光电半导体器件及其制造方法技术

设置一种光电半导体器件（10），其具有支承体（2）和半导体芯片（1）。半导体芯片（1）具有用于产生电磁辐射的有源层。支承体（2）在用于电接触半导体芯片（1）的上侧上具有电印制导线（6）。半导体芯片（1）固定在支承体（2）上。支承体（2）包含Si3N4或钼。此外，提出了一种用于制造这种器件（10）的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种根据权利要求1所述的光电半导体器件，其具有支承体和半导体芯片。此外，本专利技术涉及一种根据权利要求10所述的用于制造这种光电器件的方法。
技术介绍
在出版文件DE 11 2005 002 419 T5中说明了一种用于光电部件的壳体。传统上，光电半导体器件具有半导体芯片，该半导体芯片设置在AIN陶瓷上。带有所施加的半导体芯片的AlN陶瓷被施加到金属芯电路板上，例如粘合到金属芯电路板上。不利地，AlN陶瓷由于热膨胀系数而能够焊接到金属芯电路板。而由于使用陶瓷和金属芯电路板，所以使整个器件的热阻变差。例如，在这种器件中，整个器件的热阻由半导体芯片的热阻、在半导体芯片与AIN陶瓷之间的连接层的热阻、AlN陶瓷的热阻、在AlN陶瓷与金属芯电路板之间的粘合层的热阻和金属芯电路板的热阻组成。金属芯电路板例如具有Al。
技术实现思路
本专利技术所基于的技术问题是:提出一种光电半导体器件，其以改进的热阻而突出。此外，本专利技术所基于的技术问题是:提出一种对这种器件的缩短和简化的制造。此外，这些技术问题通过具有权利要求1的特征的光电器件和一种具有权利要求10的特征的用于光电器件制造的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.10 DE 102010044987.31.一种光电半导体器件(10)，其具有支承体(2)和至少一个半导体芯片(1)，其中 -半导体芯片(I)具有用于产生电磁辐射的有源层， -支承体(2)在用于电接触半导体芯片(I)的上侧上具有电印制导线(6)， -支承体(2)包含Si3N4或钥，以及 -半导体芯片(I)固定在支承体(2)上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中半导体芯片(I)直接固定在支承体(2)上。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中支承体(2)具有用于外部固定器件(10)的固定元件(7)。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中固定元件(7)是支承体(2)的穿通部，使得器件(10)能够借助螺栓或铆钉外部固定。5.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中半导体芯片(I)是薄膜LED。6.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中印制导线(6)具有金属化部。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中印制导线(6)具有NiPdAu。8.根据上述权利要求之...

【专利技术属性】
技术研发人员：M皮希尔迈尔，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：
国别省市：