一种高压倍加器的中子准直系统技术方案

本发明专利技术属于中子物理技术领域，公开了一种高压倍加器的中子准直系统。该系统是由屏蔽体、通道、通道内准直器及探测器组成。在高压倍加器大厅的屏蔽体上开一个通道，通道内置有准直器，探测器位于实验大厅内与通道水平的方向上对样品出射中子束进行飞行时间谱测量。采用该系统能够屏蔽漫散射中子、提高效应本底比、准直中子束及实现多角度飞行时间谱的同时测量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于中子物理
，具体涉及一种高压倍加器的中子准直系统。
技术介绍
中子积分实验一般是在600kV高压倍加器大厅内进行在线测量，探测器和样品都位于高压倍加器大厅内。由于高压倍加器大厅内辐射场非常复杂，特别是脉冲中子源距离地面和墙面近，以及厅内摆放大量不易挪动的物品，会产生大量多次漫散射中子，形成较高的本底。由于探测器位于高压倍加器大厅内，对样品出射中子束所张的立体角过大，探测器接受较多漫散射中子的信号，这将严重影响其对样品出射中子束的飞行时间谱测量。图1显示了大厅内有样品、无样品和效应的飞行时间谱。图中显示在350道以下(按能量算3 4MeV)无样品本底谱已经接近甚至超过效应谱了，这将给实验结果带来很大误差。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在的问题，提供了一种高压倍加器的中子准直系统，采用该系统能够屏蔽漫散射中子、提高效应本底比、准直中子束、实现多角度飞行时间谱的同时测量。为了解决上述问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的:一种高压倍加器的中子准直系统，如图2所示，该系统是由屏蔽体、通道、通道内准直器及探测器组成。关键在于，在高压倍加器大厅的屏蔽体上开一个通道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压倍加器的中子准直系统，包括屏蔽体、通道、通道内准直器及探测器，其特征在于：在高压倍加器大厅的屏蔽体上开一个通道，通道内置有准直器，探测器位于实验大厅内对样品出射中子束进行测量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍杰，辛标，阮锡超，周祖英，唐洪庆，聂阳波，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11