【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及驱动方案电压的动态选择。
技术介绍
机电系统包括具有电及机械元件、激活器、换能器、传感器、光学组件(例如,镜)及电子器件的装置。可按包括(但不限于)微尺度及纳米尺度的多种尺度来制造机电系统。举例来说,微机电系统(MEMS)装置可包括具有范围从约一微米到数百微米或更大的大小的结构。纳米机电系统(NEMS)装置可包括具有小于一微米的大小(包括(例如)小于数百纳米的大小)的结构。可使用沉积、蚀刻、光刻及/或蚀刻掉衬底及/或沉积材料层的部分或者添加层以形成电及机电装置的其它微机械加工工艺来形成机电元件。一种类型的机电系统装置被称为干涉调制器(IMOD)。如在本文中所使用,术语“干涉调制器”或“干涉光调制器”指使用光干涉的原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在一些实施方案中,干涉调制器可包括一对传导板,所述对传导板中的一者或两者可为整体或部分透明及/或反射性的,且能够在施加适当电信号时相对运动。在一实施方案中,一个板可包括沉积于衬底上的固定层,且另一板可包括与所述固定层分开一气隙的反射膜。一个板相对于另一板的位置可改变入射于干涉调制器上的光的光干涉。干涉调制器装置具有广泛范围的应用,且预期可用于改良现有产品及形成新产品(尤其是具有显示能力的产品)°
技术实现思路
本专利技术的系统、方法及装置各自具有若干创新方面,其中无单一方面单独负责本文中揭示的理想性质。本专利技术中描述的标的物的一个创新方面可实施于一种校准一阵列的方法中。所述方法可包括使用一组选定驱动方案电压驱动一阵列。所述方法还可至少部分基于所述阵列的第一子集的测量来确定所述阵列的第一驱动响应特性、 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.03 US 61/380,1871.一种校准机电元件阵列的方法,所述方法包含: 使用一组选定驱动方案电压驱动所述元件阵列; 至少部分基于所述阵列的第一子集的测量来确定第一驱动响应特性; 至少部分基于所述确定的第一驱动响应特性来确定用于所述阵列的第一更新的驱动方案电压; 使用所述第一更新的驱动方案电压驱动所述元件阵列; 至少部分基于所述阵列的第二子集的测量来确定第二驱动响应特性; 至少部分基于所述确定的第二驱动响应特性来确定用于所述阵列的第二更新的驱动方案电压;及 使用所述第一更新的驱动方案电压及所述第二更新的驱动方案电压驱动所述元件阵列。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一子集及所述第二子集与不同色彩相关联,且其中所述第一驱动响应特性与所述第二驱动响应特性相同。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述组选定驱动方案电压包括保持电压及分段电压,且其中驱动所述阵列包括将所述保持电压及所述分段电压两者同时施加到所述阵列中的至少一个元件。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述确定的第一驱动响应特性为激活所述阵列的所述第一子集中的所述元件中的约百分之五十(50)时的电压。5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括确定所述阵列的一个或一个以上代表性线,其中所述阵列的所述第一子集或所述第二子集包含所述一个或一个以上代表性线。6.根据权利要求1所述的方法,其中所述确定所述阵列的第一驱动响应特性及第二驱动响应特性、确定用于所述阵列的第一更新的驱动方案电压及第二更新的驱动方案电压及使用所述第一更新的驱动方案电压及所述第二更新的驱动方案电压驱动所述阵列是在显示器的寿命内周期性地执行。7.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括: (a)使用第一测试电压确定所述阵列的一条线的驱动响应特性; (b)至少部分基于所述线的所述驱动响应特性,确定所述第一测试电压是否适合于导出驱动电压; (C)如果所述第一测试电压不适合于导出驱动电压,则将所述第一测试电压更新第一量; (d)使用所述更新的第一测 试电压确定所述阵列的所述线的第二驱动响应特性; (e)至少部分基于所述驱动响应特性,确定所述更新的第一测试电压是否适合于导出驱动电压; (f)如果所述更新的第一测试电压不适合于导出驱动电压,则再次将所述第一测试电压更新第二量 '及 (g)重复步骤(d)、(e)及(f),直到在步骤(e)处,所述更新的第一测试电压适合为止。8.根据权利要求7所述的方法,其包含: (h)在所述更新的第一测试电压于步骤(e)处适合后,选择第二测试电压; (i)使用所述第二测试电压确定所述阵列的一条线的第三驱动响应特性;(j)至少部分基于所述第三驱动响应特性确定所述第二测试电压是否适合; (k)如果所述第二测试电压不适合,则将所述第二测试电压更新第三量; (I)使用所述更新的第二测试电压确定所述阵列的所述线的第四驱动响应特性; (m)至少部分基于所述第四驱动响应特性确定所述更新的第二测试电压是否适合; (η)如果所述更新的第二测试电压不适合,则再次将所述第二测试电压更新第四量;及 (ο)重复步骤(l)、(m)及(η),直到在步骤(m)处,所述更新的第二测试电压适合为止。9.根据权利要求7所述的方法,其中所述阵列为显示元件阵列,且在步骤(a)及(d)前将图像数据写入到所述阵列。10.根据权利要求8所述的方法,其中所述阵列为显示元件阵列,且在步骤(a)、(d)、(i)及(1)前将图像数据写入到所述阵列。11.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:威廉默斯·约翰内斯·罗伯特斯·范利尔,艾伦·刘易斯,库罗什·阿弗拉托尼,巴莫德·瓦尔马,拉梅什·库马尔·戈埃尔,菅原奈央,
申请(专利权)人:高通MEMS科技公司,
类型:
国别省市:
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