用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液和使用该处理液的微细结构体的制造方法技术

本发明专利技术提供一种用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其含有选自具有碳原子数12、碳原子数14或碳原子数16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或碳原子数16的烷基的吡啶鎓卤化物和具有碳原子数16或碳原子数18的烷基的卤化铵中的至少一种及水。另外，本发明专利技术还提供一种使用该处理液的由氧化硅形成的微细结构体的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液以及使用该处理液的微细结构体的制造方法。
技术介绍
以往，作为在半导体器件、电路基板等这样的广泛的领域中使用的具有微细结构的元件的形成和加工方法，使用了光刻技木。该领域中，伴随着要求性能的高度化，半导体器件等的小型化、高集成化或高速化显著进行，光刻中使用的抗蚀图案日趋微细化，另外高宽比(aspect ratio)日趋增加。但是，随着这样的微细化等的进行，抗蚀图案的倒塌成为很大的问题。已知抗蚀图案的倒塌是如下产生的:使抗蚀图案显影后的湿处理(主要是用于冲洗显影液的冲洗处理)中使用的处理液从该抗蚀图案干燥吋，由于该处理液的表面张カ引起的应カ发挥作用而产生抗蚀图案的倒塌。因此，为了解决抗蚀图案的倒塌，提出了下述方法:通过使用了非离子性表面活性剤、醇系溶剂可溶性化合物等的低表面张カ的液体替换洗涤液并进行干燥的方法(例如，參照专利文献I和2)，使抗蚀图案的表面疏水化的方法(例如，參照专利文献3)等。然而，使用光刻技术形成的金属、金属氮化物或金属氧化物、氧化硅、硅等所形成的微细结构体(不包括抗蚀层。只要没有特殊记述，以下相同)中，形成结构体的材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.08 JP 2010-2007831.一种用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其是用于抑制由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液，所述处理液含有选自具有碳原子数12、碳原子数14或碳原子数16的烷基的咪唑鎗卤化物、具有碳原子数14或碳原子数16的烷基的吡啶鎗卤化物和具有碳原子数16或碳原子数18的烷基的卤化铵中的至少ー种及水。2.根据权利要求1所述的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，碳原子数12的烷基为十二烷基，碳原子数14的烷基为十四烷基，碳原子数16的烷基为十六烷基，碳原子数18的烧基为十ノ V烧基。3.根据权利要求1所述的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，咪唑鎗卤化物为选自1_十二烧基_3_甲基氯化咪唑鐵、1-十四烧基-3-甲基氯化咪唑鐵和1-十六烧基-3-甲基氯化咪唑鎗中的I种以上。4.根据权利要求1所述的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，吡啶鎗卤化物为选自...

【专利技术属性】
技术研发人员：松永裕嗣，大户秀，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：
国别省市：