一种高韧性多孔SiC陶瓷复杂零件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高韧性多孔SiC陶瓷复杂零件的制备方法，采用光固化快速成型技术制造复杂零件的树脂模具，通过高残碳树脂浆料注型、固化和热解制造出多孔碳预制体，采用硅-碳反应烧结、高温真空排硅等技术方法制造出多孔SiC复杂零件，最后通过微波加热法制备基体孔隙内部SiC纳米线，实现增韧目的。该方法具有自由成型复杂结构、孔径均匀可控、高比表面积、高断裂韧性、耐高温抗氧化等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高韧性多孔SiC陶瓷复杂零件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）采用光固化快速成型方法制造复杂零件的负型模具；2）将酚醛树脂与造孔剂按50:（65～100）质量比混合均匀，得到树脂浆料；3）在树脂浆料中加入固化剂，真空条件下搅拌排气后注入负型模具内，待酚醛树脂完全固化后，化学腐蚀去除光固化树脂模具，得到固化的树脂零件原型；4）将固化后的树脂零件原型以1.5～2℃/min升温速率升至750～800℃，保温3～10h完成树脂碳化，得到多孔碳预制体；5）将多孔碳预制体周围放置硅粒后，在真空环境下于1300～1600℃下进行硅?碳反应，硅?碳反应完成后继续升温至1700～1800℃，抽真空排硅后，随炉冷却得到SiC陶瓷基零件；6）真空环境下，将SiC陶瓷基零件浸入到纳米碳?二氧化硅溶胶或纳米硅?酚醛树脂溶胶中，在20～30MPa压力和毛细管力共同作用下将溶胶压入SiC陶瓷基零件孔隙中，在60～160℃真空干燥12～24h后，采用微波加热碳热还原法在SiC陶瓷基零件内部制备SiC纳米线；7）SiC纳米线制备完成后，去除SiC陶瓷基零件内残留的碳、硅和二氧化硅，得到SiC纳米线增韧的多孔SiC陶瓷复杂零件。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁中良，李涤尘，陆峰，曹继伟，王嵽显，卢秉恒，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：