一种无边缘效应的中心回线TEM全期真电阻率计算方法技术

本发明专利技术公开了一种无边缘效应的中心回线TEM全期真电阻率计算方法，从载流点微元的圆形回线电场公式出发，根据电场、磁场、感生电动势之间的关系、解决了中心点外场点解析求解困难的问题；根据电阻率勘探中的相对概念，应用大宗量Bessel函数的渐进式，解决了含Bessel函数积分的计算问题。本发明专利技术包括以下步骤：获得任意场点感生电动势解析表达式的步骤；获得任意场点单Bessel函数的感生电动势解析表达式的步骤；将任意场点单Bessel函数的感生电动势解析公式代入反演程序，获得无边缘效应的中心回线TEM真电阻率的步骤。该方法从根本上消除了边缘效应的影响，提高了对地下地质结构的正判率，可应用于中心回线TEM资料的处理与解释，提高解释精度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种无边缘效应的中心回线TEM全期真电阻率计算方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一，获得中心回线TEM任意场点垂直磁场解析表达式在圆柱坐标系中，当回线中点与坐标原点重合时，大地表面上中心回线TEM电场Eθ的频率域表达式为Eθ(r,ω)=-jωμ0I(ω)a∫0∞Rn(λ,ω)J1(λa)J1(λr)dλ---(1)式中r为地面上一点到坐标原点距离；ω＝2πf为圆频率，其中f为频率；μ0＝4π×10?7H/m为非磁性大地磁导率；I为发射电流，a为...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：闫述，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：