像素单元、薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器制造技术

本实用新型专利技术涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种像素单元、TFT阵列基板及液晶显示器，用于减轻液晶显示器在显示画面时的色差，改善液晶显示器的显示画面品质。本实用新型专利技术公开了一种像素单元，包括：具有同层设置且相互绝缘的主动区像素电极和被动区像素电极，与所述主动区像素电极电连接的薄膜晶体管TFT开关，以及与主动区像素电极异层设置且电连接的耦合电极，且耦合电极与被动区像素电极具有形成耦合电容的交叠区域。本实用新型专利技术同时还公开一种TFT阵列基板，包括具有上述技术特征的像素单元；本实用新型专利技术同时还公开一种ADS模式液晶显示器，包括具有上述技术特征的TFT阵列基板。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

像素单元、薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器
本技术涉及液晶显示
，特别涉及一种像素单元、薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器。
技术介绍
目前，高级超维场转换(Advanced super Dimension Switch,以下简称ADS)模式液晶显示器因具备广视角、高穿透率、低色差等优点而得到广泛的应用。ADS模式液晶显示器是同一平面内狭缝电极边缘产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层之间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内的狭缝电极间以及狭缝电极正上方所有取向液晶分子都产生旋转，从而提高液晶工作效率并增大透光效率。其中，ADS模式液晶显示器中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下简称 TFT)阵列基板一般包括衬底基板，以及在衬底基板上呈阵列状分布的像素单元；其中，如图1所示，每一个像素单元包括分别与衬底基板上栅线10和数据线20电连接到的TFT， 通过过孔60与TFT的源极50电连接的像素电极30 ;具体地，像素电极30为具有一定倾斜角度的狭缝电极。TFT阵列基板还包括与像素电极形成电场的公共电极，像素电极30与公共电极之间形成的电场强度的变化控制着液晶分子的偏转程度。ADS模式液晶显示器在工作时，液晶分子在电压驱动下旋转；不过，每一个像素单元内的液晶分子只有一种偏转角度，在不同的观察视角下，由于液晶的各向异性，ADS模式液晶显示器的亮度存在差异，即液晶显示器在显示画面时存在色差，影响液晶显示器的显示画面品质。因此，如何减轻ADS模式液晶显示器在显示画面时的色差，改善ADS模式液晶显示器的显示画面品质成为本领域技术人员需要解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种像素单元、TFT阵列基板及液晶显示器，用于减轻液晶显示器在显示画面时的色差，改善液晶显示器的显示画面品质。为了实现上述技术方案，本技术提供以下技术方案—种像素单元，包括具有同层设置且相互绝缘的主动区像素电极和被动区像素电极，与所述主动区像素电极电连接的TFT开关，以及与所述主动区像素电极异层设置且电连接的耦合电极，且所述耦合电极与所述被动区像素电极具有形成耦合电容的交叠区域。优选地，在上述像素单元中，所述主动区像素电极和所述被动区像素电极分别为一组对称分布的狭缝电极。优选地，在上述像素单元中，所述狭缝电极的延伸方向与液晶初始取向方向的夹角为 5° ^20°。优选地，在上 述像素单元中，所述狭缝电极的长度方向与液晶初始取向方向的夹角为70° 85。。较佳地，在上述像素单元中，所述主动区像素电极的电极图形和所述被动区像素 电极的电极图形的面积比为1:广1:9。本技术同时还提供了一种TFT阵列基板，包括衬底基板；以及在所述衬底基板上呈阵列状分布，具有上述技术特征的像素单元。优选地，在上述TFT阵列基板中，所述像素单元中的耦合电极与所述衬底基板上 的栅线或数据线同层设置。本技术同时还提供了一种液晶显示器，包括具有上述技术特征的TFT阵列基 板。在本技术提供的像素单元中，包括具有同层设置且相互绝缘的主动区像素 电极和被动区像素电极，与所述主动区像素电极电连接的TFT开关，以及与主动区像素电 极异层设置且电连接的耦合电极，且耦合电极与被动区像素电极具有形成耦合电容的交叠 区域。也就是说，像素单元中的像素电极包括同层设置的主动区像素电极和被动区像素电 极，以及与像素电极异层设置的耦合电极；其中，主动区像素电极和被动区像素电极电学断 开；与耦合电极电连接，耦合电极与被动区像素电极具有交叠的区域。采用具有上述像素单元的TFT阵列基板的液晶显示器在工作时，当像素单元所在 位置的栅线打开时，数据电压通过数据线与TFT充入主动区像素电极，主动区像素电极所 对应的液晶分子受到电压驱动而偏转；被动区像素电极所对应的液晶分子的驱动电压由 耦合电极与被动区像素电极产生的耦合电容提供，因被动区像素电极的电压由耦合电容提 供，相对于施加在主动区像素电极上的电压具有一定的时间延迟，因此，每个像素单元所述 对应的液晶分子具有两种偏转角度，在不同视角观察下，由于液晶取向的平均化效果，使液 晶显示器的亮度差异减小，因此，与现有技术相比，减轻液晶显示器在显示画面时的色差， 改善液晶显示器的显示画面品质。附图说明图1为现有技术中一种像素单元的结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种像素单元的结构示意图；[0021 ] 图3为图2中A-A方向的剖视图；图4为本技术实施例提供的驱动一个像素单元的等效电路图。附图标记1-衬底基板;10、11_栅线;20、21_数据线;30_像素电极；31_主动区像素电极； 32-被动区像素电极；40、41_源极；50、51-漏极；60、61、62_过孔；70_耦合电极。具体实施方式现有液晶显示器中TFT阵列基板的结构，限制了液晶显示器中的液晶分子在电压 驱动下的偏转角度，使液晶分子在发生偏转时只有一种偏转角度，在不同的观察视角下，由 于液晶的各向异性，液晶显示器的亮度存在差异，即液晶显示器在显示画面时存在色差，影 响液晶显示器的显示画面品质。有鉴于此，本技术提供了一种像素单元、TFT阵列基板及液晶显示器，每一个像素单元包括具有同层设置且相互绝缘的主动区像素电极和被动区像素电极，与所述主动区像素电极电连接的薄膜晶体管TFT开关，以及与主动区像素电极异层设置且电连接的耦合电极，且所述耦合电极与所述被动区像素电极具有形成耦合电容的交叠区域。采用上述像素单元和TFT阵列基板的液晶显示器在工作时，液晶分子具有至少两种偏转角度，减轻了液晶显示器在显示画面时的色差，从而改善了液晶显示器的显示画面品质。为了使本领域技术人员更好的理解本技术的技术方案，下面结合说明书附图对本技术实施例进行详细的描述。如图2、图3所示， 本技术实施例提供的一种像素单元，包括具有同层设置且相互绝缘的主动区像素电极31和被动区像素电极32，与主动区像素电极31电连接的薄膜晶体管TFT开关，以及与主动区像素电极31异层设置且电连接的耦合电极70，且耦合电极 70与被动区像素电极32具有形成耦合电容的交叠区域。更具体地说，在本实施例提供的像素单元中，像素电极分为两个区域主动区Pl 和被动区P2，并且主动区Pl和被动区P2之间电学断开；其中，主动区像素电极31分布在主动区P1，并通过过孔61与TFT开关电连接，具体可与TFT的源极40或漏极50电连接； 同时还通过过孔62与耦合电极70电连接；被动区像素电极32分布在被动区P2，并与耦合电极70 —定面积的重叠区域，可以和耦合电极70形成耦合电容。呈阵列状分布在TFT阵列基板中的上述像素单元的具体工作原理如下如图4所示，当第η行的栅线Gn打开后，第m列数据线Dm的数据电压可以通过薄膜晶体管Tl充入主动区像素电极31，即主动区像素电极31的驱动电压由TFT提供，主动区像素电极31与TFT阵列基板上的公共电极形成液晶电容Cl和存储电容C2，其中，液晶电容 Cl控制着主动区像素电极31所对应的液晶分子进行旋转，存储电容C2使液晶分子维持一定的偏转角度。被动区像素电极32与耦合电极70形成耦合电容，因耦合电极70与主动区像素电极31电连接，对主动区像素电极31施加电压，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素单元，其特征在于，包括：具有同层设置且相互绝缘的主动区像素电极和被动区像素电极，与所述主动区像素电极电连接的薄膜晶体管开关，以及与所述主动区像素电极异层设置且电连接的耦合电极，且所述耦合电极与所述被动区像素电极具有形成耦合电容的交叠区域。

【技术特征摘要】
1.一种像素单元，其特征在于，包括具有同层设置且相互绝缘的主动区像素电极和被动区像素电极，与所述主动区像素电极电连接的薄膜晶体管开关，以及与所述主动区像素电极异层设置且电连接的耦合电极，且所述耦合电极与所述被动区像素电极具有形成耦合电容的交叠区域。2.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述主动区像素电极和所述被动区像素电极分别为一组对称分布的狭缝电极。3.如权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述狭缝电极的方向与液晶初始取向方向的夹角为5° ^20°。4.如权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述狭...

【专利技术属性】
技术研发人员：申莹，涂志中，孙荣阁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：