一种TiB2/Si-Al电子封装复合材料及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种TiB2/Si-Al复合材料的制备方法，属于电子封装材料制备技术领域。工艺过程包括配制混合盐、熔炼（60~70）wt%Si-Al合金、熔铸-原位合成TiB2颗粒、喷射沉积成形TiB2/Si-Al复合材料和TiB2/Si-Al复合材料热等静压五个阶段。本发明专利技术在不影响Si-Al合金的热膨胀系数、热导率和密度的前提下，有效地细化初晶硅尺寸并解决了其在Si-Al合金两相区加热保温时粗化的问题。该复合材料广泛适用于电讯、航空、航天、国防和其它相关工业电子元器件所需的新型封装或散热材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子封装材料制备
，特别是提供了一种TiB2/S1-Al复合材料的制备方法，在不影响S1-Al合金的热膨胀系数、热导率和密度的前提下，可有效地细化初晶硅尺寸并解决初晶硅在S1-Al合金两相区加热保温时粗化的问题。该复合材料广泛适用于电讯、航空、航天、国防和其它相关工业电子元器件所需的新型封装或散热材料。
技术介绍
S1-Al合金已被证明是一个综合性能基本满足先进电子封装要求的材料体系。因为(I)材料的热膨胀系数与Si或GaAs等芯片相匹配，尺寸热稳定性好，可以有效地减少热应力的产生，不致使封装壳体开裂，损坏芯片；(2)导热性能好，能够将半导体芯片在工作时所产生的热量及时地散发出去。即便对(6(T70)wt%Si的S1-Al合金，其电阻率仍可保持在10_6Ωπι量级，即该成分范围内合金基体仍保持连续；(3)材料有足够的强度和刚度，其弹性模量超过llOGPa，对芯片可起到有效的支撑和保护作用；(4)材料来源丰富，成本低，可以满足大规模商业化应用的要求；(5)材料的密度低，(6(T70)wt%S1-Al合金比纯铝还轻15%，这对用于航空航天设备和移动计算/通信设备的封本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TiB2/Si?Al电子封装复合材料，其特征在于：该复合材料的化学组成以重量百分比计为xTiB2/ySi?Al，其中1.0≤x≤2.0,60≤y≤70。

【技术特征摘要】
1.一种TiB2/S1-Al电子封装复合材料，其特征在于该复合材料的化学组成以重量百分比计为xTiB2/yS1-Al，其中1. O彡x彡2. 0，60彡y彡70。2.根据权利要求1所述的一种TiB2/S1-Al电子封装复合材料的制备方法，其特征在于工艺过程包括配制混合盐、熔炼(6(T70) wt%S1-Al合金、熔铸-原位合成TiB2颗粒、喷射沉积成形TiB2/S1-Al复合材料和TiB2/S1-Al复合材料热等静压五个阶段；具体制备步骤为a、配制混合盐按原子计量比TiB=1 2. 2配比K2TiF6和KBF4混合盐，混匀并经300°C烘干；b、熔炼(60 70)wt%S1-Al合金将占(60 70) wt%的纯Si，其余为工业纯Al的原材料放入中频感应电炉中升温熔化；C、熔铸-原位合成TiB2颗粒将步骤b所述(6(T70)wt%S1-Al合金熔体加热至熔点以上50 150°C保温5-15分钟使其均匀化；然后，迅速加入O. 8—2....

【专利技术属性】
技术研发人员：杨滨，卢毅，张磊，王西涛，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：