一种用于极紫外光源的高熔点材料液滴靶产生装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于极紫外光源的高熔点材料液滴靶产生装置，包括激光、透镜、颗粒进料装置、喷嘴和管道。激光与所述喷嘴同轴，并通过透镜聚焦进入喷嘴中，用于加热进入喷嘴的靶材固体颗粒；颗粒进料装置通过管道与喷嘴连接，用于将靶材固体颗粒连续匀速投送至喷嘴中。当靶材固体颗粒进入到喷嘴，激光对靶材固体颗粒进行加热并使其熔化成液体，液体通过喷嘴喷出并形成均匀液滴靶。本发明专利技术产生的液滴靶均匀、稳定，大小可控，方法简单可靠；另外靶材在喷射时周围包裹一层稀薄气体，这层稀薄气体的存在能抑制激光与液滴靶材作用后形成的中性或带点的粒子碎片四处飞溅。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于EUV (Extreme Ultraviolet,极紫外)光源领域,更具体地,涉及一种用于极紫外光源的高熔点材料液滴靶产生装置。
技术介绍
近年来，随着半导体制造工业的迅速发展，集成电路越来越追求小的刻蚀尺寸和间隔从而造出更大规模集成电路。但是目前的光刻技术已经达到了光刻机刻蚀分辨率的极限。EUVL (Extreme Ultraviolet Lithography，极紫外光刻)技术利用极紫外光作为光刻机光源进行刻蚀。由于利用了更短波长的光源，EUVL技术大幅提升了刻蚀的分辨率。ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors,国际半导体技术路线图)已将EUVL列为突破16nm和IInm节点的主要技术。其中6. x波段的极紫外光源光刻技术是突破Ilnm节点的主要解决方案。LPP (Laser Produced Plasma,激光致等离子体)极紫外福射光源是一种最受欢迎的EUVL光源。其原理图如附图说明图1所示，这种光源主要包括脉冲激光11，靶材装置13，收集镜14。一束或多束高能脉冲激光11 (功率密度大于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于极紫外光源的高熔点材料液滴靶产生装置，其特征在于，包括激光、透镜、颗粒进料装置、喷嘴和管道，所述激光与所述喷嘴同轴，并通过所述透镜聚焦进入所述喷嘴，用于加热进入所述喷嘴的靶材固体颗粒；所述颗粒进料装置通过所述管道与所述喷嘴连接，用于将靶材固体颗粒连续匀速投送至所述喷嘴；当所述靶材固体颗粒进入所述喷嘴后，所述激光对所述靶材固体颗粒进行加热并使其熔化成液体，所述液体通过喷嘴喷出并形成均匀液滴靶。

【技术特征摘要】
1.一种用于极紫外光源的高熔点材料液滴靶产生装置，其特征在于，包括激光、透镜、颗粒进料装置、喷嘴和管道， 所述激光与所述喷嘴同轴，并通过所述透镜聚焦进入所述喷嘴，用于加热进入所述喷嘴的靶材固体颗粒； 所述颗粒进料装置通过所述管道与所述喷嘴连接，用于将靶材固体颗粒连续匀速投送至所述喷嘴；当所述靶材固体颗粒进入所述喷嘴后，所述激光对所述靶材固体颗粒进行加热并使其熔化成液体，所述液体通过喷嘴喷出并形成均匀液滴靶。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述喷嘴为管状喷嘴。3.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述喷嘴包括进料口，进光口和出料Π ； 所述进料口用于与所述管道连接；所述进光口采用激光高透过率镜片密封，用于透射激光；所述出料口为尖细的喷孔，所述液体通过所述喷孔喷出。4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述喷孔的孔径大小为lO-lOOum。5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述颗粒进料装置包括传送带、均匀排布于传送带上的靶材固体...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鸿，王新兵，朱海红，左都罗，陆培祥，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：