一种基于自准直效应的二维光子晶体光强调制器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种基于自准直效应的二维光子晶体光强调制器，属于光通信应用技术领域，尤其适用于光通信中的集成光学领域。所述光强调制器包括孔型硅基光子晶体、5CB液晶、透明导电膜层、外接电压接线点和两个包层玻璃。其中，孔型硅基光子晶体的部分孔中填充5CB液晶，包层玻璃覆盖于光子晶体中垂直于空气孔的两侧，透明导电膜层直接镀附在包层玻璃内侧，外接电压接线点与透明导电膜层连接，外加电压通过接线点施加在透明电极上。本实用新型专利技术结构简单，体积小巧，光在其中自准直传播使调制后的光束易于无衍射损耗地传输至下一光学器件，插入损耗很小。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光通信应用
，特别涉及一种基于自准直效应的二维光子晶体光强调制器。
技术介绍
光调制器是高速、长距离光通信的关键器件，也是最重要的集成光学器件之一，它是通过电压或电场的变化调控输出光的振幅或相位的器件。光调制器的常用调制方法有机械调制、电光调制、声光调制和磁光调制等。机械调制需要使用高速马达，在腔外用高速旋转的开缝转盘很容易制成光斩波器，实现光强的低频调制；电光调制利用某些晶体、液体或气体在外加电场作用下折射率发生变化的现象进行调制，LiTa03电光效应调制器是利用晶体的电光效应调制光的振幅或相位，其调制速度快，III / V族化合物光调制器利用Frang-Keldgsh效应,通过电压改变材料的光吸收特性进而改变光强，目前化合物光调制器能实现高速调制；声光调制利用光在声场中的衍射现象进行调制，具有驱动功率低、光损耗小、消光比高等优点；磁光调制利用法拉第效应旋光效应进行光调制，由于材料透明波段的限制，磁光调制主要用于红外波段。此外，还可以利用电场、磁场或温度等参数的改变实现光波的频率调制。由于工艺水平的不断提高，虽然上述调制器件的尺寸能做得比较小，但它们仍不能满足光通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于自准直效应的二维光子晶体光强调制器，其特征在于：所述光强调制器包括孔型硅基光子晶体（1）、5CB液晶（2）、透明导电膜层（3）、外接电压接线点（4）和包层玻璃（5），其中，所述孔型硅基光子晶体（1）由分束结构（6）、反射结构（7）和位于二者之间的自准直结构（8）构成，自准直结构（8）包括三个自准直区域（9、10、11）。

【技术特征摘要】
1.一种基于自准直效应的二维光子晶体光强调制器，其特征在于:所述光强调制器包括孔型硅基光子晶体(1)、5CB液晶(2)、透明导电膜层(3)、外接电压接线点(4)和包层玻璃(5)，其中，所述孔型硅基光子晶体(1)由分束结构(6)、反射结构(7)和位于二者之间的自准直结构(8 )构成，自准直结构(8 )包括三个自准直区域(9、10、11)。2.根据权利要求1所述的一种基 于自准直效应的二维光子晶体光强调制器，其特征在于:设晶格周期为a，则分束结构(6)的空气孔孔径为1.46a^l.48a，反射结构(7)的空气孔孔径为1.70a 1.80a,自准直结构(8)的空气孔孔径为0.33a 0.34a。3.根据权利要求1所述的一种基于自准直效应的二维光子晶体光强调制器，其特征在于:设晶格周期为a，则所述孔型硅基光子晶体(I)的工作波长为5.69a^5.7a。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋强，梁斌明，胡艾青，胡水兰，张磊，湛胜高，朱幸福，
申请(专利权)人：上海理工大学，
类型：实用新型
国别省市：