光半导体密封用固化性组合物及使用该组合物的光半导体装置制造方法及图纸

技术编号:8652648 阅读:214 留言:0更新日期:2013-05-01 18:40
本发明专利技术是一种光半导体密封用固化性组合物,其含有:(A)直链状聚氟化合物;(B)具有SiH基及含氟有机基的环状有机硅氧烷;(C)铂族金属系催化剂;(D)具有SiH基、含氟有机基及环氧基的环状有机硅氧烷;及,(E)具有SiH基、含氟有机基及环状羧酸酐残基的环状有机硅氧烷。由此,提供一种形成具有良好透明性的固化物的光半导体密封用固化性组合物、及提供一种光半导体装置,所述光半导体装置利用将该光半导体密封用固化性组合物固化所得的固化物来密封光半导体元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光半导体密封用固化性组合物及使用该组合物的光半导体装置
技术介绍
已知提出了一种从组合物获得耐热性、耐化学性、耐溶剂性、脱模性、防水型、防油性及低温特性等性质平衡且优异的固化物,所述组合物包括:一分子中具有至少两个烯基,且主链中具有全氟聚醚结构的直链状氟聚醚化合物;一分子中具有两个以上直接键结于硅原子的氢原子的含氟有机氢硅氧烷;及,钼族化合物(专利文献I)。并且,提出了一种组合物,通过向此组合物中,添加具有氢硅烷基和环氧基及/或三烷氧基硅烷基的有机聚硅氧烷,对金属或塑料基材赋予自粘性(专利文献2)。进而,提出了一种组合物,通过向此组合物添加具有环状羧酸酐残基的有机硅氧烧,提高对于各种基材,尤其是对于聚苯硫醚(polyphenylene sulfide, PPS)树脂、聚酰胺树脂及聚酰亚胺树脂的粘着性(专利文献3)。然而,当利用将这些现有技术实际制备的组合物固化所得的固化物,作为发光二极管(只要未特别说明,以下称为“LED”)的密封材料使用时,存在以下问题:此固化物中产生污浊,破坏透明性。此密封材料的透明性一旦受到破坏,将LED所发出的光提取至外部的效率(以下记为本文档来自技高网...
光半导体密封用固化性组合物及使用该组合物的光半导体装置

【技术保护点】
一种光半导体密封用固化性组合物,其特征在于,其含有:(A)由下述通式(1)所表示的直链状聚氟化合物:100质量份CH2=CH?(X)a?Rf1?(X“)a?CH=CH2(1)式(1)中,X是由?CH2?、?CH2O?、?CH2OCH2?、及?Y?NR1?CO?中的任意一个所表示的基,X“是由?CH2?、?OCH2?、?CH2OCH2?、及?CO?NR1?Y“?中的任意一个所表示的基,a独立为0或1,Rf1是由下述通式(4)或(5)所表示的二价全氟聚醚基,式(4)中,p及q分别为1~150的整数,且p与q的和的平均为2~300,而且,r是0~6的整数,t是2或3,式(5)中,u是1~300的整数...

【技术特征摘要】
2011.10.04 JP 2011-2199271.一种光半导体密封用固化性组合物,其特征在于,其含有: (A)由下述通式(I)所表示的直链状聚氟化合物:100质量份CH2=CH- (X) ,-Rf1-(X,) ,-CH=CH2 (I) 式(I)中,X 是由-CH2-、-CH2O-、-CH2OCH2-、及-Y-NR1-CO-中的任意 Iv所表不的基,X’是由_CH2-、-OCH2-> -CH2OCH2-、及-CO-NR1-Y’ -中的任意 Iv所表不的基,a独立为0或I,Rf1是由下述通式(4)或(5)所表示的二价全氟聚醚基,2.如权利要求1所述的光半导体密封用固化性组合物,其中,固化后的2mm厚的固化物中,波长450nm的直线光的透射率为80%以上。3.如权利要求1所述的光半导体密封用固化性组合物,其中,固化后的固化物在25°C、589nm即钠的D线下的折射率为1.30 1.39。4.如权利要求2所述的光半导体密封用固化性组合物,其中,固化后的固化物在25°C、589nm即钠的D线下的折射率为1.30 1.39。5.如权利要求1所述的光半导体密封用固化性组合物,其中,所述(A)成分的直链状聚氟化合物的烯基含量为0.005 0.100mol/100g。6.如权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:越川英纪塩野巳喜男
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社
类型:发明
国别省市:

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