一种电子束熔炼用坩埚的辐射拦截装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于冶金熔炼技术领域，特别涉及一种电子束熔炼用的辐射拦截专用装置。装置中辐射拦截罩位于熔炼坩埚上方，且通过滑动悬挂杆活动安装于炉壁的顶部，辐射拦截罩与滑动悬挂杆之间通过悬挂铰接扣活动连接，辐射拦截罩为球面形状，其凹面朝下，凹面聚焦点位于熔炼坩埚中心，其上还开有一个圆弧形缺口。本发明专利技术设备具有结构简单，功能实用，制作方便的优点，辐射拦截罩可将硅熔体的热辐射、被硅熔体表面反射的电子束束流拦截回来，重新作用于硅熔体表面，大大提高了电子束能量利用率，提高幅度达20~50%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于冶金熔炼
，特别涉及一种电子束熔炼用的辐射拦截专用装置。
技术介绍
目前，世界范围内制备太阳能电池用多晶硅材料已形成规模化生产，主要制备方法是改良西门子法，但其综合电耗高达170kW.h/kg，并且生产呈间断性，无法在Si的生产上形成连续作业，并且此法在流程的核心环节上采取了落后的热化学气相沉积，工艺流程的环节过多，一次转化率低，导致流程时间太长，增加了材耗、能耗成本。为此，世界各国都在积极探索制备高纯硅材料的全新工艺方法，其中冶金法制备多晶硅由于具有生产周期短、污染小、成本低、工艺相对简单、规模大小可控等特点，被认为是最能有效地降低多晶硅生产成本的技术之一，目前已成为世界各国竞相研发的热点，电子束熔炼技术是冶金法制备太阳能级硅中重要的方法之一，它是利用高能量密度的电子束作为熔炼热源的工艺方法，可以有效降低多晶硅中的磷、铝、钙等蒸发性杂质，现有电子束熔炼过程中采用的坩埚多为水冷铜坩埚，这主要是由于其可重复利用，避免二次污染等优点。由于熔炼过程中，硅材料与水冷铜坩埚直接接触，其导热性能比较好，致使水冷系统带走的热量较多，以前的坩埚设计者主要从减少水冷系统带走的热量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子束熔炼用坩埚的辐射拦截装置，包括辐射拦截罩，滑动悬挂杆和真空熔炼装置，真空熔炼装置中，炉壁（4）内部为熔炼室（8），炉壁上安装有炉门（7），水冷托盘（13）固定安装于炉壁（4）底部，水冷托盘上开有进水口（11）和出水口（12），熔炼坩埚（9）固定安装于水冷托盘之上，真空泵组（1）固定安装于炉壁之上，电子枪（3）固定安装于炉壁顶部，其特征是：辐射拦截罩（6）位于熔炼坩埚上方，且通过滑动悬挂杆（2）活动安装于炉壁的顶部，辐射拦截罩（6）与滑动悬挂杆（2）之间通过悬挂铰接扣活动连接。

【技术特征摘要】
1.一种电子束熔炼用坩埚的辐射拦截装置，包括辐射拦截罩，滑动悬挂杆和真空熔炼装置，真空熔炼装置中，炉壁(4)内部为熔炼室(8)，炉壁上安装有炉门(7)，水冷托盘(13)固定安装于炉壁(4)底部，水冷托盘上开有进水口( 11)和出水口(I 2 )，熔炼坩埚(9 )固定安装于水冷托盘之上，真空泵组(I)固定安装于炉壁之上，电子枪(3)固定安装于炉壁顶部，其特征是:辐射拦截罩(6)位于熔炼坩埚上方，且通过滑动悬挂杆(2)活动安装于炉壁的顶部，辐射拦截罩(6)与滑动悬挂杆(2)之间通过悬挂铰接扣活动连接。2.根据权利要求1所述的一种电子束熔炼用坩埚的辐射拦截装置，其特征是:所述辐射拦截罩为球面形状，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭毅，姜大川，石爽，温书涛，邹瑞洵，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：