存储器存取方法及应用该方法的闪存技术

本发明专利技术公开了一种存储器存取方法及应用该方法的闪存，用以针对存储器阵列进行存取。存储器阵列中的多个存储单元排列为多个存储单元串，其受控于列选择(String Select)信号。存储器存取方法包括下列步骤。在设定期间中，找出选择存储单元串及其上的选择存储单元；将存储器阵列中其余的存储单元偏压为导通传输晶体管；及提供放电路径来消除未选择存储单元串上的耦合电荷。在读取期间中使选择存储单元串经由金属位线(Metal Bit Line)连接至感测单元，并经由电压感测机制(Voltage Sensing Scheme)来针对选择存储单元串上的选择存储单元进行读取，其中读取期间不与设定期间重叠(Overlapped)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种存储器存取方法，且特别是有关于一种应用于闪存阵列中的存储器存取方法。
技术介绍
在科技发展日新月异的现今时代，非易失性存储器装置被广泛地应用在多种电子产品中；举例来说，闪存为最为广泛使用的非易失性存储器之一。一般来说，闪存中的存储单元具有可编程的阈值电压，此可编程的阈值电压是用以指示此存储单元中储存的数据数值。随着高储存容量闪存的需求与日俱增，具有三维结构的闪存阵列已被开发出来。然而，传统存储器存取方法往往会面临数据存取精确度问题。据此，如何设计出可克服传统方法所面临的数据存取不精确的问题，为业界不断致力的方向之一。
技术实现思路
本专利技术有关于一种存储器存取方法，其是应用于存储器控制器中，以针对存储器阵列进行存取，其中存储器阵列包括多个存储单元，此多个存储单元被排列成多个存储单元串，由列选择(String Select)信号来进行控制。本专利技术相关的存储器存取方法首先在设定期间中提供存储单元串偏压信号及选择字线(Word-line)信号，以决定选择存储单元串上的选择存储单元；在设定期间中，本专利技术相关的存储器存取方法更将存储器阵列中其余的存储单元偏压为导通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器存取方法，应用于一存储器控制器中，以针对一存储器阵列进行存取，其中该存储器阵列中的多个存储单元排列为多个存储单元串，该多个存储单元串是由一列选择(String Select)信号来进行控制，该存储器存取方法包括：在一设定期间中，提供一存储单元串偏压信号至该多个存储单元串中的一选择存储单元串，并提供一选择字线(Word‑line)信号至该选择存储单元串中的一选择存储单元；在该设定期间中，提供多个未选择字线信号至该存储器阵列中其余的存储单元，以使其被偏压为导通传输晶体管(Pass Transistor)；在该设定期间中，提供一放电路径连接至该多个存储单元串，以消除该多个存储单元串中至少一...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈重光，洪硕男，洪俊雄，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71