【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及极紫外(EUV)光刻胶的性能检测装置，尤其涉及非光照情况下极紫外光刻胶材料在超高真空情况下进行热处理的检测装置与方法，该检测装置可以衡量在超高真空下极紫外光刻胶的热稳定性能与真空产气情况。
技术介绍
随着国际微电子工业的迅猛发展，作为微电子技术发展中最为关键的基础材料之一的高档光刻胶也经历了迅速发展的过程。按照曝光波长，光刻胶已经历了 436nm、365nm、248nm、193nm四个发展阶段。现在国际上浸没式193nm光刻胶的研究已经扩展到32nm光刻节点的集成电路中。随着光刻节点的不断降低，对光刻技术的要求也越来越高，22nm及以下光刻节点的集成电路对193nm光刻的物理极限产生很大的挑战，需要更新一代的曝光设备和光刻胶材料。按照最新版国际半导体技术路线图(International Technology Roadmapfor Semiconductors, ITRS),极紫外光刻(Extreme UV Lithography)将成为下一代光刻(Next Generation Lithography)的最佳候选方案,将是用来解决22nm及以下光...
【技术保护点】
一种极紫外光刻胶超高真空加热处理的检测装置，其特征在于：包括真空系统、加热系统、质谱系统、中心控制系统，所述加热系统位于真空系统内，质谱系统与真空系统相连，所述中心控制系统通过电脑来集中控制真空系统、加热系统、质谱系统，进行数据采集与计算。
【技术特征摘要】
1.一种极紫外光刻胶超高真空加热处理的检测装置，其特征在于包括真空系统、力口热系统、质谱系统、中心控制系统，所述加热系统位于真空系统内，质谱系统与真空系统相连，所述中心控制系统通过电脑来集中控制真空系统、加热系统、质谱系统，进行数据采集与计算。2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于所述真空系统包括样品检测腔、真空泵组(优选包括无油干泵、分子泵、离子泵)，在所述样品检测腔和真空泵组之间优选使用插板阀，用于样品检测腔与真空泵组的隔离与连接，所述样品检测腔优选包括真空检测设备(如高精度真空规)。3.根据权利要求2所述的检测装置，其特征在于所述加热系统位于样品检测腔内，包括加热台和温度控制装置，所述加热台优选采用高精度程序控制热台，所述质谱系统与样品检测腔相连，包括质谱检测器。4.根据权利要求2-3任一项所述的检测装置，其特征在于所述真空系统还包括样品置换腔，所述样品置换腔分别与样品检测腔和真空泵组相连，在所述样品置换腔与样品检测腔之间优选使用插板阀，用于样品检测腔与样品置换腔的隔离与连接，所述样品置换腔优选包...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨国强，田凯军，陈力，王双青，李沙瑜，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：
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