本发明专利技术涉及一种气相生长装置的构成部件的清洗装置和清洗方法。其中，所述清洗装置内置有托盘，通过利用轴承的旋转机构，该托盘以可自由旋转的方式保持多个基板架，还包括：托盘与基板架的收纳部；使托盘旋转的机构和/或使基板架旋转的机构；加热器；清洗气体导入部；以及清洗气体排出部。所述清洗方法为在上述清洗装置中，收纳在气相生长中使用过的保持基板架的托盘，使托盘和/或基板架旋转的同时导入清洗气体，去除在气相生长时附着的附着物或堆积物。该清洗装置和清洗方法能高效地去除附着于气相生长后的基板架与托盘等的气相生长装置构成部件上的附着物或堆积物。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于高效地去除在气相生长时附着于气相生长装置(M0CVD装置)的构成部件上的反应物的清洗装置和清洗方法。
技术介绍
有机金属化合物气相生长法(M0CVD法)常用于分子束外延法(MBE法)与氮化物半导体的晶体生长。特别是MOCVD法的晶体生长速度快于MBE法，另外，也不必像MBE法那样要求高真空装置等，故MOCVD法广泛地用于产业界的化合物半导体量产装置。近年，伴随蓝色或紫外线LED、以及蓝色或紫外线激光二极管的普及，为了提高涉及氮化镓、氮化铟镓、氮化铝镓的晶体生长的量产性，对构成MOCVD法的对象的基板的大尺寸化、多片化的方面进行了大量的研究。作为这样的气相生长装置，例如，如专利文献f 5所示的那样，可以列举出下述的气相生长装置，其包括保持基板(基板架)的托盘；托盘的相对面；用于加热基板的加热器；由托盘和托盘的相对面的间隙形成的反应炉；将原料气体从反应炉的中心部供给到反应炉的周边部的原料气体导入部；以及反应气体排出部。在这些气相生长装置中的托盘上设置了多个基板架，构成了下述结构，该结构为通过电动机等驱动机构与旋转传动机构使托盘自转，同时基板架自转并公转。另外，作为气相生长装置的形式，主要提出有两种类型，该两种类型为使晶体生长面朝上的类型(朝上型)与使晶体生长面朝下的类型(朝下型)。在使用这样的气相生长装置进行气相生长时，各种原料气体在于高温下被加热并保持的基板表面上分解而晶体化，但是，由于加热器导致基板架与托盘的基板保持部附近也被加热，在这些表面处原料气体发生反应，反应物附着而堆积，随着生长时间或生长次数的增加，附着量或堆积量增加。其结果为由于给下一次的基板上的晶体生长以不良影响，有必要适当地将这些部件从气相生长装置上拆卸下来，对各部件分别进行清洗。这些基板架、托盘等气相生长装置构成部件的清洗，如专利文献6、7所示的那样，在专用的清洗装置内中的加热条件下，通过与清洗气体接触而进行。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2002-175992号公报专利文献2 日本特开2007-96280号公报专利文献3 :日本特开2007-243060号公报专利文献4 :日本特开2009-99770号公报专利文献5 :日本特愿2011-91388号申请专利文献6 :日本特开2006-332201号公报专利文献7 :日本特开2007-109928号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，如专利文献I那样，将托盘或基座内置构成气相生长装置，该托盘是通过轴承将多个基板架以可自由旋转的方式保持的，该基座是通过轴承将托盘以可自由旋转的方式保持的，在该场合下，在对部件分别地进行清洗的现有方法中，由于有多个作为构成部件之一的轴承，在从托盘上拆卸下基板架、向托盘上安装基板架等时，产生费时间这样的不便。因此，本专利技术要解决的课题在于提供一种清洗装置与清洗方法，其中，在像上述那样的气相生长装置中，高效地去除附着于气相生长后的基板架与托盘等上的气相生长装置构成部件的附着物或堆积物(以下称为“反应物”)。用于解决课题的技术方案本专利技术者们为了解决这些问题进行了精心研究，结果发现在像上述那样的气体生长装置的构成部件的清洗装置中，设置有使托盘旋转的机构与使基板架旋转的机构，在使托盘和基板旋转的同时通过导入清洗气体，在不从基座上拆卸下托盘、或不从托盘上拆卸下基板架的状态下，可高效且容易的去除附着于托盘、基板架以及轴承等上的反应物，实现了本专利技术的气相生长装置的构成部件的清洗装置与清洗方法。S卩，本专利技术涉及一种气相生长装置的构成部件的清洗装置，其中，内置有托盘，通过利用轴承的旋转机构，该托盘以可自由旋转的方式保持多个基板架，其特征在于，具有托盘与基板架的收纳部；使托盘旋转的机构和/或使基板架旋转的机构；加热器；清洗气体导入部；以及清洗气体排出部。另外，本专利技术也是一种气相生长装置的构成部件的清洗方法，其特征在于，在上述清洗装置中，收纳在气相生长时使用过的保持有基板架的托盘，使托盘和/或基板架旋转的同时导入清洗气体， 去除在气相生长时附着的反应物。在本专利技术中，由于不需要托盘、基板架以及轴承等构成部件在清洗前的分解、拆卸以及这些构成部件在清洗后的组装，所以可缩短清洗前后的操作时间。另外，上述操作通常通过手工进行，但是，在本专利技术中由于可省略上述操作，可通过自动控制进行清洗流程，而且，由于可在不与空气接触的情况下清洗构成部件，可高效地去除反应物。本专利技术适用于具有托盘的气相生长装置的构成部件的清洗装置与清洗方法，所述托盘通过轴承将多个基板架以可自由旋转的方式保持。作为本专利技术的气相生长装置，可列举出下述气相生长装置，用于进行例如，镓、铟、铝中选出的一种或两种以上的金属与氮构成的化合物构成的氮化物半导体的晶体生长。本专利技术特别适用于具有旋转机构的气相生长装置，所述旋转机构是一种如果托盘旋转，则所述基板架与其连动进行旋转的机构，而且本专利技术特别适用于反应物难以堆积在托盘的相对面表面而容易堆积于托盘的表面，气相生长面朝下的气相生长装置的构成部件的清洗装置。附图说明图1为表示本专利技术的清洗装置(托盘收纳前)的例子的剖视图；图2为表示本专利技术的清洗装置(托盘收纳后)的例子的剖视图；图3为表示本专利技术的图1以外的清洗装置(托盘收纳前)的例子的剖视图；图4为表示本专利技术的图1、图3以外的清洗装置(托盘收纳前)的例子的剖视图；图5为表示本专利技术中托盘与托盘旋转板形态的例子的俯视图6为表示本专利技术中基板架与基板架旋转板形态的例子的俯视图。具体实施例方式下面，关于本专利技术的清洗装置与清洗方法，参照图广图6进行详细说明，但本专利技术并不限于这些说明。另外，图1为表示本专利技术的清洗装置(托盘收纳前)的例子的剖视图；图2为表示本专利技术的清洗装置(托盘收纳后)的例子的剖视图；图3、图4为表示本专利技术的图1以外的清洗装置(托盘收纳前)的例子的剖视图；图5为表示本专利技术中托盘与托盘旋转板形态的例子的俯视图；图6为表示本专利技术中基板架与基板架旋转板形态的例子的俯视图。本专利技术的气相生长装置的构成部件的清洗装置为下述构成的装置，在收纳清洗对象的托盘之前如图1所示，在收纳清洗对象的托盘之后如图2所示。即，一种气相生长装置的构成部件的清洗装置，其中，内置有如图5所示的托盘，通过利用轴承的旋转机构，该托盘将多个基板架以可自由旋转的方式保持，如图1所示，清洗装置具有托盘与基板架的收纳部I ;使托盘旋转的机构(托盘旋转板5，托盘旋转轴6，旋转电动机等旋转驱动机构)和/或使基板架旋转的机构(基板架旋转板7、基板架旋转轴8、旋转电动机等的旋转驱动机构)；加热器2 ;清洗气体导入部3 ;清洗气体排出部4。下面，对于本专利技术的清洗装置中使托盘旋转的机构进行说明。在通常的气相生长装置中，通过利用轴承的旋转机构，将多个基板架以可自由旋转的方式保持的托盘按下述方式构成，该方式为例如，如专利文献I所记载的那样，在托盘下方处以被装置固定的方式设置了基座，通过轴承将托盘以可自由旋转的方式保持。进一步按照下述方式而构成，该方式为通过来自于外部的旋转驱动机构，托盘外周侧的驱动齿轮旋转，通过互相的齿轮使托盘旋转。另外，以其他的气相生长装置为例，如专利文献4所记载的那样，也存在具有旋转驱动轴的气相生长装置，所述旋转驱动轴用于在中央部使托盘旋转。在本专利技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种气相生长装置的构成部件的清洗装置，其中，内置有托盘，通过利用轴承的旋转机构，该托盘以能自由旋转的方式保持多个基板架，其特征在于，具有：上述托盘与上述基板架的收纳部；使上述托盘旋转的机构和/或使上述基板架旋转的机构；加热器；清洗气体导入部；以及清洗气体排出部。
【技术特征摘要】
2011.09.28 JP 2011-2117141.一种气相生长装置的构成部件的清洗装置，其中，内置有托盘，通过利用轴承的旋转机构，该托盘以能自由旋转的方式保持多个基板架，其特征在于，具有上述托盘与上述基板架的收纳部；使上述托盘旋转的机构和/或使上述基板架旋转的机构；加热器；清洗气体导入部；以及清洗气体排出部。2.根据权利要求1所述的气相生长装置的构成部件的清洗装置，其中，使上述托盘旋转的机构包括托盘旋转板、托盘旋转轴以及旋转驱动机构。3.根据权利要求1所述的气相生长装置的构成部件的清洗装置，其中，使上述基板架旋转的机构包括在中央部设置的基板架旋转板、基板架旋转轴以及旋转驱动机构...
【专利技术属性】
技术研发人员：秋山敏雄，森勇次，
申请(专利权)人：日本派欧尼株式会社，
类型：发明
国别省市：
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