【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶硅生长设备，尤其涉及单晶硅生长炉的石墨坩埚。
技术介绍
传统的太阳能单晶硅生长炉的石墨坩埚基本选用单瓣式的，单瓣式石墨坩埚的坩埚底部保温较差，坩埚内部盛装的硅料熔体上下温差较大，最终导致单晶硅生产中的氧含量提高，降低了单晶硅的生产质量。因此，应该提供一些新的技术方案解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是:针对上述不足，提供一种能降低单晶硅生产中的氧含量，传热效率闻，加热迅速的单晶娃生长炉的石墨纟甘祸。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是:单晶硅生长炉的石墨坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体由大小相同的至少三瓣坩埚片和一个坩埚托盘组成，所述相邻的坩埚片的顶部通过连接件连接，所述坩埚本体外表面具有间隔均匀且高度相同的凸台。所述连接件为两头弯曲的金属卡线。本专利技术单晶硅生长炉的石墨坩埚，坩埚本体由大小相同的至少三瓣坩埚片组成，相邻的坩埚片的顶部通过连接件连接。由于单晶硅生长炉需要经常开炉和停炉，在温度急剧变化的恶劣工况下，石墨坩埚在使用 一段时间后容易产生开裂，所以坩埚片的顶部通过连接件连接，对石墨坩埚起到有效的保护作用。在坩埚本体外表面具有间隔均匀且高度相同的凸台，凸台的设置增加了石墨坩埚外表面积，也增加了石墨坩埚的传热面积，达到加大传输量，快速加热的目的。本专利技术的优点是:能降低单晶硅生产中的氧含量，传热效率高，加热迅速。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细叙述。图1为本专利技术结构示意图。其中:1、坩埚本体，2、坩埚片，3、坩埚托盘，4、连接件，5、凸台。具体实施例方式如图1所示，本专利技术单晶硅生长...
【技术保护点】
单晶硅生长炉的石墨坩埚，其特征是：包括坩埚本体，所述坩埚本体由大小相同的至少三瓣坩埚片和一个坩埚托盘组成，所述相邻的坩埚片的顶部通过连接件连接，所述坩埚本体外表面具有间隔均匀且高度相同的凸台。
【技术特征摘要】
1.单晶硅生长炉的石墨坩埚，其特征是:包括坩埚本体，所述坩埚本体由大小相同的至少三瓣坩埚片和一个坩埚托盘组成，所述相邻的坩埚片的顶部通过连接件连...
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