磁敏电阻特性实验仪制造技术

一种磁敏电阻特性实验仪涉及教学仪器，特别是一种磁敏电阻特性的测量仪器。一种磁敏电阻特性实验仪，其特征在于包括：电磁铁，电源，磁敏电阻，万用表，温度传感器，温度表；电源连接到电磁铁，万用表连接到磁敏电阻，磁敏电阻放在电磁铁中间；温度传感器与电磁铁相距1至5厘米，温度表连接到温度传感器。通过调节电源，改变电磁铁空隙的磁场强度，研究磁敏电阻阻值与磁场强度的关系。本实用新型专利技术简单，通过调节电源，改变电磁铁空隙的磁场强度，研究磁敏电阻阻值与磁场强度的关系。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

:本技术涉及教学仪器，特别是ー种磁敏电阻特性的测量仪器。技术背景:磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应制造的，常用InSb (锑化铟)材料加工而成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应。其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。在ー个长方形半导体InSb片中，沿长度方向有电流通过时，若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场，半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。这种现象就称为物理磁阻效应
技术实现思路
:本技术的目的是制作一种实验教学仪器，用来磁敏电阻的特性研究。本专利技术采用如下技术方案:ー种磁敏电阻特性实验仪，其特征在于:包括:电磁鉄，电源，磁敏电阻，万用表，温度传感器，温度表。电源连接到电磁铁，万用表连接到磁敏电阻，磁敏电阻放在电磁铁中间；温度传感器与电磁铁相距I至5厘米，温度表连接到温度传感器。通过调节电源，改变电磁铁空隙的磁场强度，研究磁敏电阻阻值与磁场强度的关系。本技术的优点:可以快速简单地研究磁敏电阻的阻值随磁场强度变化的特性。附图说明:图1为本技术的结构示意图。图中:1、电磁铁,2、磁敏电阻,3、万用表,4、电源,5、温度传感器,6、温度表。具体实施方式:电源4连接到电磁铁1，万用表3连接到磁敏电阻2，温度传感器5与电磁铁I紧贴，温度表6连接到温度传感器5。如图1所示，给电源4供电，万用表3的电阻功能測量磁敏电阻2的阻值，调节电源4供给电磁铁I的电流(从零开始，从小到大)，从电源4上可以看到电流的大小，记录不同供电电流和对应的磁敏电阻2的阻值。使用特斯拉计测量磁敏电阻处的磁场强度，核定仪器的磁场强度系数，研究磁敏电阻的阻值与所处磁场強度的关系。温度表6通过温度传感器5測量出实验环境温度，确定磁敏电阻的测量的温度条件。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁敏电阻特性实验仪，其特征在于包括：电磁铁，电源，磁敏电阻，万用表，温度传感器，温度表； 电源连接到电磁铁，万用表连接到磁敏电阻，磁敏电阻放在电磁铁中间；温度传感器与电磁铁相距1至5厘米，温度表连接到温度传感器；通过调节电源，改变电磁铁空隙的磁场强度，研究磁敏电阻阻值与磁场强度的关系。

【技术特征摘要】
1.ー种磁敏电阻特性实验仪，其特征在于包括:电磁鉄，电源，磁敏电阻，万用表，温度传感器，温度表； 电源连接到电磁铁，万用表连接到磁敏电阻，磁敏电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：王吉有，庞天奇，王剑波，段苹，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：新型
国别省市：北京;11