【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于极紫外光刻领域，具体涉及一种提高极紫外光谱纯度，同时具有良好热稳定性的新型多层膜。
技术介绍
在集成电路的发展过程中，除集成电路设计技术外，其制造技术发挥着越来越重要的作用，在集成电路的发展中起到决定性作用的是微细加工技术。光刻技术是集成电路生产制造技术的核心和关键，半导体器件线宽的减小可实现集成电路的高集成度、高性能以及低损耗。光刻系统的分辨率由工作波长和数值孔径决定，为提高光刻系统的分辨率，就必须要使工作波长向极紫外方向发展。随着薄膜制备技术的进步，极紫外多层膜技术得到了迅速的发展。目前，多层膜光学元件已在天文学、极紫外光刻、显微学、材料科学、软X射线激光、同步辐射应用、等离子体诊断、天文物理、飞秒激光产生高次谐波的选频、低原子序数材料的荧光分析以及窄带偏振测量等领域中得到了广泛的应用。极紫外光刻一般是利用从激光等离子体光源发出的13.5nm波长的极紫外光经准直、消污染后照射到掩模板上，经投影系统投影微缩，用步进扫描的方法将掩模板上的图形高分辨力的转移到涂胶硅片上，再经过刻蚀，清洗等过程制作出带有掩模图形的硅晶片。在理想情况下，为稳定极紫外光刻...
【技术保护点】
一种提高极紫外光谱纯度及热稳定性的新型多层膜，该多层膜为在基底（1）上依次镀制Si层（2）和Mo层（3）交替的周期性多层膜，其特征是，还包括热稳定层（4）；所述热稳定层（4）制作在Si层（2）和Mo层（3）交替的周期性多层膜上。
【技术特征摘要】
1.一种提高极紫外光谱纯度及热稳定性的新型多层膜，该多层膜为在基底(I)上依次镀制Si层(2)和Mo层(3)交替的周期性多层膜，其特征是，还包括热稳定层(4);所述热稳定层(4)制作在Si层(2)和Mo层(3)交替的周期性多层膜上。2.根据权利要求1所述的一种提高极紫外光谱纯度及热稳定性的新型多层膜，其特征在于，所述基底(I)的表面粗糙度小于0.2nm。3.根据权利要求1所述的一种提高...
【专利技术属性】
技术研发人员：金春水，祝文秀，匡尚奇，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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