薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够减少制作LTPS-TFT所需的光刻掩膜工艺的次数，缩短研发和大规模量产的时间，降低工艺复杂度和监控难度，并降低制作成本。本发明专利技术的薄膜晶体管包括：基板；设置于所述基板上的有源层及存储电容下电极，所述有源层的重掺杂区域与所述存储电容下电极的材料相同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的不断进步，用户对显示装置的需求不断增加，TFT-1XD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)也在手机、液晶显示器、平板电脑等产品中得到了广泛的应用。此外，随着显示装置的不断普及，人们对于显示装置的色彩质量、对比度、可视角度、响应速度、低功耗的需求也日益增长，于是，OLED (Organic Light-Emitting Diode,薄膜场效应晶体管有机发光二极管)显示器也开始逐渐进入了用户的视野。LTPS-TFT(Low Temperature Polycrystal line Silicon-ThinFilm Transistor,低温多晶硅薄膜场效应晶体管)由于其低温多晶硅的原子排列规则、迁移率高、器件尺寸小且驱动能力高等优点，被广泛用于高分辨率的TFT-LCD和电流型驱动的TFT-OLED中。但是，现有技术在制作LTPS-TFT时，由于需要准分子激光晶化、离子注入、掺杂粒子激活等工艺，通常需要进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成对应于有源层区域及存储电容下电极区域的多晶硅层；采用一次构图工艺和一次掺杂工艺形成有源层重掺杂区和存储电容下电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘政，任章淳，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11