【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种测量压力的器件,特别涉及一种带有屏蔽层的硅压阻式压力传感器芯片。
技术介绍
硅压阻式压力传感器是利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后,电阻率发生变化,通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。硅压阻式压力传感器已广泛用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量(如液位、加速度、重量、应变、流量、真空度)的测量和控制。由于硅压阻式压力传感器的压敏电阻经过掺杂处理,压敏电阻里的载流子具有可移动的特点,所以压敏电阻的阻值随着外界电场的变化而改变,造成压力传感器输出漂移。目前尚未见到有关国内传感器制作厂商针对这现象进行改进的报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对已有技术中存在的缺陷,提供一种带有屏蔽层的硅压阻式压力传感器芯片。本专利技术包括硅衬底、压敏电阻、金属导线、金属焊盘、保护层、屏蔽层、重掺杂硅导线,硅衬底上的压力膜片表面设有由数个压敏电阻组成的惠斯通电桥,压力膜片上设有保护层,数个压敏电阻经重掺杂硅导线、金属导线与保护层上的金属焊盘连接,其特征在于压力膜片与保护层之间设有一层用于改善传感器性能经过掺杂处理的屏蔽层,屏蔽层将保护层与压敏电阻隔离。本专利技术在传统硅压阻式压力传感器芯片的硅衬底与压力膜片之间增加了一层用于改善该压力传感器芯片性能的屏蔽层(简称cap)。屏蔽层cap覆盖在压力传感器芯片的压敏电阻及相关结构上,并且经过掺杂处理。压敏电阻掺杂类型为N型或P型,屏蔽层cap的掺杂处理的类型与压敏电阻的掺杂处理的类型相反,即当压敏电阻为N型掺杂时,屏蔽层cap的掺杂类型为P型; ...
【技术保护点】
一种带有屏蔽层的硅压阻式压力传感器芯片,包括:硅衬底、压敏电阻、金属导线、金属焊盘、保护层、屏蔽层、重掺杂硅导线,硅衬底上的压力膜片表面设有由数个压敏电阻组成的惠斯通电桥,压力膜片上设有保护层,数个压敏电阻经重掺杂硅导线、金属导线与保护层上的金属焊盘连接,其特征在于压力膜片与保护层之间设有一层用于改善传感器性能经过掺杂处理的屏蔽层,屏蔽层将保护层与压敏电阻隔离。
【技术特征摘要】
1.一种带有屏蔽层的硅压阻式压力传感器芯片,包括硅衬底、压敏电阻、金属导线、金属焊盘、保护层、屏蔽层、重掺杂硅导线,硅衬底上的压力膜片表面设有由数个压敏电阻组成的惠斯通电桥,压力膜片上设有保护层,数个压敏电阻经重掺杂硅导线、金属导线与保护层上的金属焊盘连接,其特征在于压力膜片与保护层之间设有一层用于改善传感器性能经过掺杂处理的屏蔽层,屏蔽层将保护层与压敏电阻隔离。2.根据权利要求1所述的带有屏蔽层的硅压阻式压力传感器芯片,其特征在于屏蔽层掺杂处理的类...
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