一种用于单晶生长的石英防爆容器制造技术

一种用于单晶生长的石英防爆容器，由内层坩埚和外层坩埚组成；内层坩埚为内壁镀有碳膜的石英管，其初始状态由单晶生长段和分别位于单晶生长段两端的进料段、籽晶淘汰段组成，进料段的端部为进料口，单晶生长段的外壁设置有定位突起，籽晶淘汰段的端部封闭且连接有导热杆；外层坩埚的初始状态为一端开口、一端封闭的石英管，所述石英管分为主体部段和籽晶袋与导热杆放置段；内层坩埚装于外层坩埚内，内层坩埚的单晶生长段位于外层坩埚的主体部段，内层坩埚的籽晶淘汰段及与籽晶淘汰段端部连接的导热杆位于外层坩埚的籽晶袋与导热杆放置段，内层坩埚的外壁与外层坩埚的内壁围成环形腔室。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于三元化合物半导体单晶体制备领域，特别涉及一种用于单晶生长的防爆容器。
技术介绍
在生长三元化合物半导体的单晶体时，由于生长原料的熔点高、平衡蒸汽压高(例如CdSiP2晶体熔点高达1133°c、在该温度下平衡蒸气压约22atm)，高蒸气压强容易产生爆炸；冷却过程存在反常热膨胀，容易导致晶体和生长容器破裂，因此制备大尺寸的三元化合物半导体的单晶体极为困难。ZL201120210437. X公开了一种可调压合成容器，所述合成容器由内层坩埚和外层坩埚组合而成，并在内层坩埚外壁与外层坩埚内壁围成的环形气室内充以氮气来降低内层坩埚壁两侧的压强差，提高合成容器的防爆功能，但该合成容器不适 用于单晶体的制备，且在环形腔室内充氮气至较高压力后会导致外层坩埚封结困难，操作不便。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于单晶生长的石英防爆容器，以提高生长容器的耐压能力，防止单晶生长过程中容器爆炸。本技术所述用于单晶生长的石英防爆容器，由内层坩埚和外层坩埚组合而成；内层坩埚为内壁镀有碳膜的石英管，其初始状态由单晶生长段和分别位于单晶生长段两端的进料段、籽晶淘汰段组成，进料段的端部为进料口，单晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于单晶生长的石英防爆容器，其特征在于所述石英防爆容器由内层坩埚和外层坩埚组合而成，内层坩埚为内壁镀有碳膜的石英管，其初始状态由单晶生长段（1）和分别位于单晶生长段两端的进料段（2）、籽晶淘汰段（3）组成，进料段（2）的端部为进料口，单晶生长段（1）的外壁设置有定位突起（8），籽晶淘汰段（3）的端部封闭且连接有导热杆（4），外层坩埚的初始状态为一端开口、一端封闭的石英管，所述石英管分为主体部段（5）和籽晶袋与导热杆放置段（7），主体部段的端部为开口端，籽晶袋与导热杆放置段（7）端部为封闭端，主体部段（5）的内径大于内层坩埚单晶生长段的外径、长度大于内层坩埚单晶生长段的长度，籽晶袋与导热杆放...

【技术特征摘要】
1.一种用于单晶生长的石英防爆容器，其特征在于所述石英防爆容器由内层坩埚和外层坩埚组合而成， 内层坩埚为内壁镀有碳膜的石英管，其初始状态由单晶生长段(I)和分别位于单晶生长段两端的进料段(2)、籽晶淘汰段(3)组成，进料段(2)的端部为进料口，单晶生长段(I)的外壁设置有定位突起(8)，籽晶淘汰段(3)的端部封闭且连接有导热杆(4)，外层坩埚的初始状态为一端开口、一端封闭的石英管，所述石英管分为主体部段(5)和籽晶袋与导热杆放置段(7)，主体部段的端部为开口端，籽晶袋与导热杆放置段(7)端部为封闭端，主体部段(5)的内径大于内层坩埚单晶生长段的外径、长度大于内层坩埚单晶生长段的长度，籽晶袋与导热杆放置段(7)的内径小于主体部段的内径，其长度等于或大于内层坩埚籽晶淘汰段(3)的长度与所述导热杆(4)长度之和， 内层坩埚的工作状态由单晶生长段(I)和籽晶淘汰段(3)组成，单晶生长段(I)和籽...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵北君，朱世富，樊龙，杨辉，何知宇，陈宝军，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：实用新型
国别省市：