【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种新型背钝化电池的方法,属于太阳能电池生产方法
技术介绍
光伏发电技术是21世纪一个重要的新能源
,但是目前生产中的光伏发电效率较低。寻求新技术、新材料、新工艺,提高太阳能电池光电转化效率,降低单位发电成本是当前一个迫切的任务。太阳能电池电池的光电转化效率与电池对太阳能入射光线各个波段的光电响应密切相关。现有常规电池片在可见光波段的响应较好,但由于电池背面的强复合作用,对太阳光中的长波段利用很少。目前已有的背钝化电池制备方法主要采用两步高温扩散方法,能耗高、技术复杂。
技术实现思路
针对现有技术中太阳能电池片的上述缺点,本专利技术提供一种新型背钝化电池的方法,能够更好的利用太阳光的长波段光线,提高电池的转换效率。本专利技术的技术方案为 一种新型背钝化电池的制备方法,其工艺步骤为 O将电阻为O. 2 Ω ·_至 10 Ω -cm的P型单晶硅片,经过常规清洗后进行酸制绒或者碱制绒; 2)将制绒后的硅片进行P扩散,扩散温度为800°C至900°C,方阻为40 Ω/cm至120Ω/cm ; 3)利用酸腐蚀溶液或者碱腐蚀溶液将硅片背面腐蚀并进行抛光; 4)用1%至15%的HF溶液清洗硅片I至8分钟,去除正面的磷硅玻璃,用主要成分为H2O2和NH3. H2O的混合溶液清洗硅片背面,温度为50°C至90°C ; 5)硅片背面沉积非晶硅、氧化铝和氮化硅叠层薄膜,薄膜厚度为IOnm至150nm;在硅片正面沉积氮化娃薄膜,厚度为50nm至IOOnm ; 6)利用激光局部去除硅片背面沉积的薄膜层,形成一些薄膜开孔; 7)用1%至6% ...
【技术保护点】
一种背钝化电池的制备方法,其具体步骤为:1)将电阻掺杂浓度为0.2Ω?cm至10Ω?cm的P型单晶硅片,经过常规清洗后进行酸制绒或者碱制绒;2)将制绒后的硅片进行P扩散,扩散温度为800℃至900℃,方阻为40Ω/cm至120Ω/cm;3)利用酸腐蚀溶液或者碱腐蚀溶液将硅片背面腐蚀并进行抛光;4)用1%至15%的HF溶液清洗硅片1至8分钟,去除正面的磷硅玻璃,用主要成分为H2O2和NH3.H2O的混合溶液清洗硅片背面,温度为50℃至90℃;5)硅片背面沉积非晶硅、氧化铝和氮化硅叠层薄膜,薄膜厚度为10nm至150nm;在硅片正面沉积氮化硅薄膜,厚度为50nm至100nm;6)利用激光局部去除硅片背面沉积的薄膜层,形成若干薄膜开孔;7)用1%至15%的HF溶液清洗硅片背面1至8分钟,去除背面的激光损伤层;8)在电池背面和正面印刷电极,烧结,烧结温度为400℃至800℃。
【技术特征摘要】
1.一种背钝化电池的制备方法,其具体步骤为 1)将电阻掺杂浓度为O.2 Ω cm至10 Ω cm的P型单晶硅片,经过常规清洗后进行酸制绒或者碱制绒; 2)将制绒后的硅片进行P扩散,扩散温度为800°C至900°C,方阻为40Ω /cm至120 Ω /cm ; 3)利用酸腐蚀溶液或者碱腐蚀溶液将硅片背面腐蚀并进行抛光; 4)用1%至15%的HF溶液清洗硅片I至8分钟,去除正面的磷硅玻璃,用主要成分为H2O2和NH3. H2O的混合溶液清洗硅片背面,温度为50°C至90°C ; 5)硅片背面沉积非晶硅、氧化铝和氮化硅叠层薄膜,薄膜厚度为IOnm至150nm;在硅片正面沉积氮化娃薄膜,厚度为50nm至IOOnm ; 6)利用激光局部去除硅片背面沉积的薄膜层,形成若干薄膜开孔; 7)用1%至15%的HF溶液清洗硅片背面I至8分钟,去除背面的激光损伤层; 8)在电池背面和正面印刷电极,烧结,烧结温度为400°C至800°C。2.根据权利要求1所述的背钝化电池的制备方法,其特征在于所述方法步骤5)中的薄膜沉积方法为等离子体增强型气象化学沉积(PECVD)或者原子层...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘亚,郭志球,苏旭平,王建华,涂浩,彭浩平,吴长军,
申请(专利权)人:常州大学,
类型:发明
国别省市:
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