【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多孔陶瓷，特指由SiC纳米线装饰层状多孔SiOC陶瓷的制备方法，以滤纸为模板，有机硅树脂为高分子前驱体，通过原位反应合成了由SiC纳米线装饰的层状多孔陶瓷，该方法制备工艺简单，成本较低，合成的SiC纳米线生长在层状多孔陶瓷中，有效提高了多孔陶瓷的性能指标。
技术介绍
近年来，多孔材料成为材料科学领域中一类倍受关注的新型材料，多孔材料具有良好的耐高温、抗热震、高强度、化学稳定性高和比表面积等优异性能，在冶金、化工、环保和能源等领域具有广阔的应用前景，如用作高温气体净化器、过滤器、热交换器、尾气处理器、催化剂载体、光电器件、传感器等。先驱体转化法是将有机先驱体，如聚硅氧烷(PSO)、聚碳硅烷(PCS)、聚硅氮烷(PSZ)转化成无机陶瓷或复合材料，如SiOC、SiC、SiCN、Si C/S I3N4等陶瓷的方法，并且可以通过加入活性填料(如Al、Fe、T1、Si)或惰性填料(如SiC、Si3N4、SiO2, BN、AlN)合成所需组成与结构的先驱体，进而实现对最终材料的组成、结构与性能设计。采用先驱体转化法制备多孔陶瓷具有制备温度低、陶瓷组成和结构可设计...
【技术保护点】
一种SiC纳米线装饰层状多孔陶瓷的制备方法，其特征在于包括步骤如下：（1）将高分子前驱体有机硅树脂溶解于二甲苯溶液中并超声振荡至均匀混合；（2）将上述混合均匀的有机硅树脂溶液浸渍入滤纸中，并在80?120℃下固化；（3）将固化的滤纸压制成试样；（4）将压制成型的试样在Ar气氛中高温烧结：烧结起始温度为50℃，以5℃/min的速度升至150℃，保温15min后；以2℃/min的速度升温至400℃保温30min；再以5℃/min?的速度升温至1200℃?1400℃保温后冷却至室温。
【技术特征摘要】
1.一种SiC纳米线装饰层状多孔陶瓷的制备方法，其特征在于包括步骤如下: (1)将高分子前驱体有机硅树脂溶解于二甲苯溶液中并超声振荡至均匀混合； (2)将上述混合均匀的有机硅树脂溶液浸溃入滤纸中，并在80-120°C下固化； (3)将固化的滤纸压制成试样； (4)将压制成型的试样在Ar气氛中高温烧结:烧结起始温度为50°C，以5°C/min的速度升至150°C，保温15min后；以2°C /min的速度升温至400°C保温30min ;再以5°C /min的速度升温至1200°C _1400°C保温后冷却至室温。2....
【专利技术属性】
技术研发人员：程晓农，潘建梅，严学华，张成华，卢青波，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：
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