热插拔电路、接口电路及电子设备组件制造技术

本发明专利技术公开了一种热插拔电路、接口电路及电子设备组件，包括开关模块、电容模块、电容控制模块和限流模块，其中：开关模块的第一端为电源输入接线端，开关模块的第二端为电源输出接线端，开关模块的第三端和电容模块的第二端、电容控制模块的第四端、限流模块的第一端相连；电容模块的第一端为电源输出接线端；电容控制模块的第一端为电源输入接线端，电容控制模块的第二端为接地端，电容控制模块的第三端为使能接线端；限流模块的第二端为接地端。采用本发明专利技术提供的热插拔电路，能够在上电时提高缓启动效果、断电时迅速关断。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子
，尤其涉及一种热插拔电路、接口电路及电子设备组件。
技术介绍
热插拔即带电插拔，允许用户在不切断设备电源的情况下插入和拔出电子设备组件，如板卡等，不会导致设备或周边装置故障，从而提高了系统的恢复能力、扩展能力等。如果组件上的负载为容性负载，在不切断设备电源的情况下，该组件插入设备瞬间，电源的突然接入会对组件产生较大的瞬时冲击，在插接件处出现电弧放电，甚至对设备造成损毁；当该组件拔出时，插接件处可能出现瞬间接触、瞬间断开的情况，从而导致接入电源的波动，影响设备运行的稳定性。因此为实现该组件的热插拔，需要在该组件接口处设计一个电路，在该组件插入带电设备时能够抑制上电冲击，在该组件从带电设备拔出时能够迅速断电。现有技术中，多采用图1所示的热插拔电路，具体包括一个充电电容C、一个限流电阻R和一个场效应晶体管(简称MOS管)Q0在该电路上电后需要先对充电电容C进行充电，使MOS管Q的栅漏电压逐渐减小，进一步使MOS管Q的导通电阻逐渐减小，漏极电流逐渐增大，实现缓启动，达到抑制上电冲击的目的。但是一般情况下，只有在MOS管Q的导通电阻为几十欧姆至几欧姆之间时，才能有效本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热插拔电路，其特征在于，包括开关模块、电容模块、电容控制模块和限流模块，其中：所述开关模块的第一端为电源输入接线端，所述开关模块的第二端为电源输出接线端，所述开关模块的第三端和所述电容模块的第二端、所述电容控制模块的第四端、所述限流模块的第一端相连；所述电路上电时，所述开关模块通过自身的导通过程控制所述电源输出接线端的输出电压逐渐变化至电源输入接线端的输入电压；所述电路断电时，所述开关模块通过自身的关断过程控制所述电源输出接线端的输出电压减小为零；所述电容模块的第一端为电源输出接线端；所述电路上电时，所述电容模块通过自身的放电过程控制所述开关模块的导通过程；所述电容控制模块的第一端为电源输...

【技术特征摘要】
1.一种热插拔电路，其特征在于，包括开关模块、电容模块、电容控制模块和限流模块， 其中所述开关模块的第一端为电源输入接线端，所述开关模块的第二端为电源输出接线端，所述开关模块的第三端和所述电容模块的第二端、所述电容控制模块的第四端、所述限流模块的第一端相连；所述电路上电时，所述开关模块通过自身的导通过程控制所述电源输出接线端的输出电压逐渐变化至电源输入接线端的输入电压；所述电路断电时，所述开关模块通过自身的关断过程控制所述电源输出接线端的输出电压减小为零；所述电容模块的第一端为电源输出接线端；所述电路上电时，所述电容模块通过自身的放电过程控制所述开关模块的导通过程；所述电容控制模块的第一端为电源输入接线端，所述电容控制模块的第二端为接地端，所述电容控制模块的第三端为使能接线端；所述电路上电时，所述电容控制模块用于控制所述电容模块处于充电状态或放电状态；所述限流模块的第二端为接地端；所述电路上电时，所述限流模块用于抑制电路中的电流冲击；所述电路断电时，所述限流模块用于为所述电容模块放电。2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，当所述电源输入接线端连接正电源时，所述开关模块具体为P沟道型MOS管，所述P沟道型MOS管的漏极作为所述开关模块的第一端， 所述P沟道型MOS管的源极作为所述开关模块的第二端，所述P沟道型MOS管的栅极作为所述开关模块的第三端。3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，当所述电源输入接线端连接正电源时，所述电容控制模块包括第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻，其中所述第一电阻的第一端、所述第二电阻的第一端和所述第一三极管的发射极相连，作为所述电容控制模块的第一端；所述第二三极管的发射极作为所述电容控制模块的第二端；所述第一电阻的第二端和所述第二三极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜鹏超，迟立华，
申请(专利权)人：福建星网锐捷网络有限公司，
类型：发明
国别省市：