GDS文件的扩展方法技术

一种GDS文件的扩展方法，包括提供待扩展的GDS文件，所述GDS文件包括以层级结构形式存储的多个待扩展单元，所述待扩展单元中至少一个为顶层待扩展单元；将所述待扩展的GDS文件复制到中间GDS文件中；其中，对于标签，仅复制直接隶属于待扩展层级的所述待扩展单元的标签；将所有处于前述层级结构中非顶层的所述待扩展单元变更为顶层待扩展单元；变更层级后，依照设定的放大参数扩展中间GDS文件中所有顶层待扩展单元中的图形层，以形成目标GDS文件。本技术方案提高了扩展GDS文件的处理效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种GDS文件的扩展方法。
技术介绍
在集成电路工艺中，通常在完成集成电路的设计后，会产生⑶S文件(GraphicData Stream,图形数据流文件),它是一个包括集成电路布局的二进制文件。⑶S文件包含层级结构，层级结构包括由顶层单元以及非顶层单元，顶层单元和非顶层单元中还包括图形层和标签，其中图形层可以是半导体器件中的有源区、硅栅、金属层、通孔等，而标签是一种文本数据，通过标签来标识端口名称，一个端口就是一个单元用于和别的单元相连接的金属。随着半导体工艺尺寸的逐渐减小，在做工艺尺寸更小(如O. 162微米工艺)的芯片设计时，常常需要从工艺尺寸较大(如O. 18微米工艺)的GDS文件中选用部分单元；而对于另外一部分比较敏感的电路，如一些模拟电路等，就不能直接使用O. 18微米工艺的GDS文件中的设计，而是需要先将其放大(放大1. 11倍)再使用。这样在芯片设计完成后，这个⑶S文件中有些部分是和O. 18微米工艺一样大的设计，而有些部分是经过放大后的设计。然后用这个GDS文件去生成掩膜版数据文件时，再统一缩小为原来的90%，这样原来和O. 1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GDS文件的扩展方法，其特征在于，包括：提供待扩展的GDS文件，所述待扩展的GDS文件包括以层级结构形式存储的多个待扩展单元，所述待扩展单元中至少一个为顶层待扩展单元；将所述待扩展的GDS文件复制到中间GDS文件中；其中，对于标签，仅复制直接隶属于待扩展层级的所述待扩展单元的标签；将所有处于前述层级结构中非顶层的所述待扩展单元变更为顶层待扩展单元；变更层级后，依照设定的放大参数扩展中间GDS文件中所有顶层待扩展单元中的图形层，以形成目标GDS文件。

【技术特征摘要】
1.一种⑶S文件的扩展方法，其特征在于，包括 提供待扩展的GDS文件，所述待扩展的GDS文件包括以层级结构形式存储的多个待扩展单元，所述待扩展单元中至少一个为顶层待扩展单元； 将所述待扩展的GDS文件复制到中间GDS文件中；其中，对于标签，仅复制直接隶属于待扩展层级的所述待扩展单元的标签； 将所有处于前述层级结构中非顶层的所述待扩展单元变更为顶层待扩展单元； 变更层级后，依照设定的放大参数扩展中间GDS文件中所有顶层待扩展单元中的图形层，以形成目标⑶S文件。2.根据权利要求1所述的GDS文件的扩展方法，其特征在于，所述仅复制直接隶属于待扩展层级的所述待扩展单元的标签是通过包括下述步骤的方法实现的 当扫描到标签，判断所述标签是否直接隶属于待扩展层级的所述待扩展单元；其中，所述待扩展层级采用预设运行参数予以指示； 将直接隶属于所述待扩展层级的待扩展单元的标签复制到所述中间GDS文件中。3.根据权利要求1所述的GDS文件的扩展方法，其特征在于，待扩展层级的所述待扩展单元是所述顶层待扩展单元。4.根据权利要求1所述的GDS文件的扩展方法，其特征在于，所述将所有处于前述层级结构中非顶层的所述待扩展单元变更为顶层待扩展单元；包括 确定所述非顶层的所述待扩展单元中的图形层的坐标值； 以所述顶层待扩展单元的坐标系为基准，转换所述非顶层的所述待扩展单元中的图形层的坐标值，以确定所述图形层在所述顶层待扩展单元的坐标系中的坐标值。5.根据权利要求4所述的GDS文件的扩展方...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈智涛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：