一种实现宽带光隔离的一维磁光子晶体制造技术

一种实现宽带光隔离的一维磁光子晶体，其基本组元S0的结构式是：[H/L]2/M/[L/H]5/M/[H/L]2/M/[L/H]2/M/[H/L]5/M/[L/H]2；其中：H是硅，L是二氧化硅，M是掺铈钇铁石榴石；其第一复合结构S1=S0/M/S0；第二复合结构S2=S0/M/S0/M/S0。本发明专利技术复合结构减少了膜层总层数，降低了制备难度，提高光隔离器工作的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种实现宽带光隔离的一维磁光子晶体，其特征在于：所述一维磁光子晶体的基本组元S0的结构式如下：??[H/L]2/M/[L/H]5/M/[H/L]2/M/[L/H]2/M/[H/L]5/M/[L/H]2；其中：H是硅，L是二氧化硅，M是掺铈钇铁石榴石；其第一复合结构S1=?S0/M/S0；第二复合结构S2=S0/M/S0/M/S0。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：费宏明，刘欣，杨毅彪，陈智辉，武建加，李琳，
申请(专利权)人：太原理工大学，
类型：发明
国别省市：