用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液和使用该处理液的微细结构体的制造方法技术

本发明专利技术提供一种用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其含有选自具有碳原子数12、碳原子数14或碳原子数16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或碳原子数16的烷基的吡啶鎓卤化物和具有碳原子数16或碳原子数18的烷基的卤化铵中的至少一种及水。另外，本发明专利技术还提供一种使用该处理液的由氧化硅形成的微细结构体的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液以及使用该处理液的微细结构体的制造方法。
技术介绍
以往，作为在半导体器件、电路基板等这样的广泛的领域中使用的具有微细结构的元件的形成和加工方法，使用了光刻技木。该领域中，伴随着要求性能的高度化，半导体器件等的小型化、高集成化或高速化显著进行，光刻中使用的抗蚀图案日趋微细化，另外高宽比(aspect ratio)日趋增加。但是，随着这样的微细化等的进行，抗蚀图案的倒塌成为很大的问题。已知抗蚀图案的倒塌是如下产生的:使抗蚀图案显影后的湿处理(主要是用于冲洗显影液的冲洗处理)中使用的处理液从该抗蚀图案干燥吋，由于该处理液的表面张カ引起的应カ发挥作用而产生抗蚀图案的倒塌。因此，为了解决抗蚀图案的倒塌，提出了下述方法:通过使用了非离子性表面活性剤、醇系溶剂可溶性化合物等的低表面张カ的液体替换洗涤液并进行干燥的方法(例如，參照专利文献I和2)，使抗蚀图案的表面疏水化的方法(例如，參照专利文献3)等。然而，使用光刻技术形成的金属、金属氮化物或金属氧化物、氧化硅、硅等所形成的微细结构体(不包括抗蚀层。只要没有特殊记述，以下相同)中，形成结构体的材料自身的強度比抗蚀图案自身的強度高或比抗蚀图案与基材的接合強度高，因此与抗蚀图案相比，该结构体图案的倒塌不易发生。但是，随着半导体装置、微机械的小型化、高集成化、或高速化进ー步发展，由于该结构体的图案的微细化、以及高宽比的増加，该结构体的图案的倒塌逐渐成为很大的问题。因此，为了解决这些微细结构体图案的倒塌，提出了使用界面活性剤形成疏水性保护膜的方法(例如，參照专利文献4)。然而，没有具体记载有关界面活性剤的种类(非离子型、阴离子型、阳离子型)、产品名称、浓度等。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2004-184648号公报专利文献2:日本特开2005-309260号公报专利文献3:日本特开2006-163314号公报专利文献4:日本特开2010-114467号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题如上所述，在半导体装置、微机械这样的微细结构体(特别是由氧化硅形成的微细结构体)的领域中，实际情况是有效抑制图案的倒塌的技术尚不为人知。本专利技术是在该状况下进行的，其目的在于提供一种能够抑制半导体装置、微机械这样的由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液和使用该处理液的微细结构体的制造方法。用于解决问题的方案本专利技术人为了实现上述目的进行了反复深入的研究，结果发现，通过ー种处理液可以达成其目的，所述处理液含有具有碳原子数12、碳原子数14、碳原子数16的烷基的咪唑鎗卤化物、具有碳原子数14、碳原子数16的烷基的吡啶鎗卤化物、具有碳原子数16、碳原子数18的烷基的卤化铵中的至少ー种。本专利技术是基于上述见解完成的专利技术。即本专利技术的要g如下所述。1.一种用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其是用于抑制由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液，所述处理液含有选自具有碳原子数12、碳原子数14或碳原子数16的烷基的咪唑鎗卤化物、具有碳原子数14或碳原子数16的烷基的吡啶鎗卤化物和具有碳原子数16或碳原子数18的烷基的卤化铵中的至少ー种及水。2.根据第I项记载的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，碳原子数12的烷基为十二烷基、碳原子数14的烷基为十四烷基、碳原子数16的烷基为十六烷基、碳原子数18的烧基为十ノ V烧基。3.根据第I项记载的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，咪唑鎗卤化物为选自1_十二烧基_3_甲基氯化咪唑鐵、1-十四烧基-3-甲基氯化咪唑鐵和1-十六烧基-3-甲基氯化咪唑鎗中的I种以上。4.根据第I项记载的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，吡啶鎗卤化物为选自十四烧基氣化批淀鐵、十TK烧基氣化批淀鐵、1_十四烧基_4_甲基氣化批淀鐵和1_十TK烧基-4_甲基氣化卩比卩定鐵中的I种以上。5.根据第I项记载的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，卤化铵为选自十六烷基三甲基氯化铵、十八烷基三甲基氯化铵、苄基ニ甲基十六烷基氯化铵和苄基ニ甲基十八烷基氯化铵中的I种以上。6.根据第I项记载的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，咪唑鎗卤化物、吡啶鎗卤化物和卤化铵的含量为IOppm 10%。7.ー种由氧化硅形成的微细结构体的制造方法，其特征在于，在湿式蚀刻或干式蚀刻之后的洗涤エ序中，使用含有选自具有碳原子数12、碳原子数14或碳原子数16的烷基的咪唑鎗卤化物、具有碳原子数14或碳原子数16的烷基的吡啶鎗卤化物和具有碳原子数16或碳原子数18的烷基的卤化铵中的至少ー种及水的用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液。8.根据第7项记载的微细结构体的制造方法，其中，由氧化硅形成的微细结构体为半导体装置或微机械。专利技术的效果根据本专利技术，可以提供一种能够抑制半导体装置、微机械这样的由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液和使用该处理液的微细结构体的制造方法。附图说明图1是微细结构体的各制作阶段的截面示意图。具体实施例方式(用于抑制图案倒塌的处理液)本专利技术的处理液(用于抑制图案倒塌的处理液)用于抑制由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌，其含有选自具有碳原子数12、碳原子数14或碳原子数16的烷基的咪唑鎗卤化物、具有碳原子数14或碳原子数16的烷基的吡啶鎗卤化物、具有碳原子数16或碳原子数18的烷基的卤化铵中的至少ー种及水。其中，“由氧化硅形成的微细结构体”是指使用处理液处理的部分是由氧化硅形成的微细结构体。可以认为，本专利技术的处理液中使用的具有碳原子数12、碳原子数14、碳原子数16的烷基的咪唑鎗卤化物、具有碳原子数14、碳原子数16的烷基的吡啶鎗卤化物、具有碳原子数16、碳原子数18的烷基的卤化铵是与微细结构体的图案中使用的材料吸附，使该图案的表面疏水化的物质。这种情况下的疏水化是指通过本专利技术的处理液进行了处理的氧化硅的表面与水的接触角 为70°以上。优选碳原子数12的烷基为十二烷基、碳原子数14的烷基为十四烷基、碳原子数16的烷基为十六烷基、碳原子数18的烷基为十八烷基。与分枝的烷基相比，这种具有直链状的烷基的化合物可以高密度地吸附在氧化硅材料上。另外，考虑实用性时，卤素优选为氯。作为具有碳原子数12、碳原子数14、碳原子数16的烷基的咪唑鎗卤化物，可以列举出1-十二烷基-3-甲基氯化咪唑鎗、1-十二烷基-3-甲基溴化咪唑鎗、1-十二烷基-3-甲基碘化咪唑鎗、1-甲基-3-十二烷基氯化咪唑鎗、1-甲基-3-十二烷基溴化咪唑鐵、1-甲基-3-十_■烧基鹏化味!1坐鐵、1_十_■烧基甲基-3-节基氣化味！！坐鐵、1-十_.烷基-2-甲基-3-苄基溴化咪唑鎗、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基碘化咪唑鎗、1-十四烷基-3-甲基氯化咪唑鎗、1-十四烷基-3-甲基溴化咪唑鎗、1-十四烷基-3-甲基碘化咪唑鎗、1-甲基-3-十四烷基氯化咪唑鎗、1-甲基-3-十四烷基溴化咪唑鎗、1-甲基-3-十四烷基碘化咪唑鎗、1-十六烷基-3-甲基氯化咪唑鎗、1-十六烷基-3-甲基溴化咪唑鎗、1-十六烷基-3-甲基碘化咪唑鎗、1-十六烷基-4-甲基氯化咪唑鎗、1-十六烷基-4-甲基溴化咪唑鎗、1-十六烷基-4-甲基碘化咪唑鎗、1-甲基-3-十六烷基氯化咪唑鎗、1-甲基-3-十六烷基溴化咪唑鎗、1-甲基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.08 JP 2010-2007831.一种用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其是用于抑制由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液，所述处理液含有选自具有碳原子数12、碳原子数14或碳原子数16的烷基的咪唑鎗卤化物、具有碳原子数14或碳原子数16的烷基的吡啶鎗卤化物和具有碳原子数16或碳原子数18的烷基的卤化铵中的至少ー种及水。2.根据权利要求1所述的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，碳原子数12的烷基为十二烷基，碳原子数14的烷基为十四烷基，碳原子数16的烷基为十六烷基，碳原子数18的烧基为十ノ V烧基。3.根据权利要求1所述的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，咪唑鎗卤化物为选自1_十二烧基_3_甲基氯化咪唑鐵、1-十四烧基-3-甲基氯化咪唑鐵和1-十六烧基-3-甲基氯化咪唑鎗中的I种以上。4.根据权利要求1所述的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，吡啶鎗卤化物为选自...

【专利技术属性】
技术研发人员：松永裕嗣，大户秀，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：
国别省市：