一种低逾渗石墨烯/高分子电磁屏蔽材料的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种低逾渗石墨烯/高分子电磁屏蔽材料的制备方法，复合材料主要原料按以下重量百分比构成：超高分子量聚乙烯UHMWPE94～99.7％，氧化石墨烯GONS0.3～6％。其制备工艺如下：(1)原料干燥；(2)GONS/UHMWPE导电粒子制备；(3)高温压制成型。本发明专利技术利用材料热压制备过程中的高温原位还原氧化石墨烯，避免了氧化石墨烯在化学还原过程中的团聚。使复合材料拥有更低的导电逾渗值，更高的电导率和电磁屏蔽性能，且制备过程简单，工艺易于掌握，生产成本低，容易实现大批量生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及导电高分子复合材料领域，特别涉及低逾渗的石墨烯(以下简称GNS)/超高分子量聚乙烯(以下简称UHMWPE)高分子电磁屏蔽材料的制备方法。
技术介绍
与常规熔融法制备的导电高分子材料相比较，隔离结构高分子导电复合材料可以在极低的导电粒子填料下显示出优异的电学性能(H.Pang, et al.Mater.Lett.2012, 79:96-99.)。其原因是在隔离结构网络中，导电粒子选择性分布在高分子粒子界面之间而不是无规分布在聚合物基体内部。故隔离结构导电高分子复合材料在抗静电、自控温、限流、限温以及电磁屏蔽等领域都具有广泛的应用(H.Pang, et al.Appl.Phys.Lett.2010,96:251907.)。Gelves等制备了铜纳米线/聚苯乙烯隔离结构导电高分子复合材料，发现在填料体积含量仅为0.67%时复合材料就可以具备优异的电磁屏蔽性能(G.A.Gelves，etal.J.Mater.Chem.2011, 21:829-836.)。在导电填料中，GNS由于其较大的径厚比和优异的电导率在导电高分子复合材料领域受到广泛的关注(S.Stankovich, e本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低逾渗石墨烯/高分子电磁屏蔽材料的制备方法，复合材料主要原料按如下重量百分比构成：超高分子量聚乙烯UHMWPE???????????94～99.7％氧化石墨烯GONS????????????????????0.3～6％其制备方法按如下的步骤：(1)原料干燥：将直径200～1000nm，厚度0.9～1.5nm的GONS在烘箱中干燥，直到水分重量含量低于0.01％；(2)GONS/UHMWPE复合粒子制备：将步骤(1)中干燥后的GONS和去离子水按质量比1∶40～1∶200配成悬浮液，超声搅拌GONS悬浮液直到均匀分散；再将UHMWPE粒子倒入分散好的GONS悬浮液中，通过超声搅拌均匀；然后通...

【技术特征摘要】
1.一种低逾渗石墨烯/高分子电磁屏蔽材料的制备方法，复合材料主要原料按如下重量百分比构成: 超高分子量聚乙烯UHMWPE94 99.7 % 氧化石墨烯GONS0.3 6% 其制备方法按如下的步骤: (1)原料干燥:将直径200 lOOOnm，厚度0.9 1.5nm的GONS在烘箱中干燥，直到水分重量含量低于0.01% ； (2)G0NS/UHMWPE复合粒子 制备:将步骤⑴中干燥后的GONS和去离子水按质量比1: 40 1: 200配成悬浮液，超声搅拌GONS悬浮液直到均匀分散；再将UHMWPE粒子倒入分散好的GONS悬浮液中，通过超声搅拌均匀；然后通过减压蒸馏...

【专利技术属性】
技术研发人员：李忠明，庞欢，陈晨，雷军，钟淦基，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：