具有被吡啶基取代的噻二唑环结构的化合物和有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术的目的是提供一种具有优异特性的有机化合物（其具有优异的电子注入/输送性能和空穴阻挡性能，并且在处于薄膜状态时具有高的稳定性）作为具有高效率和高耐久性的有机EL器件的材料，本发明专利技术还提供一种使用所述化合物的具有高效率和高耐久性的有机EL器件。本发明专利技术涉及一种由通式（1）代表的具有被取代的吡啶基取代的噻二唑环结构的化合物，以及一种有机EL器件，所述有机EL器件具有一对电极和至少一个夹置于其间的有机层，其中至少一个所述有机层含有所述化合物作为其组成材料。[化学式1]

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种由下列通式（1）代表的具有被取代的吡啶基取代的噻二唑环结构的化合物，其中Ar代表取代或未取代的芳族烃基、取代或未取代的芳杂环基、或取代或未取代的稠合多环芳基；R1、R2、R3、R4和R5中之一为连接基团，其余的可以相同或不同且各自代表氢原子、氟原子、氰基、烷基、或取代或未取代的芳族烃基；R6、R7、R8、R9和R10中的两个为连接基团，其余的可以相同或不同且各自代表氢原子、氟原子、氰基、烷基、或取代或未取代的芳族烃基；m代表1至3的整数；并且n为0，条件是排除这样的情况，其中R1、R2、R3、R4和R5中除了连接基团以外的所有四个基团均为氢原子。FDA00002279630100011.j...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：横山纪昌，秋贞徹，草野重，
申请(专利权)人：保土谷化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：