基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计及其制作方法，该薄膜量热计包括基底和镀制在基底上的镍单层膜，首先对基底进行清洗，然后采用直流磁控溅射方法在基底上镀制镍单层膜，最后用激光刻蚀的方法在镍单层膜上刻蚀出图案。与现有技术相比，本发明专利技术克服了传统的薄膜量热计制作工艺繁杂、设备昂贵、制备过程有潜在的化学危害、图案易失真等缺点，元件性能和制备工艺得到了很大的提高；本发明专利技术的阻抗式镍薄膜量热计具有价格便宜、易于制作、性能满足实际应用需求等优势，更适于实现此类产品的产业化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于X射线探测
，尤其是涉及ー种。
技术介绍
X射线探测器在測量X射线能量和激光产生的等离子体能量时是非常有用的エ具。如量热法X射线探测器，透视ニ极管，基于硅的探測器等现已被使用，以确定总的X射线通量或能量密度，但它们有一些缺点限制了它们的应用。例如，量热法X射线探测器没有提供时间信息；透视ニ极管由于它可变的光谱灵敏度，使光谱展宽变得困难；基于硅的探测器受无感层效应和高灵敏度要求的限制。因此，需要寻求其他更好的方法。阻抗式薄膜量热计作为ー种准确测量X射线能量的技术已经被广泛应用在美国sandia国家实验室Z箍缩等离子体研究中，而由镍薄膜制成的量热计利用镍薄膜材料电阻率随温度变化几乎呈线性变化的特性被广泛用于测量IKev以下的X射线的能量。另夕卜，在国内，由镍薄膜材料制成的薄膜量热计，已经被成功应用于“强光一号”加速器高功率Z箍缩等离子体辐射的总能量測量。对于这种量热计，所镀薄膜需要满足一定的图案，常用化学刻蚀方法和光刻技术来获得所需的图案。C.G.Mattsson小组曾运用将浓磷酸加热40°C的方法对镍膜进行刻蚀从而形成所要构成的图案，这种方法属于化学腐蚀方法，存在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计，其特征在于，该薄膜量热计包括基底和镀制在基底上的镍单层膜。

【技术特征摘要】
1.一种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计，其特征在于，该薄膜量热计包括基底和镀制在基底上的镍单层膜。2.根据权利要求1所述的ー种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计，其特征在于，所述的基底为石英玻璃。3.根据权利要求1所述的ー种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计，其特征在于，所述的基底表面的均方根粗糙度大于0nm，小于0.5nm。4.根据权利要求1所述的ー种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计，其特征在于，所述的镍单层膜的厚度为0.5um 2um。5.根据权利要求1所述的ー种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计，其特征在于，所述的镍单层膜上刻蚀有图案。6.一种如权利要求1 5任一所述的基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤:首先对基底进行清洗，然后采用直流磁控溅射方法在基底上镀制镍单层膜，最后用激光刻蚀的方法在镍单层膜上刻蚀出图案。7.根据权利要求6所述的ー种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计的制作方法，其特征在于，所述的对基底进行清洗包括以下步骤: 采用有机清洗液超声波清洗8-12分钟，去离子水超声波清洗3-8分钟，MOS级こ醇超声波清洗8-12分钟，去离子水超声波清洗8-12分钟，干燥的纯净氮气吹干，其中所述的有机清洗液为洗洁精，去离子水电阻率彡18MQ。8.根据权利要求6所述的ー种基于激光...

【专利技术属性】
技术研发人员：张众，梁玉，王海霞，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：