半导体设备的制造方法技术

一种用于制造具有冷却机构（61）的半导体设备（10）的制造方法，包含：通过将激光（L）聚光于由硅所形成的板状的加工对象物（1），从而在加工对象物（1）的内部以沿着改质区域形成预定线（5）延伸的方式形成改质区域（7）的改质区域形成工序；在改质区域形成工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域（7）选择性地进展，将用于流通冷却介质（61）的流路作为冷却机构（61）形成于加工对象物（1）的内部的蚀刻处理工序；及在加工对象物（1）的一个主面侧形成功能元件的功能元件形成工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，特别是涉及用于制造具有冷却机构的。
技术介绍
一直以来，例如如专利文献I所记载的那样，作为用于制造具有冷却机构的，已知有将半导体芯片等的功能元件搭载在基板上，将该基板由热传导树脂密封，然后，在其上设置冷却翅片的方法。在该专利文献I所记载的制造方法中，冷却翅片的沟槽深度对应于功能元件的发热量而调整。专利文献专利文献1:日本特开2001-15675号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在此，在上述现有技术中，因为需要设置比功能元件大型的冷却翅片等的间接冷却机构，因此，存在容易大型化并且冷却效率变低的担忧。在制造高输出的半导体设备的情况下，该担忧变得显著。因此，本专利技术的课题是提供一种可以制造能够实现冷却效率的提高以及小型化的半导体设备的。解决课题的技术手段为了解决上述课题，本专利技术的一个侧面所涉及的，是用于制造具有冷却机构的，包含通过将激光聚光于由硅所形成的板状 的加工对象物，从而在加工对象物的内部以沿着改质区域形成预定线延伸的方式形成改质区域的改质区域形成エ序；在改质区域形成エ序之后，通过对加工对象物实施各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域选择性地进展，将用于流通冷却介质的流路作为冷却机构形成于加工对象物的内部的蚀刻处理工序；及在加工对象物的ー个主面侧形成功能元件的功能元件形成エ序。在该中，能够将用于流通冷却介质的流路一体地形成于加エ对象物的内部，因此，可以获得不另外设置冷却机构而可直接冷却的半导体设备。即，可以制造能够实现冷却效率的提高及小型化的半导体设备。另外，本专利技术的一个侧面所涉及的，是用于制造具有冷却机构的，包含通过将激光聚光于由硅所形成的板状的加工对象物，从而在加工对象物的内部以沿着改质区域形成预定线延伸的方式形成改质区域的改质区域形成エ序；在改质区域形成エ序之后，通过对加工对象物实施各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域选择性地进展，将用于填充冷却介质的空间形成于加工对象物的内部的蚀刻处理工序；将冷却介质填充在空间而将冷却机构形成于加工对象物的内部的エ序；及在加工对象物的ー个主面侧形成功能元件的功能元件形成エ序。在该中，可以将用于填充冷却介质的空间一体地形成于加エ对象物的内部,将冷却介质填充在该空间并将冷却机构形成于加工对象物的内部。因此，可以获得不另外设置冷却机构而可直接冷却的半导体设备。即，可以制造能够实现冷却效率的提高及小型化的半导体设备。另外，在改质区域形成エ序中，也可以将加工对象物中露出于ー个主面的相反侧的另ー个主面的其它的改质区域，以与改质区域的延伸途中连续的方式沿着加工对象物的厚度方向形成，在蚀刻处理工序中，通过沿着其它的改质区域使蚀刻选择性地进展，从而使蚀刻剂从其它的改质区域进入到改质区域。在此情况下，在使蚀刻沿着改质区域进展而形成流路时，可以通过其它的改质区域按期望地控制该改质区域的蚀刻的进展。此时，有时进一歩包含将通过使蚀刻沿着其它的改质区域进展而形成的孔闭塞的エ序。另外，功能元件形成エ序有时在蚀刻处理工序之后实施。专利技术的效果根据本专利技术，可以制造能够实现冷却效率的提高及小型化的半导体设备。附图说明图1为改质区域的形成所使用的激光加工装置的概略构成图。图2为成为改质区域的形成的对象的加工对象物的平面图。图3为沿着图2的加工对象物的II1-1II线的剖面图。图4为激光加工后的加工对象物的平面图。图5为沿着图4的加工对象物的V-V线的剖面图。图6为沿着图4的加工对象物的V1-VI线的剖面图。图7为表示第I实施方式所涉及的的流程图。图8 (a)是表示用于说明第I实施方式所涉及的的流程的加工对象物的平面图，(b)是沿着图8 Ca)的VIIIb-VIIIb线的加工对象物的剖面图。图9 Ca)是表示图8 (b)的接续的加工对象物的剖面图，(b)是表示图9 Ca)的接续的加工对象物的剖面图，(c)是表示图9 (b)的接续的加工对象物的剖面图。图10 (a)是表示图9 (C)的接续的加工对象物的平面图，(b)是沿着图10 (a)的Xb-Xb线的加工对象物的剖面图。图11 (a)是表示图10 (b)的接续的加工对象物的剖面图，(b)是表示图11 (a)的接续的加工对象物的剖面图，(c)是表示图11 (b)的接续的加工对象物的剖面图，(d)是表示图11 (C)的接续的加工对象物的剖面图。图12 Ca)是表示图11 Cd)的接续的加工对象物的剖面图，(b)是表示图12 (a)的接续的加工对象物的剖面图，(c)是表示图12 (b)的接续的加工对象物的剖面图，(d)是表示图12 (c)的接续的加工对象物的剖面图。图13 Ca)是表示图12 Cd)的接续的加工对象物的剖面图，(b)是表示图13 (a)的接续的加工对象物的剖面图，(c)是表示图13 (b)的接续的加工对象物的剖面图，(d)是表示图13 (c)的接续的加工对象物的剖面图。图14 Ca)是表示用于说明第2实施方式所涉及的的流程的加工对象物的平面图，(b)是沿着图14 Ca)的XIVb-XIVb线的加工对象物的剖面图。图15为表示图14 (b)的接续的加工对象物的扩大剖面图。图16 Ca)是表示用于说明第3实施方式所涉及的的流程的加工对象物的平面图，(b)是沿着图16 Ca)的XVIb-XVIb线的加工对象物的剖面图。符号的说明I…加工对象物、3…表面(一个主面)、5…改质区域形成预定线、7、7a、7b、67a 67(^"改质区域、10半导体设备、15功能元件、21背面(另ー个主面)、24…微流路(流路)、61…冷却介质、62 空间、64y…孔、L…激光。具体实施例方式以下，參照附图，对优选的实施方式进行详细的说明。还有，在以下的说明中，对于 相同或相当要素附加相同符号，省略重复的说明。在本实施方式所涉及的中，将激光聚光于加工对象物的内部而形成改质区域。在此，首先，參照图1 图6，说明改质区域的形成。如图1所示，激光加工装置100具备使激光L脉冲振荡的激光光源101、以将激光L的光轴(光路)的方向改变90°的方式配置的分色镜103、用于将激光L聚光的聚光用透镜105。另外，激光加工装置100具备用干支撑由聚光用透镜105聚光的激光L所照射的加工对象物I的支撑台107、用于使支撑台107移动的平台111、为了调节激光L的输出或脉冲宽度等而控制激光光源101的激光光源控制部102、及控制平台111的移动的平台控制部115。在该激光加工装置100中，从激光光源101射出的激光L，通过分色镜103将其光轴的方向改变90°，通过聚光用透镜105而被聚光于载置于支撑台107上的板状的加工对象物I的内部。与此同时，使平台111移动，使加工对象物I相对于激光L沿着改质区域形成预定线5相对移动。由此，沿着改质区域形成预定线5的改质区域形成于加工对象物I。作为加工对象物1，使用半导体材料或压电材料等，如图2所示，在加工对象物1，设定改质区域形成预定线5。在此的改质区域形成预定线5是以直线状延伸的假想线。在加工对象物I的内部形成改质区域的情况下，如图3所示，在将聚光点P对准加工对象物I的内部的状态下，使激光L沿着改质区域形成预定线5 (即在图2的箭头A方向)相对地移动。由此，如图4 图6所示，改质区域7沿着改质区域形成预定线5而形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：下井英树，荒木佳祐，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：
国别省市：