【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及安装在收容固体摄像器件、激光二极管的半导体封装的前表面,保护固体摄像器件和激光二极管,并且作为透光窗使用的半导体封装用防护玻璃。特别是涉及收容CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor:互补金属氧化物半导体)等固体摄像器件的塑料封装的防护玻璃。
技术介绍
作为固体摄像器件,现在大量使用的光半导体有CCD (Charge Coupled Device:电荷耦合器件)和CMOS。CXD能够读入高精细图像,因此主要搭载在摄像机中。但近年来,图像数据处理的利用加速发展,利用范围急速扩大。尤其是多用于搭载于数字静物摄影机、手机等之中,将高精细图像转换为电子信息数据。而CMOS也被称作互补金属氧化物半导体,其与CCD相比,具有能够实现小型化,耗电量也少至五分之一的程度,并能够利用微处理器的制造工艺,因此具有设备投资的费用不会提高,能够廉价制造等优点,因此多搭载在手机、小型计算机等图像输入设备中。固体摄像器件配置在由氧化铝等陶瓷材料、金属材料、或者塑料材料形成的半导体封装内,通过各种有机树脂和低熔点玻璃构成的粘合剂 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.09 JP 2010-2016301.一种半导体封装用防护玻璃,其特征在于,以质量%计含有Si0258 75%、Al2O3L 1 20%,B2O3O 10%、Na200.1 20%,K2OO 11%、碱土金属氧化物 O 20%,在 30 380°C的温度范围内的平均热膨胀系数为90 180X 10_V°C,杨氏模量在68GPa以上,来自所述玻璃的ct射线的放射量在0.05c/cm2.hr以下。2.按权利要求1所述的半导体封装用防护玻璃,其特征在于,所述玻璃中的U含量在IOOppb以下,Th含量在200ppb以下。3.按权利要求1或2所述的半导体封装用防护玻璃,其特征在于,所述玻璃中基本上不含 ZrO2、As2O3 和 BaO。4.按权利要求1 3中任一项所述的半导体封装用防护玻璃,其特征在于,所述玻璃中的碱金属氧化物和碱土金属氧化物的合计含量为21 35质量%。5.按权利要求1 4中任一项所述的半导体封装用防护玻璃,其特征在于,所述玻璃的液相温度时的玻璃粘度在104 7dPa.s以上。6.按权利要求1 5中任一项所述的半导体封装用防护玻璃,其特征在于,所述玻璃具有未研磨表面。7.按权利要求1 6中任一项所述的半导...
【专利技术属性】
技术研发人员:驹井誉子,村田隆,淀川正弘,
申请(专利权)人:日本电气硝子株式会社,
类型:
国别省市:
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