对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪及其判断方法技术

技术编号:8793022 阅读:484 留言:0更新日期:2013-06-12 23:54
本发明专利技术涉及一种对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪及其判断方法;包括脑电信号检测电路和头皮阻抗检测电路,所述脑电信号检测电路设有至少一组通过导联线连接多个接触头皮的被测电极和一个参考电极的接口;所述头皮阻抗检测电路独立于脑电信号检测电路与被测电极接口和参考电极接口连接,本发明专利技术将脑电信号的检测电路和头皮阻抗的检测电路分成两路进行测量,用阈值判断的方法对接触状态进行判断,电路简单,电路抗干扰性强,速度快;不仅提高了头皮阻抗检测的精准度,同时还不会影响脑电信号的采集处理;使大信息量的脑电信号能够得到最精确、头皮阻抗信息得到最及时的处理,使产品的性能更优。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于医疗仪器领域,特别涉及一种。
技术介绍
随着科学技术的进步与发展,人民生活水平的不断提高,对医疗检测水平的要求也越来越高。脑电系统作为一种检测脑部疾病的重要医疗器械在临床诊断中发挥着重要的作用。但是目前的脑电产品存储容量小、采集导联数少、抗干扰能力差、稳定性也较差,有些脑电检测设备不具备检测电极连接情况的功能,具备这一功能的不能同时测量脑电及电极与头皮间的阻抗。随着生物控制 论方法研究脑功能成为大脑研究的重要方面,脑电信息处理的重要性也越来越明显。在基础医学方面,由于脑电综合地反映了神经系统的活动,因而它的研究有助于生理和病理活动中神经机理的深入探讨。在临床医学方面,脑电信息处理不但为某些脑疾病的诊断提供了客观依据,而且为某些脑疾病提供了有效的治疗手段。在心理学、精神病学、认知科学的研究中,脑电信息处理具有重要的学术价值和广阔的应用前景。因此,推进脑电检测类医疗设备向高尖纵深发展,才能满足前沿医疗应用的需求。由于脑电信号本身十分微弱,在测量过程中会受到各种影响,产生伪差,进而影响脑电信号的质量。而影响脑电信号质量的主要因素有:交流工频干扰、电极和头皮接触不良弓IA的干本文档来自技高网...

【技术保护点】
对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪:包括脑电信号检测电路和头皮阻抗检测电路,所述脑电信号检测电路设有至少一组通过导联线连接多个接触头皮的被测电极和一个参考电极的脑电信号接口;其特征在于,所述头皮阻抗检测电路包括高频激励回路和头皮阻抗获取电路;所述高频激励回路包括占空比为1:1的方波发生器和多路阻容充放电电路,所述阻容充放电电路由第一电阻和第一电容串联组成,所述方波发生器输出连接一个反相器,反相器的输出连接一路阻容充放电电路电阻端,其余阻容充放电电路电阻端并联后与方波发生器输出连接,所述并联的阻容串连电路电容端分别与被测电极接口连接,所述一路阻容充放电电路电容端与参考电极接口连接;被测电极接...

【技术特征摘要】
1.对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪:包括脑电信号检测电路和头皮阻抗检测电路,所述脑电信号检测电路设有至少一组通过导联线连接多个接触头皮的被测电极和一个参考电极的脑电信号接口 ;其特征在于,所述头皮阻抗检测电路包括高频激励回路和头皮阻抗获取电路;所述高频激励回路包括占空比为1:1的方波发生器和多路阻容充放电电路,所述阻容充放电电路由第一电阻和第一电容串联组成,所述方波发生器输出连接一个反相器,反相器的输出连接一路阻容充放电电路电阻端,其余阻容充放电电路电阻端并联后与方波发生器输出连接,所述并联的阻容串连电路电容端分别与被测电极接口连接,所述一路阻容充放电电路电容端与参考电极接口连接;被测电极接口和参考电极接口同时连接头皮阻抗获取电路的输入,头皮阻抗获取电路的输出将头皮电阻抗信号传递至微处理器。2.根据权利要求1所述的对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪,其特征在于,所述方波发生器是占空比为1:1的频率为60KHz至70KHz方波发生器。3.根据权利要求1所述的对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪,其特征在于,所述方波发生器是占空比为1:1的频率为64KHz方波发生器。4.根据权利要求1所述的对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪,其特征在于,所述第一电阻为I兆欧姆,所述第一电容为4.7纳法拉。5.根据权利要求1所述的对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪,其特征在于,所述阻抗获取电路顺序连接包括选频电路、差分放大电路、解调放大电路和AD转换电路;所述选频电路包括多路阻容电路,所述阻容电路由第二电容串接第二电阻组成,第二电阻的一端连接模拟电源负极,所述参考电极与一路阻容电路串接,所述多个被测电极分别与其余的阻容电路串接,所述第二电容和第二电阻的连接点作为输出连接一个跟随电路,所述与多个被测电极连接的多个跟随电路连接一个多路选一模拟开关,多路选一模拟开关的输出连同与参考电极连接的跟随电路输出连接差分放大电路的差分输入。6.根据权利要求5所述的对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪,其特征在于,所述第二电容为4.7纳法拉,所述第二电阻为20千欧姆。7.根据权利要求5所述的对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪,其特征在于,所述解...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡坤高瑞斌刘晨亮常衍春吴新亮孙丽花
申请(专利权)人:秦皇岛市康泰医学系统有限公司
类型:发明
国别省市:

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