屏蔽电缆制造技术

本发明专利技术公开了一种屏蔽电缆(2202)，所述屏蔽电缆(2202)包括沿着所述电缆的长度延伸并沿着所述电缆的宽度彼此间隔开的多个导体组(2204a、2204b)。每一个导体组(2204a、2204b)包括一个或多个绝缘导体(2206a、2206b)以及设置在所述电缆的相对的第一侧和第二侧上的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜(2208)。所述第一膜和第二膜(2208)包括覆盖部分(2207)和压紧部分(2209)。电缆(2202)还包括EMI吸收层(2250)。所述第一和第二屏蔽膜的所述第一覆盖部分之间的最大间距为D。所述第一和第二绝缘导体(2206a、2206b)之间的区域中的所述第一和第二屏蔽膜(2208)的所述第一压紧部分(2209)之间的最小间距为d2。d2/D大于0.33。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术整体涉及包括一个或多个EMI吸收层的电缆。
技术介绍
用于传输电信号的电缆是众所周知的。一种通用型的电缆是同轴电缆。同轴电缆通常包括由绝缘体围绕的电导线。导线和绝缘体由屏蔽件所围绕，并且导线、绝缘体和屏蔽件被护套围绕。另一种通用型的电缆是包括一个或多个例如由金属箔形成的屏蔽层围绕的绝缘信号导体的屏蔽电缆。
技术实现思路
一般来讲，本专利技术涉及屏蔽电缆。在一个实施例中，屏蔽电缆包括多个导体组，该多个导体组沿着电缆的长度延伸并且沿着电缆的宽度彼此间隔开。每一个导体组包括一个或多个绝缘导体；以及设置在电缆的相对的第一和第二侧上的第一和第二屏蔽膜。第一膜和第二膜包括覆盖部分和压紧部分，这些部分经布置使得在横截面中，该第一膜和该第二膜的覆盖部分结合起来基本上围绕每一个导体组，并且该第一膜和该第二膜的压紧部分结合起来在每一个导体组的每一侧上形成电缆的压紧部分。每个导体组还包括设置在电缆第一侧上的第一 EMI吸收层；以及在电缆的压紧部分中将第一屏蔽膜粘合到第二屏蔽膜上的第一粘合剂层。该多个导体组包括第一导体组，该第一导体组包括相邻的第一绝缘导体和第二绝缘导体，并具有第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的对应第一覆盖部分以及在第一导体组的一侧上形成电缆的第一压紧区域的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的对应第一压紧部分；该第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆盖部分之间的最大间距为D。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一压紧部分之间的最小间距为屯。d/D小于0.25。在第一绝缘导体和第二绝缘导体之间的区域中，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆盖部分之间的最小间距为d2。d2/D大于0.33。在一些情况下,d/D小于0.1。在一些情况下，第一 EMI吸收层设置在第一屏蔽膜与多个导体组之间。在一些情况下，第一屏蔽膜设置在第一 EMI吸收层与多个导体组之间。在一些情况下，电缆还包括设置在电缆的第二侧上的第二 EMI吸收层。在另一个实施例中，屏蔽电缆包括多个导体组，该多个导体组沿着电缆的长度延伸并沿着电缆的宽度彼此间隔开。每一个导体组包括一个或多个绝缘导体；以及设置在电缆的相对的第一侧和第二侧上的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜。第一膜和第二膜包括覆盖部分和压紧部分，这些部分经布置使得在横截面中，该第一膜和该第二膜的覆盖部分结合起来基本上围绕每一个导体组，并且该第一膜和该第二膜的压紧部分结合起来在每一个导体组的每一侧上形成电缆的压紧部分。每个导体组还包括设置在电缆第一侧上的第一 EMI吸收层；以及在电缆的压紧部分中将第一屏蔽膜粘合到第二屏蔽膜上的第一粘合剂层。多个导体组包括第一导体组，该第一导体组包括相邻的第一绝缘导体和第二绝缘导体，并具有第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的对应第一覆盖部分以及在第一导体组的一侧上形成第一压紧电缆部分的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的对应第一压紧部分。该第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆盖部分之间的最大间距为D。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一压紧部分之间的最小间距为屯。(V!)小于0.25。第一绝缘导体相对于第二绝缘导体的高频电隔离基本上小于第一导体组相对于相邻的导体组的高频电隔离。在一些情况下,Cl1/!)小于0.1。在一些情况下，第一绝缘导体相对于第二导体的高频隔离为在3至15GHz的指定频率范围和I米的长度下的第一远端串扰Cl，第一导体组相对于相邻的导体组的高频隔离为指定频率下的第二远端串扰C2，并且C2比Cl低至少10dB。在一些情况下，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的覆盖部分组合起来通过包围每一个导体组的周边的至少70%而基本上围绕每一个导体组。 在另一个实施例中，屏蔽电缆包括多个导体组，该多个导体组沿着电缆的长度延伸并沿着电缆的宽度彼此间隔开。每一个导体组包括一个或多个绝缘导体；以及第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，该第一屏蔽膜和第二屏蔽膜包括同心部分、压紧部分和过渡部分，该同心部分、该压紧部分和该过渡部分被布置为使得在横截面中，同心部分与每一个导体组的一个或多个末端导体基本上同心，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的压紧部分组合起来在导体组的两侧上形成电缆的压紧部分，并且过渡部分提供同心部分与压紧部分之间的逐渐过渡。每一个导体组还包括设置在该多个导体组上的第一 EMI吸收层。每一个屏蔽膜包括导电层。过渡部分中的第一过渡部分靠近该一个或多个末端导体中的第一末端导体，并具有横截面积A1，该面积被定义为第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的导电层、同心部分与靠近第一末端导体的压紧部分中的第一压紧部分之间的区域。A1小于第一末端导体的横截面积。每一个屏蔽膜的横截面可以用沿着电缆宽度变化的曲率半径来表征。在电缆的整个宽度上每一个屏蔽膜的曲率半径为至少100微米。在一些情况下，横截面积A1包括第一压紧部分的边界作为一条边界。该边界由沿着第一压紧部分的位置限定，在该位置处，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜之间的间距d为在第一压紧部分处第一屏蔽膜与第二屏蔽膜之间的最小间距Cl1的约1.2至约1.5倍。在一些情况下,横截面积A1包括具有在第一屏蔽膜的拐点处的第一端点的线段作为一条边界。在一些情况下，该线段具有在第二屏蔽膜的拐点处的第二端点。在另一个实施例中，屏蔽电缆包括多个导体组，该多个导体组沿着电缆的长度延伸并沿着电缆的宽度彼此间隔开。每一个导体组包括一个或多个绝缘导体；以及第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，该第一屏蔽膜和第二屏蔽膜包括同心部分、压紧部分和过渡部分，该同心部分、该压紧部分和该过渡部分被布置为使得在横截面中，同心部分与每一个导体组的一个或多个末端导体基本上同心，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的压紧部分组合起来在导体组的两侧上形成电缆的压紧区域，并且过渡部分提供同心部分与压紧部分之间的逐渐过渡。每一个导体组还包括设置在该多个导体组上的第一 EMI吸收层。两个屏蔽膜中的一者包括同心部分中的第一同心部分、压紧部分中的第一压紧部分，以及过渡部分中的第一过渡部分。第一过渡部分将第一同心部分连接至第一压紧部分。第一同心部分具有曲率半径R1，过渡部分具有曲率半径A。札/^在〗至15范围内。附图说明·结合附图考虑对本专利技术的各种实施例所做的以下详细描述将有利于更完整地理解和体会本专利技术，其中:图1为屏蔽电缆的示例性实施例的透视图；图2a_2g为屏蔽电缆的七个示例性实施例的正面剖视图；图3a_3d为屏蔽电缆的四个其他示例性实施例的正面剖视图；图4a_4c为屏蔽电缆的三个其他示例性实施例的正面剖视图；图5a_5e和图5f_5g分别为示出制备屏蔽电缆的示例性方法的透视图和正面剖视图；图6a_6c为示出制备屏蔽电缆的示例性方法的细节的正面剖视图；图7a_7b分别为根据本专利技术的方面的屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视图和对应的细部图；图8a_8b为根据本专利技术的方面的屏蔽电缆的两个其他示例性实施例的正面剖视图；图9a_9b为屏蔽电缆的两个其他示例性实施例的正面剖视图」图1Oa-1Oc为屏蔽电缆的三个其他示例性实施例的正面剖视图；图1la-1lg为示出屏蔽电缆的平行部分的七个示例性实施例的正面剖视细部图；图12a_12b为屏蔽电缆的平行部分的另一个示例性实施例的正面剖视细部图；图13为成弯曲构型的屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视细部图；图14为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视细部图；图15a_15f为示出屏蔽电缆的平行部分的六个其他本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：道格拉斯·B·贡德尔，
申请(专利权)人：三M创新有限公司，
类型：
国别省市：