阵列基板、显示装置和线宽测量装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供了一种阵列基板、显示装置和线宽测量装置，涉及液晶显示器领域，可以测量获得准确的条状电极的线宽。所述阵列基板包括透明基板，设置在所述透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层；其中，所述栅金属层包括：栅线和栅极的图案，所述源漏金属层包括：数据线、源极、漏极的图案；所述阵列基板还包括：设置在像素区域内的第一条状电极和设置在线宽测量区的第二条状电极；还包括：设置在所述线宽测量区的不透明图案，所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内；所述钝化层至少覆盖所述像素区域。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置和线宽测量>J-U ρ α装直。
技术介绍
在TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)制造业中，⑶(Critical Dimension，关键尺寸)的监控测量非常重要，其测量结果的准确性将影响到整个显示装置的性能。在ADS (Advanced-Super Dimension Switch,高级超维场转换技术)型的阵列基板中，间隔分布的条状电极的线宽就是阵列基板的关键尺寸，将影响到显示装置的透过率等性能。在所述阵列基板上有一处线宽测量区，用于测量条状电极的线宽。但是，由于线宽测量区各条状电极分布界限模糊，一直存在条状电极线宽测量不到和测量准确性过差的问题。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种阵列基板、显示装置和线宽测量装置，可以测量获得准确的条状电极的线宽。为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案一种阵列基板，包括透明基板，设置在所述透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层 ；其中，所述栅金属层包括栅线和栅极的图案，所述源漏金属层包括数据线、源极、漏极的图案；所述阵列基板还包括设置在像素区域内的第一条状电极和设置在线宽测量区的第二条状电极；还包括设置在所述线宽测量区的不透明图案，所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内；所述钝化层至少覆盖所述像素区域。优选的，所述不透明图案与所述栅线和栅极的图案同层设置；或，所述不透明图案与所述数据线、源极、漏极的图案同层设置。优选的，所述不透明图案覆盖整个所述线宽测量区。优选的，所述钝化层只覆盖所述像素区域。一种显示装置，包括对盒后的彩膜基板和阵列基板，所述阵列基板为上述任意一项所述的阵列基板。一种线宽测量装置，包括测量单元，用于测量获得线宽测量区任一第二条状电极的宽度值CD1，所述第二条状电极的上侧边界到其下侧沟道中与所述第二条状电极不相邻的边界的宽度值CD2以及所述第二条状电极的下侧边界到其上侧沟道中与所述第二条状电极不相邻的边界的宽度值 CD3 ；比较处理单元，用于在所述测量单元测量得到的⑶2和⑶3满足以下条件目标值-波动值< CD2 <目标值+波动值且目标值-波动值< CD3 <目标值+波动值时，确定所述CDl为线宽测量准确值；在所述CD2和CD3不满足所述条件时，确定所述CDl不准确。上述技术方案提供的阵列基板、显示装置和线宽测量装置，通过在所述第二条状电极下设置不透明图案，增加所述第二条状电极的边界对比度，使得所述第二条状电极分布界限清晰，从而测量获得所述第二条状电极的准确的线宽。另外上述技术方案提供的线宽测量方法和装置，通过增加对CD2和CD3的限制条件，来确定测量时选择的边界线是否有准确，从而判断测得的线宽CDl是否准确，进而增加线宽测量的准确性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；图2为本技术实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；图3为本技术实施例提供的一种线宽测量区的俯视结构示意图；图4为本技术实施例提供的一种线宽测量装置的结构框图。附图说明1-透明基板，2-栅线和栅极的图案，3-绝缘层，4-有源层，5-数据线、源极、漏极的图案，6-钝化层，7-第一条状电极，8-第二条状电极，9-不透明图案。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。本技术实施例提供了一种阵列基板，如图1、图2所示，所述阵列基板包括透明基板1，设置在所述透明基板I上的栅金属层、栅绝缘层3、有源层4、源漏金属层以及钝化层6 ;其中，所述栅金属层包括栅线和栅极的图案2，所述源漏金属层包括数据线、源极、漏极的图案5 ;所述阵列基板还包括设置在像素区域A1-A2内的第一条状电极7和设置在线宽测量区B1-B2的第二条状电极8。在本技术实施例中所述阵列基板还包括设置在所述线宽测量区的不透明图案9，所述不透明图案9位于所述第二条状电极8的下方且至少一个第二条状电极8的部分两侧边界位于所述不透明图案9所在的区域内；所述钝化层6至少覆盖所述像素区域A1-A2。在所述第二条状电极8下设置不透明图案且至少一个第二条状电极8的部分两侧边界位于所述不透明图案9所在的区域内，这样可以增加第二条状电极8中至少一个第二条状电极的部分两侧边界的对比度。就可以保证所述第二条状电极8中至少有一个条状电极的部分两侧边界是明显的。此时，就可以应用CD测量设备测量该两侧边界明显的条状电极，从而获得较为准确的条状电极的线宽。可选的，所述不透明图案9可以是由任意的不透明材料制作在所述第二条状电极下方的不透明图案。优选的，如图1所示，所述不透明图案9可以与所述栅线和栅极的图案同层设置；或，如图2所示，所述不透明图案9与所述数据线、源极、漏极的图案同层设置。所述同层设置是针对至少两种图案而言的；至少两种图案同层设置是指将同一薄膜通过构图工艺形成至少两种图案。例如，不透明图案9和所述栅线和栅极的图案同层设置是指由栅极薄膜通过构图工艺形成不透明图案以及所述栅线和栅极。将所述不透明图案9与所述栅线和栅极的图案同层设置；或与所述数据线、源极、漏极的图案同层设置时，可以在制作所述栅线和栅极的图案或制作所述数据线、源极、漏极的图案的同时制作出所述不透明图案9，与现有技术相比不增加制作工艺。优选的，如图1或图2所示，所述不透明图案9覆盖整个所述线宽测量区B1-B2。如图3所示，为图2中线宽测量区B1-B2的俯视结构示意图，所述不透明图案9覆盖整个所述线宽测量区B1-B2，所述线宽测量区B1-B2内的所有第二条状电极8的两侧都具有非常明显的边界，CD测量设备测量任意一个第二条状电极的线宽，都可以获得较为准确的条状电极的线宽。可选的，所述钝化层6可以如图1所示覆盖所述像素区域A1-A2和线宽测量区B1-B2，也可以如图2所示只覆盖所述像素区域A1-A2，而不覆盖线宽测量区B1-B2。优选的，所述钝化层6只覆盖所述像素区域A1-A2，而不覆盖线宽测量区B1-B2。这样所述第二条状电极8就直接设置在所述不透明图案9的上方，所述第二条状电极8具有更加明显的边界，使CD测量设备测量获得更为准确的条状电极的线宽。本技术实施例还提供了一种阵列基板的制造方法，包括在透明基板上形成栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层；其中，所述栅金属层包括栅线和栅极的图案，所述源漏金属层包括数据线、源极、漏极的图案；分别在像素区域和线宽测量区内形成第一条状电极和第二条状电极；在形成所述栅金属层的栅线和栅极的图案的同时形成不透明图案；或在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：透明基板，设置在所述透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层；其中，所述栅金属层包括：栅线和栅极的图案，所述源漏金属层包括：数据线、源极、漏极的图案；所述阵列基板还包括：设置在像素区域内的第一条状电极和设置在线宽测量区的第二条状电极；其特征在于，还包括：设置在所述线宽测量区的不透明图案，所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内；所述钝化层至少覆盖所述像素区域。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括透明基板，设置在所述透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层；其中，所述栅金属层包括栅线和栅极的图案，所述源漏金属层包括数据线、源极、漏极的图案；所述阵列基板还包括设置在像素区域内的第一条状电极和设置在线宽测量区的第二条状电极；其特征在于，还包括 设置在所述线宽测量区的不透明图案，所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内； 所述钝化层至少覆盖所述像素区域。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述不透明图案与所述栅线和栅极的图案同层设置；或，所述不透明图案与所述数据线、源极、漏极的图案同层设置。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于， 所述不透明图案覆盖整个所述线宽测量区。4.根据权利要求1或2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘耀，孙亮，丁向前，李梁梁，白金超，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：