一种硅片与玻璃片的低温超声阳极键合方法技术

一种硅片与玻璃片的低温超声阳极键合方法，该方法包括以下具体步骤：将玻璃片夹持在一固定工作台上，将硅片夹持在超声换能器上，超声换能器固定在一可动工作台上，设定工作台的加热温度，设置超声参数，设置阳极键合参数，可动工作台带动硅片移动，并按设定的键合压力使硅片与玻璃片相互接触，使硅片与玻璃相互摩擦，活化键合界面；去掉超声的同时，施加键合电压进行阳极键合；键合完成后拆下被键合件。相对于传统高温阳极键合方法，本发明专利技术的低温超声阳极键合方法在同样键合强度下，键合温度，键合电压及键合时间均能大大缩减，提高了MEMS器件的键合性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅片与玻璃片的低温超声阳极键合方法，该方法包括以下具体步骤：（1）设定温控键合炉的加热温度；（2）设置超声参数，超声参数包括超声频率，超声功率，超声持续时间；（3）设置阳极键合参数，阳极键合参数包括键合电压，键合压力和键合时间；（4）按照阳极键合要求将玻璃片夹持在一手动升降台上，将硅片夹持在超声变幅杆上，超声变幅杆固定在一可动工作台上；（5）可动工作台带动硅片移动，并按设定的键合压力使硅片与玻璃片相互接触，然后按照设定好的超声参数在硅片上施加超声，使硅片与玻璃相互摩擦，活化键合界面；（6）去掉超声的同时，施加键合电压进行阳极键合；（7）键合完成后拆下被键合件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘曰涛，肖春雷，王伟，杨明坤，魏修亭，
申请(专利权)人：山东理工大学，
类型：发明
国别省市：