液晶面板的防静电结构及其制造方法、连接线的修复方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种液晶面板的防静电结构及其制造方法、连接线的修复方法，属于显示技术领域。解决了现有技术中，切割彩膜基板时产生的静电，容易导致阵列基板上的连接线发生线不良的技术问题。该防静电结构，包括若干尖端放电结构、外部导线和内部导线；若干尖端放电结构和外部导线同层设置于阵列基板中；若干尖端放电结构位于阵列基板边缘的连接线上方的对应区域，且通过绝缘层隔开；外部导线具有位于彩膜基板的切割线与封框胶之间的部分；内部导线一端在切割线与封框胶之间通过过孔与外部导线电位于切割线与封框胶之间的部分相连接，另一端与阵列基板中的与公共电极线相连的静电环电连接。本发明专利技术应用于保护连接线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示
，具体涉及一种。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display, TFT-1XD)已在平板显示领域中占据了主导地位。在IXD的制造过程中，液晶面板对盒之后，需要对彩膜基板的边缘进行切割，切割时会产生静电释放(Electro-Static discharge, ESD)。阵列基板边缘设置于呈扇形排列的连接线(fan-out)，包括扫描连接线和数据连接线，彩膜基板切割完毕之后，阵列基板上的连接线将会裸露在外面。切割彩膜基板时产生的静电会对连接线造成损伤，导致断线等线不良(Line defect)的问题。因此，现有技术中，切割彩膜基板时产生的静电，容易导致阵列基板上的连接线发生线不良。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种，解决了现有技术中，切割彩膜基板时产生的静电，容易导致阵列基板上的连接线发生线不良的技术问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一种液晶面板的防静电结构，包括若干尖端放电结构、外部导线和内部导线；所述若干尖端放电结构和所述外部导线同层设置于阵列基板中；所述若干尖端放电结构位于所述阵列基板边缘的连接线上方的对应区域，且所述若干尖端放电结构与所述连接线之间通过绝缘层隔开，所述连接线为扫描线或者数据线；所述外部导线具有位于彩膜基板的切割线与封框胶之间的部分；所述内部导线一端在所述切割线与封框胶之间的部分通过过孔与所述外部导线电位于所述切割线与封框胶之间的部分相连接，另一端与所述阵列基板中的与公共电极线相连的静电环电连接。优选的，所述连接线为多条并排设置，所述若干尖端放电结构的位置对应于所述连接线的间隔处。进一步，所述外部导线包括第一外部导线、第二外部导线、第三外部导线和第四外部导线；其中，所述第一外部导线位于所述切割线与封框胶之间，所述第三外部导线位于所述切割线的外侧；所述第一外部导线、所述第二外部导线、所述第三外部导线和所述第四外部导线首尾相接，形成封闭的回路。优选的，所述内部导线的数量为两条，两条所述内部导线的一端分别通过过孔与所述第一外部导线的两端中的一端电连接，两条所述内部导线的另一端均与所述静电环电连接。优选的，所述若干尖端放电结构和所述外部导线，与所述阵列基板的像素电极位于同一层。所述内部导线与所述阵列基板的扫描线或数据线位于同一层。一种上述防静电结构的制造方法，包括通过构图工艺，在所述阵列基板上形成包括所述内部导线的图形；具体可以为通过构图工艺，在所述阵列基板上形成扫描线图形或数据线图形的同时，形成包括所述内部导线的图形。通过构图工艺，在所述阵列基板上形成包括所述外部导线和所述若干尖端放电结构的图形；具体可以为通过构图工艺，在所述阵列基板上形成像素电极图形的同时，形成包括所述外部导线和所述若干尖端放电结构的图形。形成过孔图形，使所述外部导线和所述内部导线通过所述过孔电连接。一种连接线的修复方法，所述连接线为多条并排设置于阵列基板上，所述连接线上方的对应区域设置有上述形成封闭回路的第一外部导线、第二外部导线、第三外部导线和第四外部导线；所述第一外部导线和所述第三外部导线的平面投影均与每条连接线交叉；所述修复方法包括当某一条连接线断开时,在该连接线与所述第一外部导线的交叉处，以及该连接线与所述第三外部导线的交叉处，分别进行焊接。进一步，还包括在两个焊接处的同侧，切断所述第一外部导线和所述第三外部导线。与现有技术相比，本专利技术所提供的上述技术方案具有如下优点对彩膜基板的边缘进行切割时，位于连接线上方的尖端放电结构能够有效吸收切割过程产生的静电，保护其下方的连接线不受静电影响；尖端放电结构还能够将所吸收的电荷传输至外部导线，再通过过孔将电荷传输至内部导线，最终传输至阵列基板中的静电环，从而除去了切割产生的静电电荷。避免了切割彩膜基板时产生的静电，导致阵列基板上的连接线发生线不良的问题。另外，如果出现连接线断线的情况，还可以利用激光将断线的两端分别与第一外部导线和第三外部导线焊接在一起，从而利用第一外部导线、第二外部导线、第三外部导线和第四外部导线形成的回路对断线进行修复。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术的实施例1所提供的防静电结构在液晶面板中的截面示意图；图2为本专利技术的实施例1所提供的防静电结构的平面示意图；图3为本专利技术的实施例2所提供的防静电结构的平面示意图；图4为利用本专利技术的实施例2所提供的防静电结构修复断线的示意图5为利用本专利技术的实施例2所提供的防静电结构修复断线的另一示意图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1 :如图1和图2所示，本专利技术实施例所提供的一种液晶面板的防静电结构，包括若干尖端放电结构11、外部导线LI和内部导线LO ;若干尖端放电结构11和外部导线LI同层设置于阵列基板I中；若干尖端放电结构11位于阵列基板I边缘的连接线12上方的对应区域，且若干尖端放电结构11与连接线12之间通过绝缘层13隔开。本专利技术实施例中的连接线12为多条并排设置呈扇形，该连接线可以是扫描线，或者也可以是数据线，即本专利技术实施例提供的防静电结构可用于保护扫描线，也可用于保护数据线。作为一个优选方案，可以对每组扫描线以及每组数据线都设置该防静电结构。外部导线LI具有位于彩膜基板2的切割线与封框胶之间的部分，本实施例中外部导线LI的整体都位于切割线与封框胶之间。在其他实施方式中，也可以使外部导线的一部分位于切割线与封框胶之间，另一部分位于切割线外侧。内部导线LO —端在切割线与封框胶之间通过过孔14与外部导线LI位于切割线与封框胶之间的部分相连接，另一端与阵列基板I中的与公共电极线相连的静电环(图中未示出)电连接。静电环也称为内部短路环(inner short ring),用于消除阵列基板的内部静电，属于阵列基板中的常规设计。本专利技术实施例中，对彩膜基板2的边缘进行切割时，位于连接线12上方的尖端放电结构11能够有效吸收切割过程产生的静电，保护其下方的连接线12不受静电影响；尖端放电结构11还能够将所吸收的电荷传输至外部导线LI，再通过过孔14将电荷传输至内部导线L0，最终传输至阵列基板I中的静电环，从而除去了切割产生的静电电荷。避免了切割彩膜基板2时产生的静电，导致阵列基板I上的连接线12发生线不良的技术问题。优选的，外部导线LI设置于切割线与封框胶3之间，即外部导线LI位于封框胶3的外侧，能够避免外部导线LI通过封框胶3中的导电粒子与彩膜基板2上的电极层21导通，而影响显示效果。优选的，如图2所示，连接线12为多条并排设置，尖端放电结构11的位置对应于连接线12的间隔处，以避免尖端放电结构11和连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶面板的防静电结构，其特征在于：包括若干尖端放电结构、外部导线和内部导线；所述若干尖端放电结构和所述外部导线同层设置于阵列基板中；所述若干尖端放电结构位于所述阵列基板边缘的连接线上方的对应区域，且所述若干尖端放电结构与所述连接线之间通过绝缘层隔开，所述连接线为扫描线或者数据线；所述外部导线具有位于彩膜基板的切割线与封框胶之间的部分；所述内部导线一端在所述切割线与封框胶之间通过过孔与所述外部导线位于所述切割线与封框胶之间的部分相连接，另一端与所述阵列基板中的与公共电极线相连的静电环电连接。

【技术特征摘要】
1.一种液晶面板的防静电结构，其特征在于包括若干尖端放电结构、外部导线和内部导线； 所述若干尖端放电结构和所述外部导线同层设置于阵列基板中； 所述若干尖端放电结构位于所述阵列基板边缘的连接线上方的对应区域，且所述若干尖端放电结构与所述连接线之间通过绝缘层隔开，所述连接线为扫描线或者数据线； 所述外部导线具有位于彩膜基板的切割线与封框胶之间的部分； 所述内部导线一端在所述切割线与封框胶之间通过过孔与所述外部导线位于所述切割线与封框胶之间的部分相连接，另一端与所述阵列基板中的与公共电极线相连的静电环电连接。2.根据权利要求1所述的防静电结构，其特征在于所述连接线为多条并排设置，所述若干尖端放电结构的位置对应于所述连接线的间隔处。3.根据权利要求1所述的防静电结构，其特征在于所述外部导线包括第一外部导线、第二外部导线、第三外部导线和第四外部导线；其中，所述第一外部导线位于所述切割线与封框胶之间，所述第三外部导线位于所述切割线的外侧； 所述第一外部导线、所述第二外部导线、所述第三外部导线和所述第四外部导线首尾相接，形成封闭的回路。4.根据权利要求3所述的防静电结构，其特征在于所述内部导线的数量为两条，两条所述内部导线的一端分别通过过孔与所述第一外部导线的两端中的一端电连接，两条所述内部导线的另一端均与所述静电环电连接。5.根据权利要求1所述的防静电结构，其特征在于所述若干尖端放电结构和所述外部导线，与所述阵列基板的像素电极位于同一层。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵婷婷，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：