一种垂直阵列ZnO纳米线的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种垂直阵列ZnO纳米线的制备方法，属于纳米线制备方法领域。该方法的工艺步骤如下：（1）制备前驱溶液：向反应容器中加入去离子水，然后加入锌盐和聚乙烯亚胺，在室温、常压下搅拌0.5~3h，得前驱溶液；（2）超过滤：对前驱溶液进行超过滤；（3）旋涂：将步骤（2）截留所得溶液滴加到基底上，然后以500~3000rpm的转速涂胶；（4）热处理：①将涂胶后的基底在常压、氧气氛围、400~600℃保温30~120min，保温时间届满后，将基底自然冷却至室温，②将步骤①处理后的基底在常压、氧气氛围、800~1000℃下保温1~10min，保温时间届满后，将基底自然冷却至室温，③将步骤②处理后的基底在100~3000Pa、氧气氛围、400~600℃的条件下保温5~30min。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米线制备方法领域，特别涉及。
技术介绍
纳米材料由于具有独特的尺寸结构，在纳米尺度范围内存在着以下几种与传统材料不同的效应表面效应、小尺寸效应、量子尺寸效应以及宏观量子隧道效应。ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料，在常温下其禁带宽度为3. 37eV,高激子结合能约为60meV。一维ZnO纳米材料在光学、电输运、光电、压电、力电、场发射、稀磁、光催化、吸波等性能上具有显著特点，在传感、光学、电子、场发射、压电、能源、催化等领域已经显示出良好的应用前景。垂直阵列ZnO纳米线在电子学、光电子学和机电纳米器件领域有广泛应用，例如太阳能电池、场致发射器件、紫外激光器、发光二极管和纳米发动机。垂直阵列ZnO纳米线的制备方法有金属有机化合物气相沉积法、模板辅助沉积法和固液气外延生长法。(I)金属有机化合物气相沉积的制备流程用二乙基锌(Et2Zn)和氧气作为反应物，分别精确控制二者采用不同的气流量，并将Si基底放置在气流下方，于400-500°C下热处理5-60min即得垂直阵列ZnO纳米线。该方法存在着气流量难以控制的缺点。(2)模板辅助沉积法的制备流程在多孔阳极氧化铝模板上镀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直阵列ZnO纳米线的制备方法，其特征在于工艺步骤如下：（1）制备前驱溶液向反应容器中加入去离子水，然后加入锌盐和聚乙烯亚胺，在室温、常压下搅拌0.5~3h，得前驱溶液；所述锌盐、去离子水及聚乙烯亚胺的量以锌盐中的锌、去离子水、聚乙烯亚胺的质量比达到1:400:20~1:80:4为限；（2）超过滤将步骤（1）所得前驱溶液进行超过滤，超过滤时间以分离不出液体为限；（3）旋涂将步骤（2）截留所得溶液在200~1000rpm的转速下滴加到基底上，然后以500~3000rpm的转速涂胶10~60s；（4）热处理①将步骤（3）所得涂胶后的基底在常压、氧气氛围、400~600℃条件下保温30~120m...

【技术特征摘要】
1.一种垂直阵列ZnO纳米线的制备方法，其特征在于工艺步骤如下 (O制备前驱溶液 向反应容器中加入去离子水，然后加入锌盐和聚乙烯亚胺，在室温、常压下搅拌O.5 3h，得前驱溶液；所述锌盐、去离子水及聚乙烯亚胺的量以锌盐中的锌、去离子水、聚乙烯亚胺的质量比达到1:400:20^1:80:4为限； (2)超过滤 将步骤(I)所得前驱溶液进行超过滤，超过滤时间以分离不出液体为限； (3)旋涂 将步骤(2)截留所得溶液在20(Tl000rpm的转速下滴加到基底上，然后以50(T3000rpm的转速涂胶l(T60s ； (4)热处理 ①将步骤(3)所得涂胶后的基底在常压、氧气氛围、40(T60(TC条件下保温3(Tl20min，保温时间届满后，将所述基底自然冷却至室温， ②将步骤①处理后的基底在常压、氧气氛围、80(Tl00(rC条件下保温flOmin，保温时间届...

【专利技术属性】
技术研发人员：向钢，任红涛，张析，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：