本发明专利技术公开了一种电子装置与防呆方法，其中该电子装置具有防呆功能，包括：一第一磁铁，产生一磁场；一输出端，设置在磁场的范围内，与一第二电子装置的一输入端相配合；一霍尔传感器，用以根据磁场，产生一霍尔电压；以及一电源供应单元，耦接至输出端，用以根据霍尔传感器所输出的一控制信号提供电源至输出端；其中当输出端与输入端耦接并且霍尔电压增加至一特定电压时，霍尔传感器输出控制信号，使得电源供应单元根据信号提供电源至输出端，以便第二电子装置通过输出端接收到电源。本发明专利技术的电子装置与防呆方法可有效地保护电子装置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子装置，尤其涉及一种具有防呆功能的电子装置。
技术介绍
近年来，随着电脑与信息产业的蓬勃发展，各种新的周边设备可轻易的连结上个人电脑与笔记型电脑等等，其中包含了网际网络和外接式储存装置等。然而这些周边装置的种类与数量繁多，并且当电子装置连接至另一电子装置时，电子装置的插头常常没有按照插座的连接方式来将插头插入插座，使得电子装置在通电后造成无法弥补的损坏，因此亟需一种电子系统与防呆方法，来保护电子装置。
技术实现思路
有鉴于此，本揭示提供一种电子装置，具有防呆功能，包括一第一磁铁，产生一磁场；一输出端，设置在磁场的范围内，与一第二电子装置之一输入端相配合；一霍尔传感器，用以根据磁场，产生一霍尔电压；以及一电源供应单元，耦接至输出端，用以根据霍尔传感器所输出之一控制信号提供电源至输出端；其中当输出端与输入端耦接并且霍尔电压增加至一特定电压时，霍尔传感器输出控制信号，使得电源供应单元根据控制信号提供电源至输出端，以便第二电子装置通过输出端接收到电源。本揭示也提供一种防呆方法，适用于一第一电子装置与一第二电子装置，包括根据第一电子装置的一第一磁铁的一磁场，在一霍尔传感器产生一霍尔电压；当第一电子装置的一输出端与第二电子装置的一输入端耦接时，判断霍尔电压是否到达一特定电压；以及当输出端与输入端耦接并且霍尔电压达到一特定电压时，根据霍尔传感器所输出的一控制信号提供电源至输出端，使得第二电子装置通过输出端接收到电源。本揭示实施例提供一种，可以判断两个电子装置与是否正确地电性连接，防止两个电子装置与不正确地电性连接时，电子装置提供电源至电子装置，使得电子装置的部分零件烧毁或故障。因此本专利技术的可有效地保护电子>J-U ρ α装直。为使本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。附图说明图1为本揭示的电子装置的一示意图2为本揭示的电子装置的一示意图3为本揭 示的电子装置的一示意图4为本揭示的电子装的一示意图5为本揭示的霍尔传感器的一示意图6为本揭示的霍尔传感器的一示意图7为本揭示的霍尔电压的一时序图8为本揭示的霍尔电压的一时序图；以及图9为本揭示的防呆方法的一流程图。上述附图中的附图标记说明如下110、120 :电子装置；111、115、121、125 :磁铁；112 :输出端；122 :输入立而；113,116 :霍尔传感器；114 :电源供应单元；F11、F12、F21、F22、F31、F32、F41、F42 :表面；127、117 :壳体外部表面；118,128 :壳体内部表面；MF :磁场；VD :特定电压；VH :霍尔电压；VR、VL 电压；TP :预定周期；t0、tl、t2、t3 :时间。具体实施方式图1为本揭示的电子装置的一示意图。如图1所示，电子装置110包括磁铁111与 115、一输出端112、一霍尔传感器113与116和一电源供应单兀114。磁铁111与115用以产生磁场。在本揭示实施例，磁铁111与115分别设置在输出端112对称两侧。输出端112设置在磁铁111的磁场范围内，并且与另一电子装置120的一输入端122相配合。举例来说，输出端112可以是母连接器，输入端122可以是公连接器，母连接器 与公连接器互相配合。霍尔传感器113可设置在磁铁111中，用以根据磁铁111的磁场，产 生一霍尔电压。在某些实施例中，霍尔传感器113可设置在磁铁115中，或电子装置也可包 括另一霍尔传感器116可设置在磁铁115中。电源供应单元114耦接至输出端112。当输 出端112与输入端122耦接时，电源供应单元114可选择性地提供电源至输出端112，使得 输入端122可从输出端112接收到电源。因此，电源供应单元114可具有一切换单元，用以 选择性提供电源至输出端112。图2为本揭示的电子装置的一示意图。如图2所示，磁铁111具有表面Fll与F12， 磁铁115具有表面F21与F22，表面Fll与F21皆设置在壳体外部表面117上。表面Fll与 F21的极性相反，表面F12与F22的极性相反。在另一电子装置120中，磁铁121具有表面 F31与F32，磁铁125具有表面F41与F42，表面F31与F41皆设置在壳体外部表面127上。 表面F31与F41的极性相反，表面F32与F42的极性相反。图3为本揭示的电子装置的一示意图。图3与图2相似，差别在于表面F12与F22 皆设置在壳体内部表面118上。在另一电子装置120中，表面F32与F42皆设置在壳体内部表面128上。需说明的是，在图3与图4中，磁铁111、115、121和125和壳体表面接触。 但是在某些实施例中，磁铁111、115、121和125和壳体表面相隔一段间距。在本揭示实施例中，只有当输出端112与输入端122正确地耦接时，磁铁121与 125会分别和磁铁111与115相吸引，使得磁铁121、125、111和115会对霍尔传感器113产 生最大磁场。但是当输出端112与输入端122不正确地耦接时，磁铁121、125、111和115 不会对霍尔传感器113产生最大磁场。详细而言，当输出端112与输入端122耦接并且霍尔电压增加至一特定电压时，电 源供应单元114的切换单元为导通状态，使得电源供应单元114可提供电源至输出端122。 因此，电子装置120可从输出端112接收到电源。在本揭示实施例中，输出端112与输入端 122耦接并且霍尔电压大于一特定电压并且维持一预定周期时，电源供应单元114才提供 电源至输出端122。换言之，输出端112与输入端122稳定地耦接后，电源供应单元114才 提供电源至输出端122。当霍尔电压低于特定电压时，电源供应单元114不提供或停止提供电源至输出端 112，以避免输出端112与输入端122不正确地耦接时，电源供应单元114提供电源至输出 端112，造成电子装置110或120的损坏。图4为本揭示的电子装置的另一示意图。电子装置130包括磁铁111、115、121和 125、输出端112、输入端122、霍尔传感器113和电源供应单元114。磁铁放置方式如图3所 示，在此不再赘述。在某些实施例中，磁铁放置方式可如图2所示。由图4可知，电子装置 130包括电子装置110与120的特征。图5为本揭示的霍尔传感器的一示意图。如图5所示，当输出端112与输入端122 正确地耦接时，磁铁121增加磁场MF，使得霍尔电压VH被增加至特定电压。在预定周期内， 霍尔电压VH大于特定电压，霍尔传感器113输出一控制信号至电源供应单元114，使得电源 供应单元114根据控制信号提供电源至输出端112。图6为本揭示的霍尔传感器的一示意图。如图6所示，当输出端112与输入端122 不正确地耦接时，磁铁125会减少磁场MF，使得霍尔电压VH无法被增加至特定电压。因此， 霍尔传感器113不会输出控制信号至电源供应单元114，使得电源供应单元114无法提供电 源至输出端112。图7为本揭示的霍尔电压的一时序图。如图7所示，于时间t0时，霍尔传感器113 根据磁场MF产生霍尔电压VH，此时的霍尔电压VH为电压VR。于时间tl时，输出端112与 输入端122正确地耦接本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子装置，具有防呆功能，包括：一第一磁铁，产生一磁场；一输出端，设置在上述磁场的范围内，与一第二电子装置的一输入端相配合；一霍尔传感器，用以根据上述磁场，产生一霍尔电压；以及一电源供应单元，耦接至上述输出端，用以根据上述霍尔传感器所输出的一控制信号提供电源至上述输出端；其中当上述输出端与上述输入端耦接并且上述霍尔电压增加至一特定电压时，上述霍尔传感器输出上述控制信号，使得上述电源供应单元根据上述控制信号提供电源至上述输出端，以便上述第二电子装置通过上述输出端接收到电源。
【技术特征摘要】
1.一种电子装置，具有防呆功能，包括 一第一磁铁，产生一磁场； 一输出端，设置在上述磁场的范围内，与一第二电子装置的一输入端相配合； 一霍尔传感器，用以根据上述磁场，产生一霍尔电压；以及 一电源供应单元，耦接至上述输出端，用以根据上述霍尔传感器所输出的一控制信号提供电源至上述输出端； 其中当上述输出端与上述输入端耦接并且上述霍尔电压增加至一特定电压时，上述霍尔传感器输出上述控制信号，使得上述电源供应单元根据上述控制信号提供电源至上述输出端，以便上述第二电子装置通过上述输出端接收到电源。2.如权利要求1所述的电子装置，其中当上述霍尔电压未达上述特定电压时，上述霍尔传感器不输出上述控制信号，使得上述电源供应单元无法提供电源至上述输出端。3.如权利要求1所述的电子装置，其中当上述输入端与上述输出端正确地连接时，上述第二电子装置的一第二磁铁增加上述霍尔电压至上述特定电压，使得上述霍尔传感器输出上述控制信号，以便上述电源供应单元根据上述控制信号提供电源至上述输出端。4.如权利要求3所述的电子装置，其中当上述霍尔电压到达至上述特定电压并经过一预定周期后，上述霍尔传感器输出上述控制信号。5.如权利要求2所述的电子装置，其中当上述输入端与上述输出端不正确地连接时，上述第一磁铁与上述第二电子装置的一第三磁铁互相排斥，且上述第三磁铁减少上述霍尔电压，使得...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂剑扬，
申请(专利权)人：宏碁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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