价、合成成本低，方法普适性高，重复性好，为高性能有机半导体材料提供了一个新的选择。式Ⅱ，式Ⅲ，式I。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种蒽衍生物及其制备方法与应用。
技术介绍
有机场效应晶体管自1987年Koezuka组报道以来受到了广泛的关注。尽管有机场效应晶体管在器件集成度以及极端条件下的稳定性方面不及无机场效应晶体管，但也具有能够与柔性衬底兼容并且可以低温制备等无可比拟的优势。在对有机场效应晶体管20多年的研究中，寻找高稳定性高迁移率的有机半导体材料并对器件结构进行优化一直是科学研究的重点。其中并五苯/杂化并五苯材料因其突出的P型半导体性能被广泛研究。例如，并五苯的单晶迁移率已经达到15-40(^2^1^,但是并五苯本身具有较窄的能隙造成其稳定性较差。科研工作者通过以下三个方式对并五苯进行改造，得到了一系列优异的P型半导体材料:(I) 6，13-位取代并五苯，如TIPS-并五苯，因TIPS基团占据了并五苯的氧化加成中心从而提高了稳定性。(2)杂原子取代并五苯，如DBTTT，PTA等，通过将中心苯用噻吩取代从而也消除了氧化加成中心提高稳定性。(3)采用具有较低共轭度的并苯类作为核进行衍生，如并四苯，蒽等，这类材料本身具有较宽的带隙故具有较并五苯更好的稳定性。有机半导体材料直接影响着器件性能，但本文档来自技高网...

【技术保护点】
式I所示化合物，式I所述式I中，R1选自H、C1?C24的烷基和含有杂原子的C1?C24的烷基中的至少一种；R2为H。FDA00002912031200011.jpg

【技术特征摘要】
1.式I所示化合物，2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于:所述杂原子选自S、O和N中的至少一种。3.一种制备权利要求1或2所述式I所示化合物的方法，包括如下步骤:将式II所示化合物、式III所示化合物、催化剂和碳酸盐混匀于溶剂中进行Suzuki偶联反应，反应完毕得到所述式I所示化合物；4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于:所述催化剂为四(三苯基磷)钯；或， 所述碳酸盐选自碳酸钾、碳酸钠和碳酸铯中的至少一种；或， 所述式III中，所述杂原子选自S、0和N中的至少一种。5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于:所述式II所示化合物、式III所示化合物、催化剂和碳酸盐的投料摩尔用量比为1: 2-3: 0.03-0.1: 2-8，具体为1: 3:...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡文平，刘洁，江浪，董焕丽，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：