一种三相整流拓扑电路及其控制方法、装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种三相整流拓扑电路及其控制方法、装置，该电路的控制方法包括：启动自检；其中，所述自检包括：获取扇区划分范围和采样周期；在所述采样周期内，获取三相交流输入电压Ua、Ub、Uc以及负载电压Ul?oad；根据所述扇区划分范围，确定所述三相交流输入电压的扇区；根据所述三相交流输入电压Ua、Ub、Uc，负载电压Uload以及所述确定的三相交流输入电压的扇区，控制对应的开关管导通。采用本发明专利技术提供的电路及其控制方法、装置不但可以降低电感损耗，还可以提高三相整流电路转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子
，尤其涉及一种三相整流拓扑电路及其控制方法、 装置。
技术介绍
随着电力电子技术的不断发展，三相可控整流技术成为电力电子技术的重要组成部分。现有的中低功率三相可控整流拓扑主要有三相全桥、VIENNA拓扑。该两种拓扑中，每相电流完全通过输入电感，且需要电流传感器对电流进行采样。在用现有的方案实现三相可控整流的过程中，设计人发现现有技术中存在如下问题:现有的三相全桥、VIENNA拓扑的电感通过电流较大造成其发热严重，使得电感的设计难度较大，且需要增加电流传感器，使得设计复杂度和成本增加。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种三相整流拓扑电路及其控制方法、装置。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:本专利技术提供的一种三相整流拓扑电路，包括:六只工频二极管Dl、D2、D3、D4、D5、D6，六只开关管S1、S2、S3、S4、S5、S6和三个电感LA、LB、LC ；三相交流输入端A分别与所述工频二极管Dl的阳极端、所述工频二极管D2的阴极端和所述电感LA的一端相连；所述工频二极管Dl的阴极端连接输出负载端一；所述工频二极管D2的阳极端连接输出负载端二 ；所述电感LA的另一端与所述开关管SI的E端相连；所述开关管SI的C端连接所述输出负载端一；所述开关管S2的C端与所述开关管SI的E端相连，所述开关管S2的E端连接所述输出负载端二 ；三相交流输入端B分别与所述工频二极管D3的阳极端、所述工频二极管D4的阴极端和所述电感LB的一端相连；所述工频二极管D3的阴极端连接输出负载端一；所述工频二极管D4的阳极端连接输出负载端二 ；所述电感LB的另一端与所述开关管S3的E端相连；所述开关管S3的C端连接所述输出负载端一；所述开关管S4的C端与所述开关管S3的E端相连，所述开关管S4的E端连接所述输出负载端二 ；三相交流输入端C分别与所述工频二极管D5的阳极端、所述工频二极管D6的阴极端和所述电感LC的一端相连；所述工频二极管D5的阴极端连接输出负载端一；所述工频二极管D6的阳极端连接输出负载端二 ；所述电感LC的另一端与所述开关管S5的E端相连；所述开关管S5的C端连接所述输出负载端一；所述开关管S6的C端与所述开关管S5的E端相连，所述开关管S6的E端连接所述输出负载端二。其中，所述开关管为金属氧化层半导体场效晶体管或者带有二极管的绝缘栅双极型晶体管。本专利技术提供的一种三相整流拓扑电路的控制方法，包括:启动自检；其中，所述自检包括:获取扇区划分范围和采样周期；在所述采样周期内，获取三相交流输入电压Ua、Ub、Uc以及负载电压Uload ；根据所述扇区划分范围，确定所述三相交流输入电压的扇区；根据所述三相交流输入电压Ua、Ub、Uc，负载电压Uload以及所述确定的三相交流输入电压的扇区，控制对应的开关管导通。本专利技术提供的一种三相整流拓扑电路的控制装置，包括:自检单元，用于启动自检；其中，所述自检包括:获取扇区划分范围和采样周期； 采样单元，用于在所述采样周期内，获取三相交流输入电压Ua、Ub、Uc以及负载电压 Uload ；扇区确定单元，用于根据所述扇区划分范围，确定所述三相交流输入电压的扇区；控制单元，用于根据所述三相交流输入电压Ua、Ub、Uc，负载电压Uload以及所述确定的三相交流输入电压的扇区，控制对应的开关管导通。本专利技术实施例提供的一种三相整流拓扑电路及其控制方法、装置，通过三相交流输入端A分别与所述工频二极管Dl的阳极端、所述工频二极管D2的阴极端和所述电感LA的一端相连；所述工频二极管Dl的阴极端连接输出负载端一；所述工频二极管D2的阳极端连接输出负载端二 ；所述电感LA的另一端与所述开关管SI的E端相连；所述开关管SI的C端连接所述输出负载端一；所述开关管S2的C端与所述开关管SI的E端相连，所述开关管S2的E端连接所述输出负载端二 ；三相交流输入端B分别与所述工频二极管D3的阳极端、所述工频二极管D4的阴极端和所述电感LB的一端相连；所述工频二极管D3的阴极端连接输出负载端一；所述工频二极管D4的阳极端连接输出负载端二 ；所述电感LB的另一端与所述开关管S3的E端相连；所述开关管S3的C端连接所述输出负载端一；所述开关管S4的C端与所述开关管S3的E端相连，所述开关管S4的E端连接所述输出负载端二 ；三相交流输入端C分别与所述工频二极管D5的阳极端、所述工频二极管D6的阴极端和所述电感LC的一端相连；所述工频二极管D5的阴极端连接输出负载端一；所述工频二极管D6的阳极端连接输出负载端二 ；所述电感LC的另一端与所述开关管S5的E端相连；所述开关管S5的C端连接所述输出负载端一；所述开关管S6的C端与所述开关管S 5的E端相连，所述开关管S6的E端连接所述输出负载端二。采用本专利技术不但可以降低电感损耗，还可以提高三相整流电路转换效率。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种二相整流拓扑电路图；图2为本专利技术实施例提供的一种三相整流拓扑电路的控制方法流程图；图3为本专利技术实施例提供的一种三相整流拓扑电路的三相输入端的相电压以及扇区划分示意图；图4为本专利技术实施例提供的一个开关周期内电感开关电流不意图5为本专利技术实施例提供的一种三相整流拓扑电路的控制装置结构示意图。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术实施例提供的一种三相整流拓扑电路及其控制方法、装置进行详细描述。如图1所不，为本专利技术实施例提供的一种二相整流拓扑电路图；所述二相整流拓扑电路包括:六只工频二极管Dl、D2、D3、D4、D5、D6，六只开关管S1、S2、S3、S4、S5、S6和三个电感LA、LB、LC ；三相交流输入端A分别与所述工频二极管Dl的阳极端、所述工频二极管D2的阴极端和所述电感LA的一端相连；所述工频二极管Dl的阴极端连接输出负载端一；所述工频二极管D2的阳极端连接输出负载端二 ；所述电感LA的另一端与所述开关管SI的E端相连；所述开关管SI的C端连接所述输出负载端一；所述开关管S2的C端与所述开关管SI的E端相连，所述开关管S2的E端连接所述输出负载端二 ；三相交流输入端B分别与所述工频二极管D3的阳极端、所述工频二极管D4的阴极端和所述电感LB的一端相连；所述工频二极管D3的阴极端连接输出负载端一；所述工频二极管D4的阳极端连接输出负载端二 ；所述电感LB的另一端与所述开关管S3的E端相连；所述开关管S3的C端连接所述输出负载端一；所述开关管S4的C端与所述开关管S3的E端相连，所述开关管S4的E端连接所述输出负载端二 ；三相交流输入端C分别与所述工频二极管D5的阳极端、所述工频二极管D6的阴极端和所述电感LC的一端相连；所述工频二极管D5的阴极端连接输出负载端一；所述工频二极管D6的阳极端连接输出负载端二 ；所述电感LC的另一端与所述开关管S5的E端相连；所述开关管S5的C端连接所述输出负载端一；所述开关管S6的C端与所述开关管S5的E端相连，所述开关管S6的E端连接所述输出负载端二。其中，所述开关管为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,金属氧化层半导体场效晶体管)或者带有二极管的IGBT(Insulated GateBipo本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三相整流拓扑电路，其特征在于，包括：六只工频二极管D1、D2、D3、D4、D5、D6，六只开关管S1、S2、S3、S4、S5、S6和三个电感LA、LB、LC；三相交流输入端A分别与所述工频二极管D1的阳极端、所述工频二极管D2的阴极端和所述电感LA的一端相连；所述工频二极管D1的阴极端连接输出负载端一；所述工频二极管D2的阳极端连接输出负载端二；所述电感LA的另一端与所述开关管S1的E端相连；所述开关管S1的C端连接所述输出负载端一；所述开关管S2的C端与所述开关管S1的E端相连，所述开关管S2的E端连接所述输出负载端二；三相交流输入端B分别与所述工频二极管D3的阳极端、所述工频二极管D4的阴极端和所述电感LB的一端相连；所述工频二极管D3的阴极端连接输出负载端一；所述工频二极管D4的阳极端连接输出负载端二；所述电感LB的另一端与所述开关管S3的E端相连；所述开关管S3的C端连接所述输出负载端一；所述开关管S4的C端与所述开关管S3的E端相连，所述开关管S4的E端连接所述输出负载端二；三相交流输入端C分别与所述工频二极管D5的阳极端、所述工频二极管D6的阴极端和所述电感LC的一端相连；所述工频二极管D5的阴极端连接输出负载端一；所述工频二极管D6的阳极端连接输出负载端二；所述电感LC的另一端与所述开关管S5的E端相连；所述开关管S5的C端连接所述输出负载端一；所述开关管S6的C端与所述开关管S5的E端相连，所述开关管S6的E端连接所述输出负载端二。...

【技术特征摘要】
1.一种三相整流拓扑电路，其特征在于，包括:六只工频二极管01、02、03、04、05、06，六只开关管S1、S2、S3、S4、S5、S6和三个电感LA、LB、LC ； 三相交流输入端A分别与所述工频二极管Dl的阳极端、所述工频二极管D2的阴极端和所述电感LA的一端相连； 所述工频二极管Dl的阴极端连接输出负载端一；所述工频二极管D2的阳极端连接输出负载端二 ；所述电感LA的另一端与所述开关管SI的E端相连；所述开关管SI的C端连接所述输出负载端一；所述开关管S2的C端与所述开关管SI的E端相连，所述开关管S2的E端连接所述输出负载端二； 三相交流输入端B分别与所述工频二极管D3的阳极端、所述工频二极管D4的阴极端和所述电感LB的一端相连； 所述工频二极管D3的阴极端连接输出负载端一；所述工频二极管D4的阳极端连接输出负载端二 ；所述电感LB的另一端与所述开关管S3的E端相连；所述开关管S3的C端连接所述输出负载端一；所述开关管S4的C端与所述开关管S3的E端相连，所述开关管S4的E端连接所述输出负载端二； 三相交流输入端C分别与所述工频二极管D5的阳极端、所述工频二极管D6的阴极端和所述电感LC的一端相连； 所述工频二极管D5的阴极端连接输出负载端一；所述工频二极管D6的阳极端连接输出负载端二 ；所述电感LC的另一端与所述开关管S5的E端相连；所述开关管S5的C端连接所述输出负载端一；所述开关管S6的C端与所述开关管S5的E端相连，所述开关管S6的E端连接所述输出负载端二。2.根据权利要求1所述的三相整流拓扑电路，其特征在于，所述开关管为金属氧化层半导体场效晶体管或者带 有二极管的绝缘栅双极型晶体管。3.一种三相整流拓扑电路的控制方法，其特征在于，该方法包括: 启动自检；其中，所述自检包括:获取扇区划分范围和采样周期； 在所述采样周期内，获取三相交流输入电压Ua、Ub、Uc以及负载电压Uload ； 根据所述扇区划分范围，确定所述三相交流输入电压的扇区； 根据所述三相交流输入电压Ua、Ub、Uc，负载电压Uload以及所述确定的三相交流输入电压的扇区，控制对应的开关管导通。4.根据权利要求3所述的三相整流拓扑电路的控制方法，其特征在于，所述根据所述三相交流输入电压Ua、Ub、Uc，负载电压Uload以及所述确定的三相交流输入电压的扇区，控制对应的开关管导通的步骤，包括: 根据所述三相交流输入电压的扇区，确定需要控制的开关管； 根据所述三相交流输入电压Ua、Ub、Uc以及负载电压Uload，获取三相交流相电流lav、Ibv、lev ； 根据所述三相交流输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文学，胡勇，
申请(专利权)人：北京动力源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：